【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开内容是关于具有进阶对准特征的可定位基座，其配置以在衬底处理系统中操作。
技术介绍
1、这里提供的背景描述是为了总体呈现本公开的背景的目的。在此
技术介绍
部分中描述的范围内的当前指定的专利技术人的工作以及在提交申请时不能确定为现有技术的说明书的各方面既不明确也不暗示地承认是针对本公开的现有技术。
2、衬底处理系统被使用于在衬底(例如半导体晶片)上执行例如膜沉积和蚀刻的处理。例如，可执行沉积以使用化学气相沉积(cvd)、等离子体增强cvd(pecvd)、原子层沉积(ald)、等离子体增强ald(peald)、和/或其他沉积处理而沉积导电膜、介电膜、或其他类型的膜。在沉积期间，该衬底被布置在衬底支撑件(例如，基座)上，并且可在一或更多个处理步骤期间使用气体分配设备(例如，喷头)将一或更多种前体气体供应至处理室。在pecvd或peald处理中，等离子体被使用于在沉积期间活化在处理室内的化学反应。
3、传统基座的正确安装可能是既耗费时间又容易出错的。衬底处理系统中的基座被配置以与诸多紧密靠近的移动部件互动或接合，例如衬底传送机械手。如果基座在安装期间未适当地对准，则该基座在操作中可能接触移动部件并且导致其震动或产生污染物颗粒。由于操作员或需多次调整和重夹基座以确保没有移动部件过于靠近该基座，故有时适当的对准需要花费长时间来实现。因此，需要能够避免错位并且提供受限位置调整的基座组件以允许操作员快速地找到正确的站点特定对准。
技术实现思路
1、根据本公开内容的某些实施
2、在某些实施方案中，该多个凹槽包含第一凹槽、第二凹槽、以及第三凹槽，且该第一凹槽的宽度大于该第二凹槽与该第三凹槽中的每一者的宽度。在某些实施方案中，第一定位销的直径大于第二定位销与第三定位销中的每一者的直径。在某些实施方案中，第一定位销的直径小于第一凹槽的宽度且大于第二凹槽与第三凹槽的宽度。在某些实施方案中，第一定位销的直径为第一凹槽宽度的70至80％。
3、在某些实施方案中，该可定位基座包含底部板，其围绕该杆部布置在该基板的下面，且其中这些定位销从该底部板向下延伸。多个定位销包含三个定位销。第二定位销与第三定位销的直径为相同的，且第二凹槽与第三凹槽的宽度为相同的。在某些实施方案中，第一定位销的直径比第一凹槽的宽度小至少约24％且比第二凹槽与第三凹槽的宽度大至少约5％。
4、在某些实施方案中，第二定位销与第三定位销的直径分别比第二凹槽与第三凹槽的宽度小约34至35％。在某些实施方案中，第一定位销在第一凹槽内的移动范围在x方向上为至少+/-0.76mm。在某些实施方案中，可定位基座当安装在处理站内时的移动范围在x方向上与垂直于该x方向的y方向上中的每一者为至少+/-0.76mm。在某些实施方案中，处理模块包含多个处理站，其包含至少四个可定位基座，这些可定位基座布置在多个处理站中的相应一者中。
5、在某些实施方案中，可定位基座组件被配置成在衬底处理系统的处理模块中支撑衬底，其包含可定位基座。该可定位基座的基板包含限定在该基板的径向外边缘中的多个对准特征。多个定位销分别对准在处理模块的第一表面中的多个凹槽并配置以被该多个凹槽接收。多个定位销以及多个凹槽的尺寸被设计以允许可定位基座以及多个对准特征的定位。在某些实施方案中，可定位基座组件包含配置在可定位基座的底部板和该处理模块的第一表面之间的第一o型环和第二o型环，且该多个定位销位于第一o型环和第二o型环之间。在某些实施方案中，该可定位基座组件包含夹具组件，其被配置成将该可定位基座夹持至该处理模块的基座基底。
6、在某些实施方案中，衬底处理系统的处理模块包含四个处理站。处理站中的每一者包含可定位基座组件、基座基底、用于接收可定位基座组件的杆部的开口、以及布置在该开口周围的三个凹槽。在某些实施方案中，这些凹槽中的一者的宽度大于其他凹槽的宽度。在某些实施方案中，四个可定位基座被布置在四个处理站中。当布置时，四个可定位基座中的每一者具有向下延伸进入该开口的杆部。三个定位销从该可定位基座向下延伸并进入布置在该开口周围的三个凹槽。
7、根据详细描述、权利要求和附图，本公开内容的适用性的进一步的范围将变得显而易见。详细描述和具体示例仅用于说明的目的，并非意在限制本公开的范围。
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1.一种被配置成在衬底处理系统的处理站中支撑衬底的可定位基座，所述可定位基座包含：
2.根据权利要求1所述的可定位基座，其中所述第一定位销的所述直径是所述第一凹槽的所述宽度的70至80％。
3.根据权利要求1所述的可定位基座，其中所述多个定位销在所述杆部周围在周向上均匀间隔开。
4.根据权利要求1所述的可定位基座，其中所述可定位基座包含底部板，所述底部板围绕所述杆部布置在所述基板下面，且其中所述定位销从所述底部板向下延伸。
5.根据权利要求1所述的可定位基座，其中所述第二定位销与所述第三定位销的所述直径是相同的，且所述第二凹槽与所述第三凹槽的所述宽度是相同的。
6.根据权利要求1所述的可定位基座，其中所述第一定位销的所述直径比所述第一凹槽的所述宽度小至少24％且比所述第二凹槽与所述第三凹槽的所述宽度大至少5％。
7.根据权利要求6所述的可定位基座，其中所述第二定位销与所述第三定位销的所述直径分别比所述第二凹槽与所述第三凹槽的所述宽度小约34至35％。
8.根据权利要求1所述的可定位基座，其中所述第
9.根据权利要求1所述的可定位基座，其中所述可定位基座当安装在所述处理站内时的移动范围在x方向上与垂直于所述x方向的y方向上中的每一者为至少+/-0.76mm。
10.一种包含多个处理站并且还包含至少四个根据权利要求1所述的所述可定位基座的处理模块，所述可定位基座布置在所述多个处理站中的相应一者中。
11.一种被配置成在衬底处理系统的处理模块中支撑衬底的可定位基座组件，所述可定位基座组件包含：
12.根据权利要求11所述的可定位基座组件，其中所述多个对准特征包含限定在所述基板的所述径向外边缘中的多个凹口。
13.根据权利要求11所述的可定位基座组件，其中所述可定位基座包含底部板，所述底部板围绕所述杆部布置在所述基板下面，且其中所述多个定位销从所述底部板延伸。
14.根据权利要求13所述的可定位基座组件，其还包含配置在所述底部板和所述第一表面之间的第一O型环和第二O型环，其中所述多个定位销位于所述第一O型环和所述第二O型环之间。
15.根据权利要求11所述的可定位基座组件，其中所述第二定位销与所述第三定位销的所述直径是相同的，且所述第二凹槽与所述第三凹槽的所述宽度是相同的。
16.根据权利要求11所述的可定位基座组件，其中所述第一定位销的所述直径比所述第一凹槽的所述宽度小约24至25％。
17.根据权利要求16所述的可定位基座组件，其中所述第二定位销与所述第三定位销的所述直径分别比所述第二凹槽与所述第三凹槽的所述宽度小约34至35％。
18.根据权利要求11所述的可定位基座组件，其中所述可定位基座当安装在所述处理模块内时的移动范围在x方向上与垂直于所述x方向的y方向上中的每一者为至少+/-0.76mm。
19.根据权利要求11所述的可定位基座组件，其还包含夹具组件，所述夹具组件被配置成将所述可定位基座夹持至所述处理模块的基座基底。
20.一种包含多个处理站的处理模块且还包含至少四个根据权利要求11所述的所述可定位基座组件，所述可定位基座组件布置于所述多个处理站中的相应一者中。
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种被配置成在衬底处理系统的处理站中支撑衬底的可定位基座，所述可定位基座包含：
2.根据权利要求1所述的可定位基座，其中所述第一定位销的所述直径是所述第一凹槽的所述宽度的70至80％。
3.根据权利要求1所述的可定位基座，其中所述多个定位销在所述杆部周围在周向上均匀间隔开。
4.根据权利要求1所述的可定位基座，其中所述可定位基座包含底部板，所述底部板围绕所述杆部布置在所述基板下面，且其中所述定位销从所述底部板向下延伸。
5.根据权利要求1所述的可定位基座，其中所述第二定位销与所述第三定位销的所述直径是相同的，且所述第二凹槽与所述第三凹槽的所述宽度是相同的。
6.根据权利要求1所述的可定位基座，其中所述第一定位销的所述直径比所述第一凹槽的所述宽度小至少24％且比所述第二凹槽与所述第三凹槽的所述宽度大至少5％。
7.根据权利要求6所述的可定位基座，其中所述第二定位销与所述第三定位销的所述直径分别比所述第二凹槽与所述第三凹槽的所述宽度小约34至35％。
8.根据权利要求1所述的可定位基座，其中所述第一定位销在所述第一凹槽内的移动范围在x方向上为至少+/-0.76mm。
9.根据权利要求1所述的可定位基座，其中所述可定位基座当安装在所述处理站内时的移动范围在x方向上与垂直于所述x方向的y方向上中的每一者为至少+/-0.76mm。
10.一种包含多个处理站并且还包含至少四个根据权利要求1所述的所述可定位基座的处理模块，所述可定位基座布置在所述多个处理站中的相应一者中。
11.一种被配置成在衬底处理系统的处理模块中支撑衬底...
【专利技术属性】
技术研发人员：斯凯·穆勒诺，奇拉格·拉古纳特·希维达斯，尼克·拉伊·小林百格，
申请(专利权)人：朗姆研究公司，
类型：发明
国别省市：
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