【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
技术介绍
1、等离子体处理系统用于在半导体晶片上制造半导体装置，例如芯片/晶粒。在等离子体处理系统中，半导体晶片暴露于诸多类型的等离子体以对半导体晶片的条件引起预定变化，例如通过材料沉积和/或材料去除和/或材料植入和/或材料改性等。等离子体处理系统通常包括射频(rf)源、rf传输缆线、rf阻抗匹配网络、电极及等离子体产生室。rf源通过rf传输缆线连接至rf阻抗匹配网络。rf阻抗匹配网络通过电导体连接至电极。rf源所产生的rf功率通过rf传输缆线以及通过rf阻抗匹配网络传输至电极。从电极传输的rf功率使处理气体在等离子体产生室内转化成等离子体。在本文中提出本专利技术中所述的实施方案。
技术实现思路
1、在一示例性实施方案中，公开用于直接驱动式射频功率供应源的参考盒。参考盒包括输入连接器。参考盒也包括参考电路，其具有连接至输入连接器的输入端子。参考电路被配置成将非参考输入阻抗(例如非50欧姆输入阻抗)转换成参考输出阻抗(例如50欧姆输出阻抗)。参考盒也包括连接至参考电路的输出端子的输出连接器
2、本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种用于直接驱动式射频功率供应源的参考盒，其包括:
2.根据权利要求1所述的参考盒，其中所述输入连接器从所述参考盒的一端向外延伸。
3.根据权利要求2所述的参考盒，其中所述参考盒为可移动式，以使所述输入连接器能够以基本上线性的方式滑动而与所述直接驱动式射频功率供应源的射频输出耦合电连接以及从所述射频输出耦合电断开。
4.根据权利要求3所述的参考盒，其进一步包括:
5.根据权利要求4所述的参考盒，其中所述导板被配置成与杠杆构件的第一端接合并使所述杠杆构件的所述第一端随着所述参考盒移动而升高，以引导所述输入连接器与所述射...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种用于直接驱动式射频功率供应源的参考盒，其包括:
2.根据权利要求1所述的参考盒，其中所述输入连接器从所述参考盒的一端向外延伸。
3.根据权利要求2所述的参考盒，其中所述参考盒为可移动式，以使所述输入连接器能够以基本上线性的方式滑动而与所述直接驱动式射频功率供应源的射频输出耦合电连接以及从所述射频输出耦合电断开。
4.根据权利要求3所述的参考盒，其进一步包括:
5.根据权利要求4所述的参考盒，其中所述导板被配置成与杠杆构件的第一端接合并使所述杠杆构件的所述第一端随着所述参考盒移动而升高，以引导所述输入连接器与所述射频输出耦合电连接，其中所述杠杆构件与所述射频输出耦合接合，使得所述杠杆构件的所述第一端的升高引起所述射频输出耦合竖直升高至校准位置，在所述校准位置处，所述射频输出耦合从下游射频功率传输系统断开且设置成与所述输入连接器接合。
6.根据权利要求5所述的参考盒，其中所述导板被配置成使得所述杠杆构件的所述第一端随着所述参考盒移动而下降，以引导所述输入连接器从所述射频输出耦合电断开，其中所述杠杆构件与所述射频输出耦合接合，使得所述杠杆构件的所述第一端的下降引起所述射频输出耦合竖直下降至正常操作位置，在所述正常操作位置处，所述射频输出耦合电连接至所述下游射频功率传输系统。
7.根据权利要求1所述的参考盒，其中所述参考电路包括电感器、第一电容器、以及第二电容器，所述电感器具有电连接至所述参考电路的所述输入端子的输入端子，所述电感器具有电连接至所述第一电容器的输入端子的输出端子，所述第一电容器具有电连接至所述参考电路的所述输出端子及所述第二电容器的输入端子两者的输出端子，所述第二电容器具有电连接至参考接地电位的输出端子。
8.根据权利要求1所述的参考盒，其进一步包括:
9.一种射频校准系统，其包括:
10.根据权利要求9所述的射频校准系统，其中所述输入连接器及所述射频输出耦合被配置成使所述输入连接器能够以基本上线性的方式滑动而与所述射频输出耦合电连接以及从所述射频输出耦合电断开。
11.根据权利要求9所述的射频校准系统，其中所述参考电路包括电感器、第一电容器、以及第二电容器，所述电感器具有电连接至所述参考电路的所述输入端子...
【专利技术属性】
技术研发人员：亚历山大·米勒·帕特森，丹尼尔·古斯曼，威廉·T·哈特，克里斯蒂安·赛拉迪，迈克尔·约翰·马丁，王雨后，迈克尔·德里蒙，约翰·德鲁厄里，罗伯特·格里菲思·奥尼尔，吕克·阿尔巴雷德，尼尔·西蒙·奥坎波，
申请(专利权)人：朗姆研究公司，
类型：发明
国别省市：
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