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压力控制阀制造技术

技术编号:41267003 阅读:3 留言:0更新日期:2024-05-11 09:22
一种压力控制阀(1),进行连接被用于半导体制造装置的真空腔室(2)、以及进行真空腔室(2)的排气的排气泵(3)之圆形的排气口(15)的开闭,压力控制阀(1)包括,抵接远离被设置于排气口(15)的半径方向的外侧方向的阀座(12)的阀体(11)。阀体(11)包括中空部(17)、第一橡胶加热器(23)、以及第二橡胶加热器(24)。中空部(17)位于阀体(11)的真空腔室(2)侧的上面(11a)与阀体(11)的排气泵(3)侧的下面(11b)之间。第一橡胶加热器(23)在中空部(17)覆盖上面(11a)的第一内面(18a)。第二橡胶加热器(24)在中空部(17)覆盖下面(11b)的第二内面(19a)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及一种压力控制阀,进行连接被用于半导体制造装置的真空腔室、以及进行真空腔室的排气的排气泵之圆形的开口部的开闭。


技术介绍

1、在半导体制造装置中晶圆的表面处理(蚀刻等)是,借由将晶圆载置于真空腔室内、并将各种处理气体导入于真空腔室内而进行。真空腔室系经由排气口连接排气泵,导入于真空腔室的处理气体系,借由排气泵被吸引并从排气口排气。在排气口,设置有用于进行排气口的开闭的压力控制阀,借由压力控制阀的开度调整,可进行从排气口的排气量调整。由此,可进行真空腔室内的压力的调整。另外,作为压力控制阀,例如,已知有揭露于专利文献1的主阀。

2、[先行技术文献]

3、[专利文献]

4、[专利文献1]日本专利公开平8-42734号公报


技术实现思路

1、[专利技术要解决的问题]

2、导入于真空腔室的处理气体例如被加热到约100℃左右的高温,但从真空腔室被排气的时候,借由接触压力控制阀的阀体而被冷却。于是,处理气体的成份有可能堆积在阀体的表面。若处理气体的成份堆积在阀体的表面的话,在进行晶圆的表面处理时作为粒子扬起,有可能引起表面处理的不良。

3、本专利技术是有鉴于上述问题而完成,以提供一种可在真空腔室的排气时防止处理气体被冷却、并防止粒子的产生的压力控制阀为目的。

4、[用于解决问题的手段]

5、为了解决上述问题,本专利技术的一方面的压力控制阀具有以下构成。

6、一种压力控制阀,进行连接被用于半导体制造装置的真空腔室、以及进行真空腔室的排气的排气泵之圆形的开口部的开闭,前述压力控制阀包括:阀体,抵接远离被设置于前述开口部的半径方向的外侧方向的阀座。前述阀体包括:中空部、第一面状加热器、以及第二面状加热器。中空部位于前述阀体的前述真空腔室之侧的上面与前述阀体的前述排气泵之侧的下面之间。第一面状加热器在前述中空部覆盖前述上面的第一内面。第二面状加热器在前述中空部覆盖前述下面的第二内面。

7、依据上述压力控制阀,阀体借由包括位于阀体的真空腔室侧的上面与阀体的排气泵侧的下面之间的中空部,使热容量减小。除此之外,因为包括在中空部覆盖上述上面的内面的第一面状加热器、以及在中空部覆盖上述下面的内面的第二面状加热器,所以可均匀地加热阀体的上面整体与下面整体。

8、在真空腔室的排气时,因为处理气体主要接触阀体的上面以及下面,所以如果可均匀地加热阀体的上面整体与下面整体的话,可防止处理气体借由阀体被冷却。由此,可防止处理气体的成份堆积在阀体的表面,进而可降低堆积的成份作为粒子扬起、引起晶圆的表面处理的不良的风险。

9、以往,堆积在阀体的上面(即上游侧的面)的处理气体的成份有可能作为粒子在真空腔室内扬起这一情况为已知,但堆积在阀体的下面(即下游侧的面)的处理气体的成份在排气时与处理气体一起流动、在真空腔室内扬起并没有被考虑过。但是,本案专利技术人因为考虑到了堆积在下面的处理气体的成份作为粒子而飞散于真空腔室内,所以在(1)所记载的压力控制阀中,不只阀体的上面,连下面也借由面状加热器加热,由此防止粒子的发生。

10、又,在上述的压力控制阀中,较佳为从前述上面至前述第一内面为止的厚度、以及从前述下面至前述第二内面为止的厚度为4mm以上、8mm以下。

11、从上面至第一内面为止的厚度、以及从下面至第二内面为止的厚度因为越薄而阀体的热容量越小,所以借由第一面状加热器、第二面状加热器的加热变得容易。另一方面,阀体的强度降低。因此,取得热容量与强度的均衡变得重要。本案专利技术人借由实验,如上述的压力控制阀般,借由使从上面至第一内面为止的厚度、以及从下面至第二内面为止的厚度为4mm以上、8mm以下,确认到可取得热容量与强度的均衡。

12、又,在上述的压力控制阀中,较佳为前述阀体包括抵接远离前述阀座的环状密封部,前述中空部位于前述环状密封部的半径方向的内周侧。

13、具有中空部的阀体相较于中间实心的阀体强度较低。因此,例如,若阀体的中空部被设置于环状密封部的内侧的话,在环状密封部抵接阀座时,阀体挠曲,环状密封部可能被推压于阀座12的力被吸收。依据上述的压力控制阀,因为中空部位于环状密封部的半径方向的内周侧,所以可将阀体的环状密封部的内侧作为中间实心而防止阀体挠曲。由此,可防止环状密封部被推压于阀座的力被吸收。

14、又,在上述的压力控制阀中,较佳为在前述中空部,连通有可供给冷却气体的冷却气体供给路径。

15、随着处理气体的种类,用于晶圆的表面处理的温度条件相异的时候,有着必须使压力控制阀的阀体的温度下降的情况。以往,必须等待阀体的温度自然地下降,担心晶圆的表面处理工程的效率下降。依据上述的压力控制阀,因为在中空部连通有可供给冷却气体的冷却气体供给路径,所以借由将冷却气体供给至中空部,可使阀体的温度迅速地下降。

16、[专利技术的效果]

17、依据本专利技术的压力控制阀,可以防止在真空腔室的排气时处理气体被冷却,并防止粒子的产生。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种压力控制阀,进行连接被用于半导体制造装置的真空腔室、以及进行该真空腔室的排气的排气泵之圆形的开口部的开闭,该压力控制阀包括:

2.如权利要求1所述的压力控制阀,其中,从该上面至该第一内面为止的厚度、以及从该下面至该第二内面为止的厚度为4mm以上、8mm以下。

3.如权利要求1或2所述的压力控制阀,其中,

4.如权利要求1至3中任一项所述的压力控制阀,其中,在该中空部,连通有可供给冷却气体的冷却气体供给路径。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种压力控制阀,进行连接被用于半导体制造装置的真空腔室、以及进行该真空腔室的排气的排气泵之圆形的开口部的开闭,该压力控制阀包括:

2.如权利要求1所述的压力控制阀,其中,从该上面至该第一内面为止的厚度、以及从该下...

【专利技术属性】
技术研发人员:荻须俊和
申请(专利权)人:CKD株式会社
类型:发明
国别省市:

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