公开一种膜状黏合剂。该膜状黏合剂含有热固性树脂、固化剂、弹性体及平均粒径为400nm以下的无机填料。以膜状黏合剂的总量为基准，无机填料的含量为18～40质量％。以膜状黏合剂的总量为基准，热固性树脂及固化剂的合计含量为25质量％以下。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种膜状黏合剂、切割晶粒接合(dicing/die-bonding)一体型膜、以及半导体装置及其制造方法。
技术介绍
1、近年来，已普及将半导体元件(半导体芯片)层叠为多层而成的层叠mcp(multichip package：多芯片封装)，作为行动电话、可携式音频设备用存储器半导体封装件等而搭载。并且，伴随行动电话等的多功能化，也推进半导体封装件的高速化、高密度化、高积体化等。与此相伴，半导体晶圆的薄膜化也不断发展，加工时容易产生晶圆破裂等不良情况，从而有时产率下降成为问题。因此，随着半导体晶圆的厚度变薄(例如，50μm以下)，从以往的物理研削方法向新的加工方法的转移不断发展。
2、作为新的加工方法之一，近年来提出了一种方法，向预定切割线上的半导体晶圆内部照射激光光而形成改性区域，然后，通过扩展外周部而切割半导体晶圆(例如，专利文献1、2)。该方法称为隐形激光切割(stealth dicing)。伴随隐形激光切割等新的加工方法的开发，正在进行能够与其适合的功能性膜的开发。作为这样的功能性膜，例如报道了兼具切割带和晶粒接合膜的性能的切割晶粒接合一体型膜(例如，专利文献3、4)。
3、以往技术文献
4、专利文献
5、专利文献1：日本特开2002-192370号公报
6、专利文献2：日本特开2003-338467号公报
7、专利文献3：日本特开2015-211080号公报
8、专利文献4：日本特开2016-115775号公报
/>技术实现思路
1、专利技术要解决的技术课题
2、然而，在半导体装置的制造工艺中，在通过隐形激光切割形成改性区域而进行分割的情况下，有时实施冷却条件下的扩展(以下，有时称为“冷却扩展”。)。然而，若将以往的切割晶粒接合一体型膜适用于冷却扩展，则有时在由膜状黏合剂(晶粒接合膜)形成的黏合剂层中会产生未分割。若产生黏合剂层的未分割，则产率下降及用于分选未分割品的生产时间效率下降成为问题。
3、并且，在层叠mcp中，由于将半导体元件层叠为多层，因此对所使用的膜状黏合剂(晶粒接合一体型膜的晶粒接合膜)要求薄膜化(例如，厚度20μm以下)。然而，若使以往的膜状黏合剂薄膜化，则有时无法确保芯片剪力(die shear)强度，仍具有改善的空间。
4、因此，本专利技术的主要目的为，提供一种膜状黏合剂，其基于冷却扩展的分割性优异，并且薄膜化时具有充分的芯片剪力强度。
5、用于解决技术课题的手段
6、本专利技术的一方面涉及一种膜状黏合剂。该膜状黏合剂含有热固性树脂、固化剂、弹性体及平均粒径为400nm以下的无机填料。以膜状黏合剂的总量为基准，无机填料的含量为18～40质量％。当以膜状黏合剂的总量为基准，无机填料的含量为18质量％以上时，具有膜状黏合剂的基于冷却扩展的分割性优异的倾向。当以膜状黏合剂的总量为基准，无机填料的含量为40质量％以下时，存在使膜状黏合剂薄膜化时具有充分的芯片剪力强度的倾向。以膜状黏合剂的总量为基准，热固性树脂及固化剂的合计含量为25质量％以下。当以膜状黏合剂的总量为基准，热固性树脂及固化剂的合计含量为25质量％以下时，由于弹性体的量变得充分，因此具有薄膜涂布性优异的倾向。
7、以膜状黏合剂的总量为基准，弹性体的含量可以为40质量％以上。
8、无机填料的含量相对于热固性树脂、固化剂及弹性体的总量100质量份可以为22质量份以上。
9、弹性体的含量相对于热固性树脂及固化剂的总量100质量份可以为200质量份以上。
10、膜状黏合剂的厚度可以为20μm以下。
11、膜状黏合剂可以用于层叠多个半导体元件而成的半导体装置的制造工艺。在该情况下，半导体装置可以为将半导体元件(半导体芯片)层叠多层而成的层叠mcp(multi chippackage：多芯片封装)，也可以为三维nand型存储器。
12、本专利技术的另一方面涉及一种切割晶粒接合一体型膜。该切割晶粒接合一体型膜依次具备基材层、压敏胶黏剂层及由上述膜状黏合剂形成的黏合剂层。
13、本专利技术的另一方面涉及一种半导体装置。该半导体装置具备：半导体元件；支撑部件，搭载半导体元件；及黏合部件，设置于半导体元件与支撑部件之间，黏合半导体元件与支撑部件。黏合部件为上述膜状黏合剂的固化物。半导体装置也可以还具备层叠在半导体元件的表面上的其他半导体元件。
14、本专利技术的另一方面涉及一种半导体装置的制造方法。该半导体装置的制造方法的一形态包括：将上述膜状黏合剂介在于半导体元件与支撑部件之间或第1半导体元件与第2半导体元件之间，将半导体元件与支撑部件、或将第1半导体元件与第2半导体元件黏合的工序。
15、该半导体装置的制造方法的其他形态包括：将半导体晶圆贴附于上述切割晶粒接合一体型膜的黏合剂层上的工序；切割贴附有黏合剂层的半导体晶圆的工序；通过在冷却条件下扩展基材层，制作多个单片化的带有黏合剂片的半导体元件的工序；从压敏胶黏剂层拾取带有黏合剂片的半导体元件的工序；及介由黏合剂片将带有黏合剂片的半导体元件黏合于支撑部件上的工序。半导体装置的制造方法也可以还包括介由黏合剂片将其他带有黏合剂片的半导体元件黏合于与支撑部件黏合的半导体元件的表面上的工序。
16、本专利技术提供[1]至[7]所述的膜状黏合剂、[8]所述的切割晶粒接合一体型膜、[9]、[10]所述的半导体装置、及[11]至[13]所述的半导体装置及其制造方法。
17、[1]一种膜状黏合剂，其含有热固性树脂、固化剂、弹性体及平均粒径为400nm以下的无机填料，以膜状黏合剂的总量为基准，所述无机填料的含量为18～40质量％，以膜状黏合剂的总量为基准，所述热固性树脂及所述固化剂的合计含量为25质量％以下。
18、[2]根据[1]所述的膜状黏合剂，其中，以膜状黏合剂的总量为基准，所述弹性体的含量为40质量％以上。
19、[3]根据[1]或[2]所述的膜状黏合剂，其中，所述无机填料的含量相对于所述热固性树脂、所述固化剂及所述弹性体的总量100质量份为22质量份以上。
20、[4]根据[1]至[3]中任一项所述的膜状黏合剂，其中，所述弹性体的含量相对于所述热固性树脂及所述固化剂的总量100质量份为200质量份以上。
21、[5]根据[1]至[4]中任一项所述的膜状黏合剂，其厚度为20μm以下。
22、[6]根据[1]至[5]中任一项所述的膜状黏合剂，其用于层叠多个半导体元件而成的半导体装置的制造工艺。
23、[7]根据[6]所述的膜状黏合剂，其中，所述半导体装置为三维nand型存储器。
24、[8]一种切割晶粒接合一体型膜，其依次具备基材层、压敏胶黏剂层及由[1]至[5]中任一项所述的膜状黏合剂形成的黏合剂层。
25、[9]一种半导体装置，其具备：半导体元件；支撑部件，本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种膜状黏合剂，其含有热固性树脂、固化剂、弹性体及平均粒径为400nm以下的无机填料，
2.根据权利要求1所述的膜状黏合剂，其中，
3.根据权利要求1或2所述的膜状黏合剂，其中，
4.根据权利要求1或2所述的膜状黏合剂，其中，
5.根据权利要求1或2所述的膜状黏合剂，其中，
6.根据权利要求1或2所述的膜状黏合剂，其用于层叠多个半导体元件而成的半导体装置的制造工艺。
7.根据权利要求6所述的膜状黏合剂，其中，
8.一种切割晶粒接合一体型膜，其依次具备基材层、压敏胶黏剂层及由权利要求1或2所述的膜状黏合剂形成的黏合剂层。
9.一种半导体装置，其具备：
10.根据权利要求9所述的半导体装置，其还具备层叠于所述半导体元件的表面上的其他半导体元件。
11.一种半导体装置的制造方法，其包括：
12.一种半导体装置的制造方法，其包括：
13.根据权利要求12所述的半导体装置的制造方法，其还包括：
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种膜状黏合剂，其含有热固性树脂、固化剂、弹性体及平均粒径为400nm以下的无机填料，
2.根据权利要求1所述的膜状黏合剂，其中，
3.根据权利要求1或2所述的膜状黏合剂，其中，
4.根据权利要求1或2所述的膜状黏合剂，其中，
5.根据权利要求1或2所述的膜状黏合剂，其中，
6.根据权利要求1或2所述的膜状黏合剂，其用于层叠多个半导体元件而成的半导体装置的制造工艺。
7.根据权利要求6所述的膜...
【专利技术属性】
技术研发人员：山本和弘，田泽强，金子知世，秋吉利泰，
申请(专利权)人：株式会社力森诺科，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。