【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体装置的制造方法。
技术介绍
1、半导体装置一般经过以下工序制造。首先，对半导体晶片实施背面研磨(背面磨削)工序，接着在粘贴有切割用压敏胶黏膜的状态下实施切割工序。然后实施紫外线照射工序、拾取工序、芯片接合工序等。
2、在半导体装置的制造工艺中使用被称作切割-芯片接合一体型膜的膜。该膜具有依次层叠有基材层、压敏胶黏剂(press-sensitive adhesive)层和黏合剂层(adhesivelayer)的结构，例如如下地使用。首先，在半导体晶片上粘贴黏合剂层侧的那面的同时，在用切割环固定了半导体晶片的状态下对半导体晶片进行切割(切割工序)。由此，将半导体晶片及黏合剂层同时制成单片成为多个半导体芯片及多个黏合剂层片。接着，当压敏胶黏剂层包含紫外线固化型压敏胶黏剂时，通过对压敏胶黏剂层照射紫外线来降低压敏胶黏剂层对于黏合剂层的胶接力(紫外线照射工序)，将半导体芯片随黏合剂层片一起从压敏胶黏剂层上拾取(拾取工序)。之后，经过介由黏合剂层片将半导体芯片压接在基板等上的工序(芯片接合工序)等来制造半导体装置。此外，将由经过切割工序获得的半导体芯片和附着在其上的黏合剂层片形成的层叠体称作带黏合剂层片的半导体芯片。
3、近年来，随着半导体封装的小型/薄型化、高容量/多功能化等，半导体芯片的薄型化也有所发展。半导体芯片的薄型化中，由于具有易于发生加工时的半导体晶片破损等加工时不良情况的倾向，因此半导体装置的制造工艺也从现有工艺开始变化。作为抑制半导体芯片的薄型化中的不良情况的工艺，例如已知先切割(db
4、现有技术文献
5、专利文献1：国际公开第2016/189986号
6、专利文献2：日本特开2011-181951号公报
技术实现思路
1、然而，本专利技术人们探讨了在通过dbg工艺获得的多个半导体芯片中应用具有含紫外线固化型压敏胶黏剂的压敏胶黏剂层和黏合剂层的切割-芯片接合一体型膜来制造半导体装置，发现带黏合剂层片的半导体芯片的拾取性有时会降低。
2、因此，本公开提供一种半导体装置的制造方法，其具备使用具有含紫外线固化型压敏胶黏剂的压敏胶黏剂层和黏合剂层的切割-芯片接合一体型膜来制作带黏合剂层片的半导体芯片的工序，其是能够抑制拾取带黏合剂层片的半导体芯片时的不良情况的半导体装置的制造方法。
3、如上所述，半导体装置的制造中，通常将半导体晶片及黏合剂层同时制成单片成多个半导体芯片及多个黏合剂层片来制作带黏合剂层片的半导体芯片。接着，通过对压敏胶黏剂层照射紫外线而降低压敏胶黏剂层对黏合剂层的胶接力，然后将带黏合剂层片的半导体芯片从压敏胶黏剂层上拾取。
4、另一方面，使用通过dbg工艺获得的多个半导体芯片来制造半导体装置时，还另外需要将黏合剂层制成单片的工艺。在黏合剂层的单片化中，多使用激光实施单片化。但是，根据本专利技术人们的研究发现，因在将黏合剂层制成单片时使用激光，激光也会照射至压敏胶黏剂层，在压敏胶黏剂层中，沿着激光切割线在深度方向上产生切痕，压敏胶黏剂层的构成成分飞散。压敏胶黏剂层的构成成分飞散时，压敏胶黏剂层的构成成分附着在黏合剂层的侧面上，即便是对压敏胶黏剂层照射紫外线，胶接力也不会充分地降低，带黏合剂层片的半导体芯片的黏合剂层片与压敏胶黏剂层的边缘部处的剥离强度(以下有时称作“边缘剥离强度”)维持在很高的状态，结果有带黏合剂层片的半导体芯片的拾取性变得不充分的情况。本专利技术人们为了抑制这种现象的发生进行了进一步的研究时发现，通过激光照射将黏合剂层制成单片时，当含紫外线固化型压敏胶黏剂的压敏胶黏剂层已经处于固化状态时，可以抑制压敏胶黏剂层的构成成分飞散，从而完成了本公开的专利技术。
5、本公开提供[1]～[4]的半导体装置的制造方法。
6、[1]一种半导体装置的制造方法，其依次具备以下工序：
7、准备层叠体的工序，所述层叠体具备：依次具有基材层、含紫外线固化型压敏胶黏剂的压敏胶黏剂层及黏合剂层的切割-芯片接合一体型膜；和设置在所述切割-芯片接合一体型膜的所述黏合剂层上且是将半导体晶片制成单片而成的多个半导体芯片；
8、对所述层叠体的所述压敏胶黏剂层照射紫外线，形成包含所述紫外线固化型压敏胶黏剂的固化物的压敏胶黏剂固化物层的工序；以及
9、透过所述多个半导体芯片彼此之间的间隙对所述黏合剂层照射激光而将所述黏合剂层制成单片，从而制作带黏合剂层片的半导体芯片的工序。
10、[2]根据[1]所述的半导体装置的制造方法，其中，所述层叠体是通过包含以下工序的方法制作的：
11、在所述半导体晶片的电路形成面上沿着切割线形成沟槽的工序；
12、将形成有所述沟槽的所述半导体晶片的与所述电路形成面相反侧的背面磨削至至少达到所述沟槽的深度，制作所述多个半导体芯片的工序；以及
13、在所述多个半导体芯片的背面粘贴所述切割-芯片接合一体型膜的所述黏合剂层的工序。
14、[3]根据[1]或[2]所述的半导体装置的制造方法，其中，所述切割-芯片接合一体型膜在温度为25±3℃、湿度为55±5％下利用t字剥离在剥离速度为300mm/分钟的条件下测定的所述压敏胶黏剂层对所述黏合剂层的胶接力为0.50n/25mm以上。
15、[4]根据[3]所述的半导体装置的制造方法，其中，对于所述切割-芯片接合一体型膜，在对所述压敏胶黏剂层照射照度为80mw/cm2及照射量为130mj/cm2的紫外线使所述压敏胶黏剂层固化后，在温度为25±3℃、湿度为55±5％下利用t字剥离在剥离速度为300mm/分钟的条件下测定的所述压敏胶黏剂固化物层对所述黏合剂层的胶接力为0.30n/25mm以下。
16、根据本公开，可提供一种半导体装置的制造方法，其具备使用具有含紫外线固化型压敏胶黏剂的压敏胶黏剂层和黏合剂层的切割-芯片接合一体型膜来制作带黏合剂层片的半导体芯片的工序，其是能够抑制拾取带黏合剂层片的半导体芯片时的不良情况的半导体装置的制造方法。
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1.一种半导体装置的制造方法，其依次具备以下工序：
2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，所述层叠体是通过包含以下工序的方法制作的：
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其中，所述切割-芯片接合一体型膜在温度为25±3℃、湿度为55±5％下利用T字剥离在剥离速度为300mm/分钟的条件下测定的所述压敏胶黏剂层对所述黏合剂层的胶接力为0.50N/25mm以上。
4.根据权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其中，对于所述切割-芯片接合一体型膜，在对所述压敏胶黏剂层照射照度为80mW/cm2及照射量为130mJ/cm2的紫外线使所述压敏胶黏剂层固化后，在温度为25±3℃、湿度为55±5％下利用T字剥离在剥离速度为300mm/分钟的条件下测定的所述压敏胶黏剂固化物层对所述黏合剂层的胶接力为0.30N/25mm以下。
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置的制造方法，其依次具备以下工序：
2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，所述层叠体是通过包含以下工序的方法制作的：
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其中，所述切割-芯片接合一体型膜在温度为25±3℃、湿度为55±5％下利用t字剥离在剥离速度为300mm/分钟的条件下测定的所述压敏胶黏剂层对所述黏合剂层的胶接力为0.5...
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