【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种制造半导体装置的方法、临时固定材料及临时固定材料在半导体装置的制造中的应用。
技术介绍
1、为了电子设备的小型化，有时采用在半导体芯片的电极面上直接设置有用于与基板连接的凸块的晶圆级封装件。此外，为了实现凸块数量的增加及配线的微细化，对具有引出到大于半导体芯片尺寸的区域的配线的扇出晶圆级封装件的需求正在增加。
2、作为形成扇出晶圆级封装件的方法，有芯片先装-面朝下(chip first-facedown)的工艺，其包括在临时固定材料层上配置半导体芯片并在该状态下形成密封半导体芯片的密封层的工序。在形成密封层之后，从密封层及半导体芯片剥离临时固定材料层(例如，专利文献1、2)。
3、以往技术文献
4、专利文献
5、专利文献1：日本特许第3594853号公报
6、专利文献2：日本特开2013-098393号公报
技术实现思路
1、专利技术要解决的技术课题
2、在形成对配置于临时固定材料层上的半导体芯片进行密封的密封层的情况下，当从密封层及半导体芯片剥离临时固定材料层时，形成密封层及半导体芯片露出的面。此时，通过半导体芯片比密封层的表面更高地突出，半导体芯片和密封层有时会形成微小的阶差。关于该阶差，在形成与半导体芯片连接的再配线层时，有可能使由半导体芯片与密封材料的热膨胀系数之差引起的应力奇点产生在阶差的附近。尤其是在再配线层包括微细配线及薄的绝缘层的情况下，有应力奇点引起再配线层中的裂纹或剥离之忧
3、用于解决技术课题的手段
4、本专利技术包括以下事项。
5、[1]
6、一种制造半导体装置的方法，其依次包括如下工序：
7、准备具备支撑体及设置于该支撑体上的临时固定材料层的载体基板；
8、在所述临时固定材料层上配置具有芯片主体部及设置于该芯片主体部的外表面上的电极焊盘的半导体芯片；
9、通过形成密封所述半导体芯片的密封层而在所述载体基板上形成包括所述半导体芯片及所述密封层的密封结构体，所述密封结构体具有与所述临时固定材料层相接的连接面，所述半导体芯片在该连接面上露出，在所述连接面上所述半导体芯片和所述密封层所形成的阶差为5.0μm以下；
10、从所述密封结构体分离所述载体基板；及
11、在所述密封结构体的所述连接面上设置包括与所述电极焊盘连接的多层配线及填埋该配线之间的绝缘层的再配线层。
12、[2]
13、根据[1]所述的方法，其中，
14、所述临时固定材料层的厚度为50μm以下。
15、[3]
16、根据[1]所述的方法，其中，
17、所述临时固定材料层的厚度超过10μm且50μm以下。
18、[4]
19、根据[1]至[3]中任一项所述的方法，其中，
20、所述支撑体的23℃下的拉伸弹性模量为100gpa以上。
21、[5]
22、根据[1]至[4]中任一项所述的方法，其中，
23、所述支撑体为玻璃板、金属板、硅晶圆或陶瓷板。
24、[6]
25、根据[1]所述的方法，其中，
26、所述临时固定材料层的厚度及所述支撑体的23℃下的拉伸弹性模量在所述阶差成为5.0μm以下的范围内选择。
27、[7]
28、根据[6]所述的方法，其中，
29、所述临时固定材料层的厚度在50μm以下的范围内选择。
30、[8]
31、根据[6]所述的方法，其中，
32、所述临时固定材料层的厚度在超过10μm且50μm以下的范围内选择。
33、[9]
34、根据[6]至[8]中任一项所述的方法，其中，
35、所述支撑体的23℃下的拉伸弹性模量在100gpa以上的范围内选择。
36、[10]
37、根据[6]至[9]中任一项所述的方法，其中，
38、所述支撑体选自玻璃板、金属板、硅晶圆及陶瓷板。
39、[11]
40、根据[1]至[10]中任一项所述的方法，其中，
41、所述绝缘层具有介在于所述配线与所述密封结构体之间的中间层，该中间层的厚度的最大值为15μm以下。
42、[12]
43、根据[1]至[11]中任一项所述的方法，其中，
44、所述密封层通过压缩模塑(compression molding)形成，所述压缩模塑包括在模具内对含有固化性树脂及无机填充剂的颗粒状密封材料进行加热及加压的工序。
45、[13]
46、根据[1]至[11]中任一项所述的方法，其中，
47、所述密封层通过包括将含有固化性树脂及无机填充剂的膜状密封材料层叠于所述载体基板上的工序的方法而形成。
48、[14]
49、一种膜状的半导体装置制造用临时固定材料，其具有50μm以下的厚度，并且在[1]至[13]中任一项所述的方法中用作临时固定材料层。
50、[15]
51、一种膜状的半导体装置制造用临时固定材料，其具有超过10μm且50μm以下的厚度，并且在[1]至[13]中任一项所述的方法中用作临时固定材料层。
52、[16]
53、一种膜状的临时固定材料在半导体装置的制造中的应用，所述膜状的临时固定材料具有50μm以下厚度，
54、所述应用中，通过[1]至[13]中任一项所述的方法制造半导体装置。
55、[17]
56、一种膜状的临时固定材料在半导体装置的制造中的应用，所述膜状的临时固定材料具有超过10μm且50μm以下的厚度，
57、所述应用中，通过[1]至[13]中任一项所述的方法制造半导体装置。
58、专利技术效果
59、根据本专利技术的一方面，能够降低再配线层中的应力奇点的产生的可能性，并且有效地制造半导体装置。
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1.一种制造半导体装置的方法，其依次包括如下工序：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，
3.根据权利要求1所述的方法，其中，
4.根据权利要求1所述的方法，其中，
5.根据权利要求1所述的方法，其中，
6.根据权利要求1所述的方法，其中，
7.根据权利要求6所述的方法，其中，
8.根据权利要求6所述的方法，其中，
9.根据权利要求6所述的方法，其中，
10.根据权利要求6所述的方法，其中，
11.根据权利要求1至10中任一项所述的方法，其中，
12.根据权利要求1至10中任一项所述的方法，其中，
13.根据权利要求1至10中任一项所述的方法，其中，
14.一种膜状的半导体装置制造用临时固定材料，其具有50μm以下的厚度，并且在权利要求1所述的方法中用作临时固定材料层。
15.一种膜状的半导体装置制造用临时固定材料，其具有超过10μm且50μm以下的厚度，并且在权利要求1所述的方法中用作临时固定材料层。
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