【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开总体上涉及衬底处理系统，并且更具体地涉及共定位在衬底处理系统上的紧凑型气体分离器设备。
技术介绍
1、这里提供的背景描述是为了总体呈现本公开的背景的目的。在此
技术介绍
部分中描述的范围内的当前指定的专利技术人的工作以及在提交申请时不能确定为现有技术的说明书的各方面既不明确也不暗示地承认是针对本公开的现有技术。
2、衬底处理系统通常包括多个站(也称为处理室或处理模块)，这些站对诸如半导体晶片之类的衬底执行沉积、蚀刻和其他处理。可以在衬底上执行的处理的示例包括化学气相沉积(cvd)处理、化学增强等离子体气相沉积(cepvd)处理、等离子体增强化学气相沉积(pecvd)处理、溅射物理气相沉积(pvd)处理、原子层沉积(ald)和等离子体增强ald(peald)。可以在衬底上执行的处理的附加示例包括但不限于蚀刻(例如，化学蚀刻、等离子体蚀刻、反应离子蚀刻、原子层蚀刻(ale)、等离子体增强ale(peale)等)和清洁处理。
3、在处理期间，衬底被布置在衬底支撑件上，例如站中的基座上。在沉积期间，将包含一种或多种前体的气体混合物引入站中，并且可以任选地激发等离子体以激活化学反应。在蚀刻期间，将包括蚀刻气体的气体混合物引入站中，并且可以可选地激发等离子体以激活化学反应。计算机控制的机器人通常按照衬底要被处理的顺序将衬底从一个站传送到另一站。
4、原子层沉积(ald)是一种薄膜沉积方法，它依次执行气态化学处理，以在材料表面(例如半导体晶片等衬底的表面)沉积薄膜。大多数ald反应至少使用两种称为前体(反
技术实现思路
1、一种气体分离器设备包括第一室、第一和第二珀耳帖设备、第二室以及第三和第四珀耳帖设备。第一室包括用于接收包括第一气体和第二气体的气体混合物的第一入口，以及第一出口。第一和第二珀耳帖设备被安装到所述第一室以将所述第一室冷却到第一温度。第二室连接至所述第一室并包括第二出口。第三和第四珀耳帖设备分别安装到所述第一和第二珀耳帖设备以及所述第二室，以将所述第二室冷却到高于所述第一温度的第二温度。所述第一、第二、第三和第四珀耳帖设备被配置为：将所述第一室内的所述气体混合物中的所述第二气体冷凝，并通过所述第一出口输出所述第一气体。所述第一、第二、第三和第四珀耳帖设备被配置为：将从所述第一室接收到的冷凝的第二气体在所述第二室中转化为所述第二气体，并通过所述第二出口输出所述第二气体。
2、在附加特征中，所述气体分离器设备还包括控制器，所述控制器被配置为向所述第一和第二珀耳帖设备供应第一电压以将所述第一室冷却至所述第一温度，并且向所述第三和第四珀耳帖设备供应第二电压以将所述第二室冷却至所述第二温度。
3、在附加特征中，所述气体分离器设备还包括附接至所述第三和第四珀耳帖设备的冷却组件，以将所述第三和第四珀耳帖设备的相对侧冷却至高于所述第二温度的第三温度。
4、在附加特征中，所述气体分离器设备还包括：选择性地连接所述第一室和第二室的阀；以及控制器，其用于控制所述阀以选择性地将所述冷凝的第二气体从所述第一室传送至所述第二室。
5、在附加特征中，所述气体分离器设备还包括：液位传感器，其用于感测所述第一室中的所述冷凝的第二气体的液位。所述控制器被配置为基于所述液位控制所述阀。
6、在附加特征中，所述第一出口经由质量流量控制器将所述第一气体供应至衬底处理室；以及所述第二出口将所述第二气体供应至减排设备。
7、在附加特征中，所述气体分离器设备位于衬底处理工具中。
8、在附加特征中，所述气体分离器设备还包括：多个阀；以及用于控制所述阀的控制器。所述控制器被配置为控制所述阀以实现以下至少一项：响应错误而关闭所述气体分离器设备；控制所述第一气体从所述第一出口到衬底处理室的流量；将所述第一气体流从第二出口转移至减排设备；清扫所述气体分离器设备；以及防止气体从所述气体分离器设备回流到所述气体分离器设备上游的系统中。
9、在附加特征中，一种系统包括：多个所述气体分离器设备；多个衬底处理室；以及减排设备。所述多个气体分离器设备中的第一气体分离器设备接收气体混合物，将所述第一气体供应至所述衬底处理室中的第一衬底处理室，并将所述第二气体供应至所述减排设备。所述多个气体分离器设备中的第二气体分离器设备接收所述气体混合物，将所述第一气体供应至所述衬底处理室中的第二衬底处理室，并将所述第二气体供应至所述减排设备。
10、在附加特征中，所述多个气体分离器设备中的第三气体分离器设备接收所述气体混合物，并且响应于所述第一气体分离器设备故障，将所述第一气体供应至所述第一衬底处理室，并将所述第二气体供应至所述减排设备。
11、在还有的其他特征中，一种系统包括第一、第二和第三气体分离器设备。第一气体分离器设备被配置成接收包括第一气体和第二气体的气体混合物，分离所述第一气体和第二气体，将所述第一气体供应到第一衬底处理室，并将所述第二气体供应到减排设备。第二气体分离器设备被配置成接收所述气体混合物，分离所述第一气体和第二气体，将所述第一气体供应到第二衬底处理室，以及将所述第二气体供应到所述减排设备。第三气体分离器设备被配置为接收所述气体混合物，分离所述第一气体和第二气体，并响应于所述第一气体分离器设备故障，将所述第一气体供应到所述第一衬底处理室，并将所述第二气体供应到所述减排设备。所述第一、第二和第三气体分离器设备位于包括所述第一和第二衬底处理室的衬底处理工具中。
12、在附加特征中，第一、第二和第三气体分离器设备中的每一个包括第一室、第一和第二珀耳帖设备、第二室以及第三和第四珀耳帖设备。第一室包括用于接收所述气体混合物的第一入口和连接到所述衬底处理室中的相应的一个衬底处理室的第一出口。第一和第二珀耳帖设备安装到所述第一室以将所述第一室冷却到第一温度。第二室连接至所述第一室并包括连接至所述减排设备的第二出口。第三和第四珀耳帖设备分别安装到所述第一和第二珀耳帖设备以及所述第二室，以将所述第二室冷却到高于所述第一温度的第二温度。所述第一、第二、第三和第四珀耳帖设备被配置为：将所述第一室内的所述气体混合物中的所述第二气体冷凝，并通过所述第一出口输出所述第一气体。所述第一、第二、第三和第四珀耳帖设备被配置为：将从所述第一室接收到的所述冷凝的第二气体在所述第二室中转化为所述第二气体，并通过所述第二出口输出所述第二气体。
13、在附加本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种气体分离器设备，其包括：
2.根据权利要求1所述的气体分离器设备，其还包括控制器，所述控制器被配置为向所述第一和第二珀耳帖设备供应第一电压以将所述第一室冷却至所述第一温度，并且向所述第三和第四珀耳帖设备供应第二电压以将所述第二室冷却至所述第二温度。
3.根据权利要求1所述的气体分离器设备，其还包括附接至所述第三和第四珀耳帖设备的冷却组件，以将所述第三和第四珀耳帖设备的相对侧冷却至高于所述第二温度的第三温度。
4.根据权利要求1所述的气体分离器设备，其还包括：
5.根据权利要求4所述的气体分离器设备，其还包括：
6.根据权利要求1所述的气体分离器设备，其中：
7.根据权利要求1所述的气体分离器设备，其中所述气体分离器设备位于衬底处理工具中。
8.根据权利要求1所述的气体分离器设备，其还包括：
9.一种系统，其包括：
10.根据权利要求9所述的系统，其中所述多个气体分离器设备中的第三气体分离器设备接收所述气体混合物，并且响应于所述第一气体分离器设备故障，将所述第一气体供
11.一种系统，其包括：
12.根据权利要求11所述的系统，其中所述第一、第二和第三气体分离器设备中的每一个包括：
13.根据权利要求12所述的系统，其中所述第一、第二和第三气体分离器设备中的每一个还包括控制器，所述控制器被配置为向所述第一和第二珀耳帖设备供应第一电压以将所述第一室冷却到所述第一温度以及向所述第三和第四珀耳帖设备供应第二电压以将所述第二室冷却至所述第二温度。
14.根据权利要求12所述的系统，其中所述第一、第二和第三气体分离器设备中的每一个包括附接至所述第三和第四珀耳帖设备的冷却组件，以将所述第三和第四珀耳帖设备的相对侧冷却至第三温度，所述第三温度高于所述第二温度。
15.根据权利要求12所述的系统，其中所述第一、第二和第三气体分离器设备中的每一个还包括：
16.根据权利要求15所述的系统，其中所述第一、第二和第三气体分离器设备中的每一个还包括：
17.根据权利要求11所述的系统，其中所述第一、第二和第三气体分离器设备中的每一个还包括：
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种气体分离器设备，其包括：
2.根据权利要求1所述的气体分离器设备，其还包括控制器，所述控制器被配置为向所述第一和第二珀耳帖设备供应第一电压以将所述第一室冷却至所述第一温度，并且向所述第三和第四珀耳帖设备供应第二电压以将所述第二室冷却至所述第二温度。
3.根据权利要求1所述的气体分离器设备，其还包括附接至所述第三和第四珀耳帖设备的冷却组件，以将所述第三和第四珀耳帖设备的相对侧冷却至高于所述第二温度的第三温度。
4.根据权利要求1所述的气体分离器设备，其还包括：
5.根据权利要求4所述的气体分离器设备，其还包括：
6.根据权利要求1所述的气体分离器设备，其中：
7.根据权利要求1所述的气体分离器设备，其中所述气体分离器设备位于衬底处理工具中。
8.根据权利要求1所述的气体分离器设备，其还包括：
9.一种系统，其包括：
10.根据权利要求9所述的系统，其中所述多个气体分离器设备中的第三气体分离器设备接收所述气体混合物，并且响应于所述第一气体分离器设备故障，将所述第一气体供应至所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：阿列克谢·V·阿尔特科，安德鲁·波尔斯，郑志荣，
申请(专利权)人：朗姆研究公司，
类型：发明
国别省市：
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