【技术实现步骤摘要】
技术介绍
1、碳化硅(sic)类膜拥有可用于多种应用，尤其是集成电路应用中的物理、化学、电气、和机械性质。硼氮化物(bxny)，硼碳化物(bxcy)、和硼碳氮化物(bxcynz)类薄膜拥有独特的物理、化学、电气、和机械性质，其可在包括集成电路应用在内的多种应用中使用，且于某些案例中甚至可替代sic膜。
2、这里提供的背景描述是为了总体呈现本公开的背景的目的。当前指定的专利技术人的工作在其在此
技术介绍
部分以及在提交申请时不能确定为现有技术的说明书的各方面中描述的范围内既不明确也不暗示地承认是针对本公开的现有技术。
技术实现思路
1、本专利技术提供了一种在衬底上沉积含硼膜的方法。所述方法包含：在反应室中提供衬底；使含硼前体流入所述反应室朝向所述衬底；以及使含碳前体随着所述含硼前体一起流入所述反应室。所述含硼前体具有一或更多个b-h键。所述方法还包括：在远程等离子体源中从氢源气体产生氢自由基，所述氢自由基在所述含硼前体和所述含碳前体的上游产生；以及将所述氢自由基导入所述反应室并且朝...
【技术保护点】
1.一种在衬底上沉积含硼膜的方法，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，还包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其中所述含碳前体为具有至少碳-碳双键或碳-碳三键的烃分子。
4.根据权利要求2所述的方法，其中所述含碳前体包括丙烯、乙烯、丁烯、戊烯、丁二烯、戊二烯、己二烯、庚二烯、甲苯、苯、乙炔、丙炔、丁炔、戊炔、或己炔。
5.根据权利要求1所述的方法，其中所述含硼膜包括硼氮化物、硼碳氮化物或硼碳化物。
6.根据权利要求1所述的方法，其中所述含硼前体包括硼烷。
7.根据权利要求1所述的方法，还
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【技术特征摘要】
1.一种在衬底上沉积含硼膜的方法，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，还包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其中所述含碳前体为具有至少碳-碳双键或碳-碳三键的烃分子。
4.根据权利要求2所述的方法，其中所述含碳前体包括丙烯、乙烯、丁烯、戊烯、丁二烯、戊二烯、己二烯、庚二烯、甲苯、苯、乙炔、丙炔、丁炔、戊炔、或己炔。
5.根据权利要求1所述的方法，其中所述含硼膜包括硼氮化物、硼碳氮化物或硼碳化物。
6.根据权利要求1所述的方法，其中所述含硼前体包括硼烷。
7.根据权利要求1所述的方法，还包括：
8.根据权利要求7所述的方法，其中所述氮自由基由包括氮(n2)或氨(nh3)的源气体产生。
9.根据权利要求7所述的方法，其中，在与所述含硼前体反应之前，所述氮自由基和所述氢自由基流入邻近所述衬底的环境中。
10.根据权利要求9所述的方法，其中在邻近所述衬底的环境中的氢自由基处于基态中，以与所述含硼前体反应。
11.根据权利要求1所述的方法，其中所述衬底包括一或多个凹陷特征，并且所述一或多个特征中的所述含硼膜具有至少95％的保形性。
12.根据权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员：马修·斯科特·韦默，巴德里·N·瓦拉达拉简，
申请(专利权)人：朗姆研究公司，
类型：发明
国别省市：
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