【技术实现步骤摘要】
技术介绍
1、碳化硅(sic)类膜拥有可用于多种应用，尤其是集成电路应用中的物理、化学、电气、和机械性质。硼氮化物(bxny)，硼碳化物(bxcy)、和硼碳氮化物(bxcynz)类薄膜拥有独特的物理、化学、电气、和机械性质，其可在包括集成电路应用在内的多种应用中使用，且于某些案例中甚至可替代sic膜。
2、这里提供的背景描述是为了总体呈现本公开的背景的目的。当前指定的专利技术人的工作在其在此
技术介绍
部分以及在提交申请时不能确定为现有技术的说明书的各方面中描述的范围内既不明确也不暗示地承认是针对本公开的现有技术。
技术实现思路
1、本专利技术提供了一种在衬底上沉积含硼膜的方法。所述方法包含：在反应室中提供衬底；使含硼前体流入所述反应室朝向所述衬底；以及使含碳前体随着所述含硼前体一起流入所述反应室。所述含硼前体具有一或更多个b-h键。所述方法还包括：在远程等离子体源中从氢源气体产生氢自由基，所述氢自由基在所述含硼前体和所述含碳前体的上游产生；以及将所述氢自由基导入所述反应室并且朝向所述衬底，其中所述氢自由基处于基态，以与所述含硼前体和所述含碳前体反应，从而在所述衬底上形成含硼膜。
2、在一些实现方式中，在邻近所述衬底的环境中的所有或基本上所有氢自由基是处于所述基态中的氢自由基。在一些实现方式中，所述含硼前体包括硼烷。所述含硼前体可以包括乙硼烷、三硼烷、四硼烷、五硼烷、六硼烷、或十硼烷。在一些实现方式中，所述含碳前体为具有至少碳-碳双键或三键的烃分子。所述含碳前
3、另一方面涉及一种在衬底上沉积含硼膜的方法。所述方法包含：在反应室中提供衬底；使含硼前体流入所述反应室朝向所述衬底；在远程等离子体源中，由包括氢气和含氮反应物的源气体产生氢自由基和所述含氮反应物的自由基，所述氢自由基和所述含氮反应物的自由基在所述含硼前体的上游产生；以及将所述氢自由基和所述含氮反应物的自由基导入所述反应室并且朝向所述衬底。所述氢自由基处于基态，以与所述含硼前体反应，从而在所述衬底上形成含硼膜。所述含硼前体具有一或更多个b-h键。
4、在一些实现方式中，所述方法还包含：使含碳前体随着所述含硼前体一起流入所述反应室，其中处于所述基态中的所述氢自由基与所述含硼前体和所述含碳前体反应，以形成所述含硼膜。
5、这些和其它实施方案将参考附图在下面进一步进行描述。
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1.一种在衬底上沉积含硼膜的方法，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，还包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其中所述含碳前体为具有至少碳-碳双键或碳-碳三键的烃分子。
4.根据权利要求2所述的方法，其中所述含碳前体包括丙烯、乙烯、丁烯、戊烯、丁二烯、戊二烯、己二烯、庚二烯、甲苯、苯、乙炔、丙炔、丁炔、戊炔、或己炔。
5.根据权利要求1所述的方法，其中所述含硼膜包括硼氮化物、硼碳氮化物或硼碳化物。
6.根据权利要求1所述的方法，其中所述含硼前体包括硼烷。
7.根据权利要求1所述的方法，还包括：
8.根据权利要求7所述的方法，其中所述氮自由基由包括氮(N2)或氨(NH3)的源气体产生。
9.根据权利要求7所述的方法，其中，在与所述含硼前体反应之前，所述氮自由基和所述氢自由基流入邻近所述衬底的环境中。
10.根据权利要求9所述的方法，其中在邻近所述衬底的环境中的氢自由基处于基态中，以与所述含硼前体反应。
11.根据权利要求1所述的方法，其中所述衬底包括一或
12.根据权利要求1所述的方法，其中所述氢自由基通过喷头被引入所述反应室，其中所述含硼前体通过位于所述气体分配器下游的一或多个气体出口流入所述反应室。
13.一种用于在衬底上沉积含硼膜的设备，所述设备包括：
14.根据权利要求13所述的设备，其中所述控制器还配置有执行以下操作的指令：
15.根据权利要求14所述的设备，其中所述含碳前体为具有至少碳-碳双键或碳-碳三键的烃分子。
16.根据权利要求13所述的设备，其中所述处理室的内部包括弛豫区域和所述弛豫区域下游的化学气相沉积区域，其中所述氢自由基在所述弛豫区域进入所述处理室，并且在所述弛豫区域从激发态氢自由基转变成基态氢自由基，并且所述含硼前体在所述化学气相沉积区域流入所述处理室，并在所述化学气相沉积区域与所述基态氢自由基反应。
17.根据权利要求16所述的设备，其中所述一或多个气体出口位于所述化学气相沉积区域和所述弛豫区域之间。
18.根据权利要求13所述的设备，其中所述含硼膜包括硼氮化物、硼碳氮化物或硼碳化物。
19.根据权利要求13所述的设备，其中所述含硼前体包括硼烷。
20.根据权利要求13所述的设备，其中所述控制器还配置有执行以下操作的指令：
...【技术特征摘要】
1.一种在衬底上沉积含硼膜的方法，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，还包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其中所述含碳前体为具有至少碳-碳双键或碳-碳三键的烃分子。
4.根据权利要求2所述的方法，其中所述含碳前体包括丙烯、乙烯、丁烯、戊烯、丁二烯、戊二烯、己二烯、庚二烯、甲苯、苯、乙炔、丙炔、丁炔、戊炔、或己炔。
5.根据权利要求1所述的方法，其中所述含硼膜包括硼氮化物、硼碳氮化物或硼碳化物。
6.根据权利要求1所述的方法，其中所述含硼前体包括硼烷。
7.根据权利要求1所述的方法，还包括：
8.根据权利要求7所述的方法，其中所述氮自由基由包括氮(n2)或氨(nh3)的源气体产生。
9.根据权利要求7所述的方法，其中，在与所述含硼前体反应之前，所述氮自由基和所述氢自由基流入邻近所述衬底的环境中。
10.根据权利要求9所述的方法，其中在邻近所述衬底的环境中的氢自由基处于基态中，以与所述含硼前体反应。
11.根据权利要求1所述的方法，其中所述衬底包括一或多个凹陷特征，并且所述一或多个特征中的所述含硼膜具有至少95％的保形性。
12.根据权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员：马修·斯科特·韦默，巴德里·N·瓦拉达拉简，
申请(专利权)人：朗姆研究公司，
类型：发明
国别省市：
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