多工件处理室以及包括该多工件处理室的工件处理系统技术方案

根据本发明专利技术的多工件处理室包括：室外壳，在该室外壳中形成有至少两个内部处理空间；至少一个分隔构件，该至少一个分隔构件设置在该室外壳中并将该室外壳隔成至少两个内部处理空间；以及各个内部处理空间，该各个内部处理空间与该分隔构件联接并具有对称形状，以均匀地产生处理反应。根据本发明专利技术的多工件处理室具有内部处理空间，所述内部处理空间通过与分隔构件联接而具有对称形状。因而，在整个内部处理区域上均匀地发生处理反应并且可提高工件处理过程的再现性和均匀性。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
与本专利技术相符的设备和方法涉及一种多工件室以及包括该多工件室的工件处理系统，更具体地，涉及一种具有多个内部处理空间的多工件处理室以及包括该多工件处理 室的工件处理系统。
技术介绍
近年来，用于制造液晶显示(LCD)装置、等离子体显示面板(PDP)和半导体装置的 工件处理系统采用集群系统来同时处理多个工件。该集群系统指的是一种多室型工件处理 系统，其包括传送机械手(或装卸器)以及设置在该机械手周围的多个工件处理模块。一 般地，该集群系统包括传送室以及设置为在该传送室内自由旋转的传送机械手。工件处理 室安装在传送室的每一侧上以执行工件的处理。这种集群系统可同时处理多个工件或连续 执行若干处理，从而提高了工件的处理速度。在另一提高工件的每小时处理速度的尝试中， 在多工件处理室中同时处理多个工件。 US专利No.US6077157公开了一种同时处理多个工件的多工件处理室。该多工件 处理室具有这样的构造，即空间被整体形成在所述室中的分隔件分开并且所分开的空间中的每一个均在其内包括工件处理站。因而，两个工件处理站可同时处理工件。然而，所公开 的多工件处理室具有作为单体的壁，并出现这样的问题两个工件处理站和内部空间难以 清洗和维护。 同时，US专利公布No. US2007/0281085公开了一种多工件处理室，该多工件处理 室的内部空间被可分离的分隔构件隔开并且这些隔开的空间通过单一排气通道排气。在被 分隔构件隔开的两个内部处理空间的每一个内存在有单个工件处理站，以便同时处理两个 工件。 所公开的多工件处理室的分隔构件是可分离的并且易于清洗和维护。但是，被分隔构件隔开的处理空间的形状自其中心部是不对称的。也就是说，所述处理空间具有非对称的D形而不是对称的圆形。结果，取决于距该中心部的位置，出现电势的不平衡并且所产生的用于处理工件的等离子体的密度是不均匀的。由于等离子体的此密度随着压力变高而加剧，所以，所公开的多工件处理室不在高压下而在低压下使用，用途受到限制。 此外，所公开的多工件处理室具有垂直于公共排气路径的形状，从而降低了排气的导率。 同时，图1是具有多个内部处理空间的传统多工件处理室800的供气流的示意图。 如图中所示，该传统多工件处理室800包括供应处理气体的供气源810、处理工件的第一内 部处理空间830和第二内部处理空间840、分配由供气源810供应的处理气体并分别向第一 内部处理空间830和第二内部处理空间840供应所分配气体的流速控制器(FRC)820以及 公共排气通道850，处理气体在第一和第二内部处理空间830和840内完成处理反应之后通 过该公共排气通道850排出。这里，FRC820以相同的比率分配由供气源810供应的处理气 体，以分别供应到第一内部处理空间830和第二内部处理空间840。 然而，即使在仅第一和第二内部处理空间830和840之一执行工件处理过程的情 况下，传统的多工件处理室800也允许处理气体供应到多个内部处理空间。 此外，处理气体供应到传统多工件处理室800的内部处理空间的一部分，而等离 子体反应集中在内部处理空间的供应有气体的该部分上。因而，出现这样的问题所产生的 等离子体的密度在整个内部处理空间上是不均匀的。 图2是传统多工件处理室800的公共排气通道850的示意图。如图中所示，该传 统多工件处理室800包括打开/关闭构件860，该打开/关闭构件860设置在公共排气通道 850上以打开和关闭公共排气通道850。这里，打开/关闭构件860可旋转地设置在公共排 气通道850上，并打开和关闭公共排气通道850。 然而，该打开/关闭构件860具有这样的问题当沿旋转轴870旋转时，其打开/ 关闭比率对于每个内部处理空间830和840不同。也就是说，如图中所示，当打开/关闭构 件860旋转时，在第一内部处理空间830的打开面积m与第二内部处理空间的打开面积n 之间出现显著差别。
技术实现思路
技术问题 如上所述，如果通过该打开/关闭构件860而使得多个内部处理空间830与840之间的打开/关闭比率具有显著差别，则在等效时间内也出现气体排放速度与排气压力之间的差别。 技术方案 因此，本专利技术的一方面是提供一种具有处理空间的多工件处理室以及包括该多工 件处理室的工件处理系统，该处理空间被可分离的分隔构件分成对称空间，允许在其中均 匀地(uniformly)产生电势和等离子体，从而提高处理工件的再现性和产量并且在低压和 高压下都可使用。 此外，本专利技术的另一方面是提供一种多工件处理室以及包括该多工件处理室的工 件处理系统，该多工件处理室在所述室与公共排气构造之间具有适当的通道构造，从而提 高排气的导率。 另外，本专利技术的另一方面是提供一种多工件处理室及其气流控制方法，如果多个 内部处理空间中的任一个不处理工件，则该方法控制气体不供应到该未使用的内部处理空 间。 另外，本专利技术的另一方面是分配气体并将该气体供应到内部处理空间的中心部和 圆周部，以便在该内部处理空间内均匀地发生等离子体反应。 另外，本专利技术的另一方面是相对于多个内部处理空间以几乎相等的打开/关闭比 率来打开和关闭设置在公共排气通道中的打开/关闭构件。 将在下文的描述中部分地阐明本专利技术的其它方面和/或优点，并且根据该描述， 所述其它方面和/或优点将部分地变得明显，或者可通过本专利技术的实施而得知。 本专利技术的前述和/或其它方面还通过提供一种多工件处理室来实现，该多工件处 理室包括室外壳，在该室外壳中形成有至少两个内部处理空间；至少一个分隔构件，该至 少一个分隔构件设置在该室外壳中并将该室外壳隔成至少两个内部处理空间；以及各个内部处理空间，该各个内部处理空间与该分隔构件联接并具有对称形状，以均匀地产生处理 反应。 根据本专利技术的另一方面，该室外壳包括具有预定曲率的第一弯曲面，该分隔构件 包括第二弯曲面，该第二弯曲面与第一弯曲面具有相同的曲率，并且该第一弯曲面和第二 弯曲面彼此联接并形成对称圆。 根据本专利技术的另一方面，该室外壳包括彼此联接的多个外壳。 根据本专利技术的另一方面，该室外壳包括中间外壳，该中间外壳具有工件支撑站； 上外壳，该上外壳联接到该中间外壳的上部并形成第一弯曲面；以及下外壳，该下外壳联接 到中间外壳的下部。 本专利技术的前述和/或其它方面还通过提供一种多工件处理系统来实现，该多工件 处理系统包括至少一个多工件处理室，该至少一个多工件处理室具有被分隔构件隔开的 多个内部处理空间；传送室，至少一个多工件处理室布置在该传送室的周边区域中；以及 工件传送单元，该工件传送单元设置在该传送室中并将工件传送到多工件处理室的内部处 理空间。 根据本专利技术的另一方面，该内部处理空间与分隔构件联接并具有对称形状，以产 生均匀的反应。 根据本专利技术的另一方面，该传送室包括多边形形状，并且多工件处理室设置在该 传送室的每一侧。 根据本专利技术的另一方面，该工件传送单元包括主轴，该主轴可旋转地设置；传送 臂，该传送臂联接到该主轴并且可折叠以在备用位置与将工件装载到多工件处理室的传送 位置之间移动；以及末端执行器单元，该末端执行器单元联接到该传送臂的端部并包括多 个末端执行器，在传送位置上，所述末端执行器分别设置在多工件处理室的多个内部处理 空间中。 根据本发本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多工件处理室，包括：室外壳，在所述室外壳中形成有至少两个内部处理空间；至少一个分隔构件，所述至少一个分隔构件设置在所述室外壳中并将所述室外壳隔成至少两个内部处理空间；以及所述各个内部处理空间与所述分隔构件联接并具有对称形状，以均匀地产生处理反应。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：魏淳任，南昌佑，
申请(专利权)人：新动力等离子体株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]