多重电压控制方法及多重电压控制方式的高频电源装置制造方法及图纸

本发明专利技术的多重电压控制方法包括如下步骤：(a)开始对等离子负载供应高频电源；(b)执行持续高频电源的输出而提高该输出的电源冲击动作；(c)检测从所述等离子负载向高频电源侧反射的反射波，判断与所述反射波的量相对应的对应反射波损失量是否大于第一设定值；(d)在满足所述步骤(c)的情况下，将供应于所述高频电源的RF功率放大器的直流电压的VDD大小限制在第一极限；(e)在所述步骤(d)之后，判断所述对应反射波损失量是否小于第二设定值，所述第二设定值小于所述第一设定值；及(f)若满足所述步骤(e)，则再次执行所述步骤(b)的电源冲击动作。

【技术实现步骤摘要】
多重电压控制方法及多重电压控制方式的高频电源装置
本专利技术涉及在点火(Ignition)步骤或者匹配动作开始之后将不稳定匹配现象(mismatchingaspect)最小化并且解决因为反射波而停止工艺或者主要构件受损的问题的用于消除不稳定匹配现象的多重电压控制方法及多重电压控制方式的高频电源装置。
技术介绍
等离子放电用于激发气体，以生成包含离子、自由基、原子和分子的活性气体。活性气体广泛用于各种领域，并且通常用于大屏幕显示器制造工艺或半导体制造工艺等中，例如，在诸如蚀刻(Etching)、CVD(ChemicalVaporDeposition，化学气相沉积)、灰化(Ashing)等的工艺中使用。图1是示例常规的等离子供电系统的框图。参照图1，用于产生等离子的设备大致由供应电力的等离子电源10、用于供应最大电力的阻抗匹配盒20、等离子负载30构成。等离子电源10由高频振荡的RF振荡器(RFGenerator)构成；阻抗匹配盒20匹配等离子电源10的输出端阻抗和等离子负载30(例如，诸如处理腔室，因为工艺种类或者内部环境变化导致阻抗不固本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种多重电压控制方法，包括如下步骤：/n(a)开始对等离子负载供应高频电源；/n(b)执行持续高频电源的输出而提高该输出的电源冲击动作；/n(c)检测从所述等离子负载向高频电源侧反射的反射波，判断与所述反射波的量相对应的对应反射波损失量是否大于第一设定值；/n(d)在满足所述步骤(c)的情况下，将供应于所述高频电源的RF功率放大器的直流电压的VDD大小限制在第一极限；/n(e)在所述步骤(d)之后，判断所述对应反射波损失量是否小于第二设定值，所述第二设定值小于所述第一设定值；及/n(f)若满足所述步骤(e)，则再次执行所述步骤(b)的电源冲击动作。/n

【技术特征摘要】
20191028 KR 10-2019-01343311.一种多重电压控制方法，包括如下步骤：
(a)开始对等离子负载供应高频电源；
(b)执行持续高频电源的输出而提高该输出的电源冲击动作；
(c)检测从所述等离子负载向高频电源侧反射的反射波，判断与所述反射波的量相对应的对应反射波损失量是否大于第一设定值；
(d)在满足所述步骤(c)的情况下，将供应于所述高频电源的RF功率放大器的直流电压的VDD大小限制在第一极限；
(e)在所述步骤(d)之后，判断所述对应反射波损失量是否小于第二设定值，所述第二设定值小于所述第一设定值；及
(f)若满足所述步骤(e)，则再次执行所述步骤(b)的电源冲击动作。


2.根据权利要求1所述的多重电压控制方法，其特征在于，
所述步骤(f)之后，还包括如下的步骤：
(g)将所述VDD的大小限制在第二极限，所述第二极限大于所述第一极限。


3.根据权利要求2所述的多重电压控制方法，其特征在于，
从所述高频电源向所述等离子负载供应的电力通过所述第二极限小于提前定义的设定电力。


4.根据权利要求1至3中的任意一项所述的多重电压控制方法，其特征在于，
所述对应反射波损失量为通过从所述高频电源朝向所述等离子负载的行波对比从所述等离子负载向所述高频电源反射的反射波的比计算。


5.根据权利要求1至3中的任意一项所述的多重电压控制方法，其特征在于，
所述第一设定值为比所述第二设定值大2倍以上的值。


6.根据权利要求5所述的多重电压控制方法，其特征在于，
所述第一设定值具有0.2以上的值，所述第二设定值具有小于0.2的值。


7.一种多重电压控制方式的高频电源装置，对等离子负载供应高频电源的高频电源装置，包括：
高频电力发生装置，生成所述高频电源；
检测模块，设置在所述高频电力发生装置的输出端，并且检测朝向所述等离子负载的行波成分和从所述等离子负载反射的反射波成分；
比较模块，从所述检测模块的检测值比较...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩基训，郑珉珠，
申请(专利权)人：新动力等离子体株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR