用于产生和处理均匀的高密度等离子体片的方法技术

一种产生和处理均匀的高密度等离子体片(24)的方法。该方法包括使用等离子体源(3)在腔室(2)内产生等离子体，并在同一腔室内使用磁场和/或静电场容纳和成形等离子体。等离子体在腔室内以均匀的高密度片传播。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于产生和处理均匀的高密度等离子体片的方法
本专利技术涉及一种用于产生和处理等离子体的方法。更具体地，本专利技术涉及一种使用均匀的高密度等离子体片将材料沉积在基板上的方法。
技术介绍
高密度等离子体被广泛用于工业应用中。例如，这种等离子体可用于表面清洁或制备应用、蚀刻应用、改变表面结构或密度以及薄膜沉积中。用于产生高密度等离子体的宽连续片的当前方法需要具有等离子体腔室的等离子体源以产生工作等离子体(即，远程等离子体源)。这种等离子体源的示例是多环天线装置，其需要许多天线来产生宽的工作等离子体。然而，由于需要将天线调谐到精确的等效功率和频率以获得等离子体均匀性，因此控制由这种多环天线系统产生的等离子体的均匀性是困难的。由于产生多个等离子体，因此多环天线装置还消耗大量功率。
技术实现思路
本专利技术涉及一种产生和处理均匀的高密度等离子体片的方法，该方法包括：使用等离子体源在腔室内产生等离子体；在同一腔室内，使用磁场和/或静电场容纳并限制等离子体，使得等离子体在腔室内以均匀的高密度片传播；且在同一腔室内，使等离子体经过处理表面，使本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种产生和处理均匀的高密度等离子体片的方法，所述方法包括：/n使用位于腔室内的等离子体源产生等离子体；/n在同一腔室内，使用磁场和/或静电场容纳并限制等离子体，使得等离子体在腔室内以均匀的高密度片传播；以及/n在同一腔室内，使等离子体经过处理表面，使得等离子体与处理表面相互作用。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180823 GB 1813730.71.一种产生和处理均匀的高密度等离子体片的方法，所述方法包括：
使用位于腔室内的等离子体源产生等离子体；
在同一腔室内，使用磁场和/或静电场容纳并限制等离子体，使得等离子体在腔室内以均匀的高密度片传播；以及
在同一腔室内，使等离子体经过处理表面，使得等离子体与处理表面相互作用。


2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述等离子体源包括延伸穿过所述腔室的一段天线，所述磁场和/或静电场通过在相对于天线长度的一个正交方向上使等离子体以片状传播，并限制等离子体在相对于天线长度的另一正交方向和天线的纵向轴线的方向上的传播，而容纳并成形所述等离子体。


3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述等离子体片传播成使得其大体平行于所述处理表面。


4.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述磁场和/或静电场具有小于20高斯的磁场强度。


5.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述等离子体源是位于所述腔室内的局...

【专利技术属性】
技术研发人员：M思韦茨，P霍克利，
申请(专利权)人：戴森技术有限公司，
类型：发明
国别省市：英国;GB