【技术实现步骤摘要】
具有连接板的基板处理装置、基板处理方法
描述了涉及基板处理装置和基板处理方法的示例。
技术介绍
通过在多个点处向喷淋板供应高频功率,有时可以使在喷淋板和台架之间供应的气体等离子体化。在以这种方式产生的等离子体中可能会出现偏差或不均匀。也就是说,等离子体密度可能在某些位置更高而在其他位置则更低。
技术实现思路
本文描述的一些示例可以解决上述问题。本文描述的一些示例可以提供可以简单方式控制等离子体密度的分布的装置和方法。在一些示例中,一种基板处理装置包括:环形分配环;多个连接板,其连续到分配环并具有不均匀阻抗;喷淋板,其电连接到多个连接板;以及台架,其设置在喷淋板下方以面对喷淋板。附图说明图1是基板处理装置的剖视透视图;图2是分配环和连接板的透视图;图3是根据另一示例的基板处理装置的剖视图;图4示出了具有线圈的连接板;图5示出了具有线圈的连接板;图6示出了具有线圈的连接板;图7示出了线圈匝数与电感之间的关系;图8示出了用于 ...
【技术保护点】
1.一种基板处理装置,包括:/n环形分配环;/n多个连接板,其连续到分配环并具有不均匀阻抗;/n喷淋板,其电连接到多个连接板;以及/n台架,其设置在喷淋板下方并面对喷淋板。/n
【技术特征摘要】
20191008 US 62/912,6201.一种基板处理装置,包括:
环形分配环;
多个连接板,其连续到分配环并具有不均匀阻抗;
喷淋板,其电连接到多个连接板;以及
台架,其设置在喷淋板下方并面对喷淋板。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其中,所述多个连接板中的至少一个具有线圈,该线圈的一端电连接到分配环且另一端电连接到喷淋板。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置,还包括围绕所述喷淋板和台架的室,所述室设置有贯穿部,以允许基板通过其而被插入或取出,其中,
所述多个连接板包括包含所述线圈的至少一个线圈,所述至少一个线圈远离所述贯穿部放置。
4.根据权利要求2或3所述的基板处理装置,还包括可伸缩阻抗调节器,其配置成使得将磁棒插入到所述线圈中或从中取出。
5.根据权利要求4所述的基板处理装置,其中,所述多个连接板全部具有所述线圈,所述可伸缩阻抗调节器被提供给每个线圈。
6.根据权利要求4所述的基板处理装置,其中,所述可伸缩阻抗调节器具有配置成指示所述磁棒到所述线圈中的插入量的千分尺。
7.根据权利要求4所述的基板处理装置,其中,
所述可伸缩阻抗调节器包括容纳磁棒的一部分的容纳部;以及
紧定螺钉,其插入到容纳部的螺孔中,以将磁棒压紧并固定到容纳部。
8.根据权利要求1所述的基板处理装置,其中,所述多个连接板中的至少一个具有电容元件,该电容元件的一端电连接到所述分配环且另一端电连接到所述喷淋板。
9.根据权利要求8所述的基板处理装置,其中,所述电容元件是陶瓷电容器。
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【专利技术属性】
技术研发人员:辻直人,柳泽一平,霜鸟美萌,五十岚诚,
申请(专利权)人:ASMIP私人控股有限公司,
类型:发明
国别省市:荷兰;NL
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