一种反应腔装置及其工作方法制造方法及图纸

一种反应腔装置及其工作方法，反应腔装置包括：反应腔主体；位于所述反应腔主体内的晶圆承载平台，所述晶圆承载平台的表面适于放置晶圆，所述晶圆承载平台沿着晶圆承载平台的上表面包括若干个间隔的温控区域，各温控区域之间具有热隔离通道。所述反应腔装置能够提高晶圆表面反应的均匀性和对称性。

【技术实现步骤摘要】
一种反应腔装置及其工作方法
本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种反应腔装置及其工作方法。
技术介绍
在半导体制造中，涉及多道工序，每道工序都是由一定的设备和工艺来完成的。其中，等离子体反应常被用于半导体晶圆及其它基片的化学物理沉积、刻蚀以及光刻胶灰化去除等，常用的等离子体源包括ICP、CCP以及微波等产生方式。对于某些光刻胶灰化去除工艺，通常不希望等离子体中的高能离子与光刻胶进行直接作用，而是期望通过等离子体中的化学活性自由基中间体与光刻胶之间产生高温灰化反应，这种反应是一种典型的高温化学反应过程。一般地，光刻胶灰化反应腔体由等离子体产生室和反应处理室组成；为了防止光刻胶灰化去除过程中等离子体中的高能离子对晶圆产生物理轰击损伤（PlasmaInducedDamage），通常在等离子体产生室和反应处理室之间安装一个隔离栅网，隔离栅网为圆盘多孔结构，中性化学活性基团可自由通过，而带电粒子如离子、电子等碰到栅网后被淬灭掉（Quench）。穿过隔离栅网的中性化学活性基团与高温晶圆托盘上的晶圆进行高温化学反应，去除晶圆表面的残余光刻胶。通常本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种反应腔装置，其特征在于，包括：/n反应腔主体；/n位于所述反应腔主体内的晶圆承载平台，所述晶圆承载平台的表面适于放置晶圆，所述晶圆承载平台沿着晶圆承载平台的上表面包括若干个间隔的温控区域，各温控区域之间具有热隔离通道。/n

【技术特征摘要】
1.一种反应腔装置，其特征在于，包括：
反应腔主体；
位于所述反应腔主体内的晶圆承载平台，所述晶圆承载平台的表面适于放置晶圆，所述晶圆承载平台沿着晶圆承载平台的上表面包括若干个间隔的温控区域，各温控区域之间具有热隔离通道。


2.根据权利要求1所述的反应腔装置，其特征在于，还包括：若干个加热单元，所述加热单元适于给所述温控区域进行加热。


3.根据权利要求1所述的反应腔装置，其特征在于，还包括：若干个温度测试单元，所述温度测试单元适于测试所述温控区域的温度。


4.根据权利要求3所述的反应腔装置，其特征在于，所述温度测试单元包括热电偶。


5.根据权利要求1所述的反应腔装置，其特征在于，所述若干个间隔的温控区域包括第一温控区域至第N温控区域，第k+1温控区域环绕第k温控区域，N为大于或等于2的整数，k为大于或等于1且小于或等于N-1的整数。


6.根据权利要求1所述的反应腔装置，其特征在于，所述若干个间隔的温控区域包括第一温控区域至第N温控区域，N为大于或等于3的整数，第二温控区域至第N温控区域整体环绕第一温控区域，第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：邱勇，吴堃，张朋兵，陈世名，
申请(专利权)人：上海谙邦半导体设备有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31