等离子体工艺设备及处理方法、控制装置及存储介质制造方法及图纸

本公开提供等离子体工艺设备及处理方法、控制装置及存储介质，该设备包括：腔体、承载装置、过滤装置、进气装置、等离子体激发装置，过滤装置包括第一离子过滤单元和第二离子过滤单元，进气装置包括与等离子体产生区域连通的辅助气体输入组件和与等离子体间接激发区域连通的反应气体输入组件，等离子体激发装置激发进入等离子体产生区域内的辅助气体以形成等离子体，通过第一离子过滤单元过滤掉等离子体中的离子和电子，利用留下的辅助气体激发态原子激发等离子体间接激发区域内反应气体以形成反应气体激发态原子，通过第二离子过滤单元过滤反应气体激发态原子并使其进入反应区域，降低高能粒子的能量与密度，尽可能降低对晶片衬底的损伤。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及半导体，尤其涉及一种等离子体工艺设备、等离子体处理方法、控制装置、及计算机可读存储介质。

技术介绍

1、在半导体晶片制造工艺中，在许多工艺上，会应用到等离子体。这些工艺可例如为等离子刻蚀、等离子去胶、等离子薄膜沉积等。

2、常用的等离子体源包括电感耦合等离子体（inductively coupled plasma，icp）源和电容耦合等离子体（capacitively coupled plasma，ccp）源。以icp源为例，其由电流通过线圈产生的电磁场激发反应气体产生等离子体，icp源具有等离子体密度高、刻蚀方向性好等特点。以ccp源为例，其由施加到电极板之间的电压激发反应气体产生等离子体，ccp源具有大面积均匀性好、离子能量高等特点。

3、在某些工艺中，工艺制程对等离子损伤有较高的要求，密度过高或高能量的等离子体会对晶片的衬底进行轰击而造成较大的损伤，还会因在衬底上积累过多电荷而造成衬底被击穿等，这是目前需要避免和克服的技术问题。

技术实现思路

1、鉴于以上所述相关技术的本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种等离子体工艺设备，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的等离子体工艺设备，其特征在于，所述第一离子过滤单元包括一个或多个第一过滤板，在每一个第一过滤板上布设有多个第一过滤通孔；所述第二离子过滤单元包括一个或多个第二过滤板，在每一个第二过滤板上布设有多个第二过滤通孔。

3.根据权利要求2所述的等离子体工艺设备，其特征在于，在所述第一离子过滤单元包括多个第一过滤板时，多个第一过滤板之间的第一过滤通孔为交错设置；在所述第二离子过滤单元包括多个第二过滤板时，多个第二过滤板之间的第二过滤通孔为交错设置。

4.根据权利要求2所述的等离子体工艺设备，其...

【技术特征摘要】

1.一种等离子体工艺设备，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的等离子体工艺设备，其特征在于，所述第一离子过滤单元包括一个或多个第一过滤板，在每一个第一过滤板上布设有多个第一过滤通孔；所述第二离子过滤单元包括一个或多个第二过滤板，在每一个第二过滤板上布设有多个第二过滤通孔。

3.根据权利要求2所述的等离子体工艺设备，其特征在于，在所述第一离子过滤单元包括多个第一过滤板时，多个第一过滤板之间的第一过滤通孔为交错设置；在所述第二离子过滤单元包括多个第二过滤板时，多个第二过滤板之间的第二过滤通孔为交错设置。

4.根据权利要求2所述的等离子体工艺设备，其特征在于，所述第一过滤板上配置有第一过滤通孔调整机构，用于调整所述第一过滤板上第一过滤通孔的孔径大小或者调整所述第一过滤板上各个第一过滤通孔的布设密度；和/或，所述第二过滤板上配置有第二过滤通孔调整机构，用于调整所述第二过滤板上第二过滤通孔的孔径大小或者调整所述第二过滤板上各个第二过滤通孔的布设密度。

5.根据权利要求2所述的等离子体工艺设备，其特征在于，所述第一过滤通孔调整机构采用设于第一过滤通孔外部、能部分或全部遮盖第一过滤通孔的活动挡片、旋转挡片、以及滑动挡片中的任一者，或者，采用...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈康，梁洁，王兆祥，涂乐义，桂智谦，
申请(专利权)人：上海谙邦半导体设备有限公司，
类型：发明
国别省市：