蚀刻装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及一种蚀刻装置，包括：壳体，壳体包括蚀刻腔和工具腔，蚀刻腔包括相对的底壁和顶壁，以及连接顶壁和底壁的侧壁；工具腔与蚀刻腔通过侧壁隔开；上电极，设于顶壁；下电极，设于底壁，并用于放置晶圆；活动门，设于侧壁，并用于连通蚀刻腔和工具腔；以及电离组件，容置于工具腔，并用于通过活动门伸入蚀刻腔，并电离晶圆周围的气体。通过设置电离组件和活动门，晶圆放电制程后，电离组件通过活动门伸入蚀刻腔，电离晶圆周围的气体，使得晶圆周围的气体被电离形成正负离子，中和晶圆表面的残余电荷，使得晶圆放电完全，能避免晶圆移位、掉落甚至破损。

【技术实现步骤摘要】
蚀刻装置
本技术涉及半导体制程
，尤其涉及一种蚀刻装置。
技术介绍
干法蚀刻是半导体制程中常见的工艺。干法刻蚀是将特定的刻蚀气体通入反应腔室中，通过射频电场产生等离子体对晶圆进行刻蚀的一种工艺。目前的蚀刻机台通常通过静电吸附方式将晶圆吸附在静电卡盘(Electro-StaticChuck，ESC)上，在晶圆跑完放电(discharge)制程后，依旧放电不完全，静电的电磁力会导致晶圆移位、掉落甚至破损。因此，如何让晶圆放电完全，避免晶圆移位、掉落甚至破损是亟需解决的问题。
技术实现思路
鉴于上述现有技术的不足，本申请的目的在于提供一种蚀刻装置，旨在解决如何让晶圆放电完全，避免晶圆移位、掉落甚至破损的问题。一种蚀刻装置，包括：壳体，所述壳体包括蚀刻腔和工具腔，所述蚀刻腔包括相对的底壁和顶壁，以及连接所述顶壁和所述底壁的侧壁；所述工具腔与所述蚀刻腔通过所述侧壁隔开；上电极，设于所述顶壁；下电极，设于所述底壁，并用于放置晶圆；活动门，设于所述侧壁，并用于连通所述蚀刻腔和所述工本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种蚀刻装置，其特征在于，包括：/n壳体，所述壳体包括蚀刻腔和工具腔，所述蚀刻腔包括相对的底壁和顶壁，以及连接所述顶壁和所述底壁的侧壁；所述工具腔与所述蚀刻腔通过所述侧壁隔开；/n上电极，设于所述顶壁；/n下电极，设于所述底壁，并用于放置晶圆；/n活动门，设于所述侧壁，并用于连通所述蚀刻腔和所述工具腔；以及/n电离组件，容置于所述工具腔，并用于通过所述活动门伸入所述蚀刻腔，并电离所述晶圆周围的气体。/n

【技术特征摘要】
1.一种蚀刻装置，其特征在于，包括：
壳体，所述壳体包括蚀刻腔和工具腔，所述蚀刻腔包括相对的底壁和顶壁，以及连接所述顶壁和所述底壁的侧壁；所述工具腔与所述蚀刻腔通过所述侧壁隔开；
上电极，设于所述顶壁；
下电极，设于所述底壁，并用于放置晶圆；
活动门，设于所述侧壁，并用于连通所述蚀刻腔和所述工具腔；以及
电离组件，容置于所述工具腔，并用于通过所述活动门伸入所述蚀刻腔，并电离所述晶圆周围的气体。


2.如权利要求1所述的蚀刻装置，其特征在于，所述电离组件包括第一驱动件、伸缩杆、第一探针和第二探针，所述伸缩杆与所述第一驱动件连接，所述第一探针和所述第二探针间隔设置，且两者的一端连接至所述伸缩杆；所述第一驱动件驱动所述伸缩杆移动，以使所述伸缩杆带动所述第一探针和所述第二探针自所述工具腔伸入所述蚀刻腔。


3.如权利要求2所述的蚀刻装置，其特征在于，所述蚀刻装置还包括电源，所述电源设于所述壳体外或容置于所述工具腔，所述电源的正极与所述第一探针电连接，所述电源的负极与所述第二探针电连接。


4.如权利要求3所述的蚀刻装置，其特征在于，所述电源包括控制电源和高压电源，所述控制电源与所述高压电源电连接，所述第一探针与所述高压电源的正极电连接，所述第二探针与所述高压电源的负极电连接。


5.如权利要求3所述的蚀刻装置，其特征在于，所述电离组件还包括连接块，所述连接块的一端与所述伸缩杆连接，...

【专利技术属性】
技术研发人员：林帅，苏财钰，张涛，张彬彬，苟先华，
申请(专利权)人：重庆康佳光电技术研究院有限公司，
类型：新型
国别省市：重庆;50