一种高场非对称波形离子迁移谱仪制造技术

一种高场非对称波形离子迁移谱仪，该离子迁移谱仪包括离子源、迁移区和检测区；其中迁移区内包括由两个上下电极构成的电极对，其中一个电极为栅型平板电极，另一个为金属平板电极。在此电极对上施加非对称波形电压，会在迁移区内产生空间不均匀分布的非对称波形电场。在这种电场下，特定离子在迁移区内产生向迁移区中心面的运动趋势，即产生迁移区内的离子聚焦。迁移区内的离子聚焦使得离子在迁移区内的扩散损失降低，从而提高了离子在迁移区内的通过效率。这种离子迁移谱仪能提高仪器的灵敏度，在相同的条件下，本实用新型专利技术的离子迁移谱仪测得的信号强度与现有平板型非对称波形离子迁移谱仪的信号强度相比有显著提高。

【技术实现步骤摘要】
一种高场非对称波形离子迁移谱仪
本技术涉及一种高场非对称波形离子迁移谱仪，特别属于一种平板型高场非对称波形离子迁移谱仪，属于生化物质在线检测技术及设备

技术介绍
高场非对称波形离子迁移谱仪是二十世纪九十年代逐步发展起来的一种生化物质在线检测技术，其基本原理为离子迁移率在低电场情况下与电场强度无关，当电场强度大于10000V/cm，离子的迁移率将随电场强度发生非线性变化。离子在高场下的迁移率与电场强度的关系可用如下式子表示：K＝K0[1+α1(E/N)2+α2(E/N)4+…]，式中，K为离子在高电场下的迁移率，K0为离子在低电场下的迁移率，E为电场强度，N为气体分子密度，α1、α2为离子迁移率分解系数；令：α(E)＝[α1(E/N)2+α2(E/N)4+…]，则离子在高场下的迁移率与电场强度的关系式可变为K＝K0[1+α(E)]，根据离子迁移率随电场强度变化的不同规律，可分为A，B，C三种类型的离子。当α(E/N)＞0时，K＞K0，属于A类型的离子，K随电场强度E的增大而增大；当α(E/N)＜0时，K＜K0，属于C类型本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高场非对称波形离子迁移谱仪，包括离子源(2)、迁移区(3)、检测区(9)、射频电源(6)、叠加电路(7)、补偿电压(8)、微弱电流检测电路(12)和直流源(13)；所述迁移区包括由上电极(4)和下电极(5)构成的平板电极对；所述检测区(9)含有法拉第筒敏感极(10)和法拉第筒偏转极(11)，其特征在于：所述的上电极为栅型平板电极(14)，下电极(5)为金属平板电极；或者上电极(4)为金属平板电极，下电极为栅型平板电极(14)。/n

【技术特征摘要】
1.一种高场非对称波形离子迁移谱仪，包括离子源(2)、迁移区(3)、检测区(9)、射频电源(6)、叠加电路(7)、补偿电压(8)、微弱电流检测电路(12)和直流源(13)；所述迁移区包括由上电极(4)和下电极(5)构成的平板电极对；所述检测区(9)含有法拉第筒敏感极(10)和法拉第筒偏转极(11)，其特征在于：所述的上电极为栅型平板电极(14)，下电极(5)为金属平板电极；或者上电极(4...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐飞，曾悦，王晓浩，
申请(专利权)人：清华大学，
类型：新型
国别省市：北京;11