利用多频电源的工艺处理设备制造技术

本发明专利技术提供一种利用多频电源的等离子体处理装置。所述等离子体处理装置包括：工艺腔室，包括彼此相向的第一电极及第二电极；第一等离子体生成单元，包括与所述工艺腔室流体连接的第一反应器、第一绕组及第二绕组；第一交流电源；以及第二交流电源，具有与所述第一交流电源不同的电源频率，所述第一交流电源选择性地与所述第一绕组或第一电极电连接，所述第二交流电源选择性地与所述第二绕组或第二电极电连接。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及利用多频电源的工艺处理设备及等离子体处理装置。

技术介绍

1、等离子体是指充分具有高密度电荷的高能状态的非中性物质。若对中性气体施加电刺激或微波，则生成离子化的气体分子和自由电子。而且，在电场等条件下，可使得电子与离子持续碰撞来达到等离子体状态或维持等离子体的电特性。

2、等离子体广泛应用于包括蚀刻(etching)、沉积(deposition)、清洗(washing)、灰化(ashing)工艺等半导体工艺或腔室清洗工艺等在内的多种工业领域。最近，随着晶圆等待处理基板不断变大，需要一种能够提高等离子体离子能量的控制能力、具备大面积的处理能力、能够有效进行废气等工艺副产物后处理的等离子体生成器及包括其的工艺处理装置(或设备)，尤其，需要涉及等离子体工艺的工艺处理装置。

技术实现思路

1、技术问题

2、另一方面，在利用等离子体的蒸镀工艺等结束以后，去除腔室内部异物等为非常重要的因素。为此，本专利技术的目的在于，提供能够提高等离子体工艺的控制能力及生产率并对工艺处理装置的腔室内本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，还包括：

4.根据权利要求3所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述第三绕组及第四绕组实现物理分隔并各自接地。

5.根据权利要求3所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述第一交流电源的第一电源频率大于第二交流电源的第二电源频率及第三交流电源的第三电源频率。

6.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，

7.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，还包括：

4.根据权利要求3所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述第三绕组及第四绕组实现物理分隔并各自接地。

5.根据权利要求3所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述第一交流电源的第一电源频率大于第二交流电源的第二电源频率及第三交流电源的第三电源频率。

6.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，

7.根据权利要求1所...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔大圭，崔丈圭，
申请(专利权)人：新动力等离子体株式会社，
类型：发明
国别省市：