全自动大型平板式ＰＥＣＶＤ晶硅光伏减反射覆膜制备设备制造技术

本发明专利技术涉及薄膜制备装置，尤其是涉及一种单腔室在真空条件下工作的全自动大型平板式ＰＥＣＶＤ晶硅光伏减反射覆膜设备，解决现有技术中管式结构的ＰＥＣＶＤ设备存在的单次生产时间过长、产量低的问题，以及多腔室平板式ＰＥＣＶＤ设备存在的需要在真空条件下进行工作等问题。该设备主要设有装载台、预热台、ＰＥＣＶＤ室、冷却台、卸载台及真空抽气系统，装载台、预热台、ＰＥＣＶＤ室、冷却台和卸载台依次设置于台架上，预热台、冷却台分别连接保护气体管路，ＰＥＣＶＤ室通过管路连接真空抽气系统。本发明专利技术只给ＰＥＣＶＤ室提供了真空环境，其余部分都在大气或是保护气体下进行工作。本发明专利技术在只有单腔室在真空条件下工作的情况下，同样能达到管式ＰＥＣＶＤ和多腔室平板式ＰＥＣＶＤ的技术指标。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及薄膜制备装置，尤其是涉及一种单腔室在真空条件下工作的全自 动大型平板式PECVD(等离子体增强化学气相沉积，Plasma Enhanced ChemicalVapor D印osition)晶硅光伏减反射覆膜设备。
技术介绍
目前，在光伏晶硅表面制备减反射薄膜主要采用等离子体增强化学气相沉积方法 (即PECVD方法)。因为等离子体增强化学气相沉积方法(PECVD)是制备薄膜材料的几种 方法中技术最为成熟、操作较为简单的一种，并且可以制备均匀性高的大面积薄膜。现阶段 在光伏领域使用制备减反射薄膜的设备有两种，一种为管式结构的PECVD设备，这种结构 的设备单次生产时间过长，导致产量很低；另一种为多腔室平板式PECVD设备，设备每个腔 室都需要在真空条件下进行工作。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种单腔室在真空条件下工作的全自动大型平板式PECVD 晶硅光伏减反射覆膜设备，解决现有技术中管式结构的PECVD设备存在的单次生产时间过 长、产量低的问题，以及多腔室平板式PECVD设备存在的需要在真空条件下进行工作等问 题。 本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是 —本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种全自动大型平板式ＰＥＣＶＤ晶硅光伏减反射覆膜制备设备，其特征在于：该设备主要设有装载台、预热台、ＰＥＣＶＤ室、冷却台、卸载台及真空抽气系统，装载台、预热台、ＰＥＣＶＤ室、冷却台和卸载台依次设置于台架上，预热台、冷却台分别连接保护气体管路，ＰＥＣＶＤ室通过管路连接真空抽气系统。

【技术特征摘要】
一种全自动大型平板式PECVD晶硅光伏减反射覆膜制备设备，其特征在于该设备主要设有装载台、预热台、PECVD室、冷却台、卸载台及真空抽气系统，装载台、预热台、PECVD室、冷却台和卸载台依次设置于台架上，预热台、冷却...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵科新，奚建平，赵崇凌，张冬，洪克超，段鑫阳，张健，徐宝利，李士军，高振国，崔秀伟，
申请(专利权)人：中国科学院沈阳科学仪器研制中心有限公司，
类型：发明
国别省市：89[中国|沈阳]