全自动大型平板式PECVD晶硅光伏减反射覆膜制备设备制造技术

本实用新型专利技术涉及薄膜制备装置，尤其是涉及一种单腔室在真空条件下工作的全自动大型平板式ＰＥＣＶＤ晶硅光伏减反射覆膜设备，解决现有技术中管式结构的ＰＥＣＶＤ设备存在的单次生产时间过长、产量低的问题，以及多腔室平板式ＰＥＣＶＤ设备存在的需要在真空条件下进行工作等问题。该设备主要设有装载台、预热台、ＰＥＣＶＤ室、冷却台、卸载台及真空抽气系统，装载台、预热台、ＰＥＣＶＤ室、冷却台和卸载台依次设置于台架上，预热台、冷却台分别连接保护气体管路，ＰＥＣＶＤ室通过管路连接真空抽气系统。本实用新型专利技术只给ＰＥＣＶＤ室提供了真空环境，其余部分都在大气或是保护气体下进行工作。本实用新型专利技术在只有单腔室在真空条件下工作的情况下，同样能达到管式ＰＥＣＶＤ和多腔室平板式ＰＥＣＶＤ的技术指标。（*该技术在2018年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及薄膜制备装置，尤其是涉及一种单腔室在真空条件下工作的 全自动大型平板式PECVD (等离子体增强化学气相沉积，Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)晶硅光伏减反射覆膜设备。
技术介绍
目前，在光伏晶硅表面制备减反射薄膜主要采用等离子体增强化学气相沉积 方法(即PECVD方法)。因为等离子体增强化学气相沉积方法(PECVD)是制 备薄膜材料的几种方法中技术最为成熟、操作较为简单的一种，并且可以制备均 匀性高的大面积薄膜。现阶段在光伏领i或使用制备减反射薄膜的设备有两种，一 种为管式结构的PECVD设备，这种结构的设备单次生产时间过长，导致产量很 低；另一种为多腔室平板式PECVD设备，设备每个腔室都需要在真空条件下进 行工作。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种单腔室在真空条件下工作的全自动大型平板 式PECVD晶硅光伏减反射覆膜设备，解决现有技术中管式结构的PECVD设备 存在的单次生产时间过长、产量低的问题，以及多腔室平板式PECVD设备存在 的需要在真空条件下进行工作等问题。本技术解决其技术问题所采用的技术方案是一种全自动大型平板式PECVD晶硅光伏减反射覆膜制备设备，该设备主要 设有装载台、预热台、PECVD室、7令却台、卸载台及真空抽气系统，装载台、 预热台、PECVD室、冷却台和卸载台依次设置于台架上，预热台、冷却台分别 连接保护气体管路，PECVD室通过管路连接真空抽气系统。所述的覆膜制备设备，装载台、预热台、PECVD室、冷却台和卸载台分别 与各自的台架通过螺栓连接，各自的台架之间通过螺栓连接。本技术的有益效果是本技术采用单腔室在真空条件下工作的全自动大型平板式PECVD晶硅 光伏减反射覆膜设备，在只有单腔室在真空条件下工作的情况下，同样能达到管式PECVD和多腔室平板式PECVD的技术指标，具体如下(1) 可全自动或手动实现光伏电池片氮化硅(SiNx)薄膜制备，全程用工 业微机实现自动控制；(2) 更优的性能价格比；(3) 双机产能25MW/年(1500片/每小时)；(4) 膜厚均匀性片内(125mmX 125mm) ^3%,片间^±4%，批间^5%;(5) 折射率范围2.0 2.1批次的一致性±5%;(6) 具有完善的报警功能及安全互锁装置；(7) 电极易于维护和清理；(8) J^J3穀，150 400。C连续可调。附图说明图1是本技术的结构示意图。图中，1、装载台；2、预热台；3、 PECVD 室；4、冷却台；5、卸载台；6、真空抽气系统；7承载板。具体实施方式以下结合附图对本技术的结构和原理作进一步详细说明。如图1所示，本技术采用单腔室在真空条件下工作的全自动大型平板式PECVD晶硅光伏减反射覆膜设备，主要包括装载台l、预热台2、 PECVD室3、 冷却台4、卸载台5及真空抽气系统6等。其中，装载台l、预热台2、 PECVD 室3、冷却台4和卸载台5依次设置于台架上，装载台l、预热台2、 PECVD室 3、冷却台4和卸载台5分别与各自的台架通过螺栓连接，各自的台架之间通过螺 髓接。预热台2、冷却台4分别连接保护气体管路，PECVD室3通过管路连接 真空抽气系统6。本技术的安装及工作过程如下在图1中，把装载台1、预热台2、 PECVD室3、冷却台4和卸载台5分别 按照位置用螺栓固定在台架上，各台架之间用螺雖接在一起，再把真空抽气系 统6用管路与PECVD室3连接起来，连接预热台2和冷却台4的^J户气体管路 及PECVD室3的工艺气体管路。工作流程首先把晶硅光伏片摆放在装载台1 的承载板7上，然后由自动传输系统把承载板7传送到预热台2进行预加热，预热台1不需要真空条件，只采用保护气体(如氮气、氩气等)。当承载板7预热到50(TC后，再由自动传输系统JEf〈载板7传送到PECVD室3进行覆膜，PECVD 室3由进气装置和加热装置及壳体三大部分组成，覆膜工艺要求在真空条件下进 行，所以配备了真空抽气系统6。当覆膜完成后，由自动传输系统把承载板7传 送到冷却台4进行降温，冷却台4同样也不需要真空条件，只采用保护气体(如 氮气、氩气等)。承载板7经过降温后，由自动传输系统传送至啣载台5进行卸载 晶硅光伏片。本装置只给PECVD ± 3提供了真空环境，其余部分都在大气或是 保护气体下进行工作。权利要求1、一种全自动大型平板式PECVD晶硅光伏减反射覆膜制备设备，其特征在于该设备主要设有装载台、预热台、PECVD室、冷却台、卸载台及真空抽气系统，装载台、预热台、PECVD室、冷却台和卸载台依次设置于台架上，预热台、冷却台分别连接保护气体管路，PECVD室通过管路连接真空抽气系统。2、 根据权利要求1所述的覆膜制备设备，其特征在于装载台、预热台、 PECVD室、冷却台和卸载台分别与各自的台架通过螺栓连接，各自的台架之间 通过螺腿妾。专利摘要本技术涉及薄膜制备装置，尤其是涉及一种单腔室在真空条件下工作的全自动大型平板式PECVD晶硅光伏减反射覆膜设备，解决现有技术中管式结构的PECVD设备存在的单次生产时间过长、产量低的问题，以及多腔室平板式PECVD设备存在的需要在真空条件下进行工作等问题。该设备主要设有装载台、预热台、PECVD室、冷却台、卸载台及真空抽气系统，装载台、预热台、PECVD室、冷却台和卸载台依次设置于台架上，预热台、冷却台分别连接保护气体管路，PECVD室通过管路连接真空抽气系统。本技术只给PECVD室提供了真空环境，其余部分都在大气或是保护气体下进行工作。本技术在只有单腔室在真空条件下工作的情况下，同样能达到管式PECVD和多腔室平板式PECVD的技术指标。文档编号C23C16/50GK201309965SQ20082023179公开日2009年9月16日 申请日期2008年12月17日 优先权日2008年12月17日专利技术者奚建平, 崔秀伟, 健 张, 冬 张, 徐宝利, 李士军, 段鑫阳, 洪克超, 赵崇凌, 赵科新, 高振国 申请人:中国科学院沈阳科学仪器研制中心有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种全自动大型平板式ＰＥＣＶＤ晶硅光伏减反射覆膜制备设备，其特征在于：该设备主要设有装载台、预热台、ＰＥＣＶＤ室、冷却台、卸载台及真空抽气系统，装载台、预热台、ＰＥＣＶＤ室、冷却台和卸载台依次设置于台架上，预热台、冷却台分别连接保护气体管路，ＰＥＣＶＤ室通过管路连接真空抽气系统。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：赵科新，奚建平，赵崇凌，张冬，洪克超，段鑫阳，张健，徐宝利，李士军，高振国，崔秀伟，
申请(专利权)人：中国科学院沈阳科学仪器研制中心有限公司，
类型：实用新型
国别省市：89[中国|沈阳]