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本发明涉及薄膜制备装置，尤其是涉及一种单腔室在真空条件下工作的全自动大型平板式ＰＥＣＶＤ晶硅光伏减反射覆膜设备，解决现有技术中管式结构的ＰＥＣＶＤ设备存在的单次生产时间过长、产量低的问题，以及多腔室平板式ＰＥＣＶＤ设备存在的需要在真空条件下...
该专利属于中国科学院沈阳科学仪器研制中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院沈阳科学仪器研制中心有限公司授权不得商用。

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