半导体器件中互连线形成方法技术

一种半导体器件中互连线形成方法，包括：在基底上形成具有互连线结构的介质层及覆盖所述互连线结构的底壁和侧壁的晶种层；采用第一电流形成覆盖所述晶种层的底电镀分层；形成覆盖所述底电镀分层并填充所述互连线结构的顶电镀分层；形成所述顶电镀分层的步骤包括：采用过渡电流形成覆盖所述底电镀分层的过渡电镀分层，所述过渡电流介于所述第一电流和第二电流之间，所述第二电流使形成后续电镀分层顶层的速率高于采用所述第一电流形成所述底电镀分层的速率；采用所述第二电流形成覆盖所述过渡电镀分层的电镀分层顶层。可减少电镀过程中孔洞的产生。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造
，特别涉及一种。
技术介绍
半导体制程中，通常通过金属连接线(本文件内，简称为互连线)实现器件与外部 电路间的电连接。形成所述互连线的步骤包括如图1所示，在基底10上形成具有互连线 结构22的介质层20及覆盖所述互连线结构22的底壁和侧壁的晶种层(图未示)；如图2 所示，在所述晶种层上形成填充所述互连线结构22的电镀层30。 形成所述电镀层30的基本原理在于将载有所述晶种层的基底沉浸在电镀溶液 中，所述基底和晶种层作为带负电荷的平板或阴极电连接到外电源。固体金属块沉浸在所 述电镀溶液中并构成带正电荷的阳极。电镀过程中，溶液中的金属离子在晶种层表面被还 原成金属原子，同时在阳极发生氧化反应，以平衡阴极电流。 通常，利用传统工艺形成所述电镀层的步骤包括如图3所示，采用第一电流形成 覆盖所述晶种层的底电镀分层32 ;如图4所示，采用第二电流形成覆盖所述底电镀分层的 顶电镀分层34，所述第二电流使形成所述顶电镀分层34的速率高于采用第一电流形成所 述底电镀分层32的速率。 实践中，尚需再对形成的电镀层执行研磨操作，方可执行后续形成金属互连的操 作。然而，实际本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件中互连线形成方法，包括，在基底上形成具有互连线结构的介质层及覆盖所述互连线结构的底壁和侧壁的晶种层；采用第一电流形成覆盖所述晶种层的底电镀分层；形成覆盖所述底电镀分层并填充所述互连线结构的顶电镀分层；其特征在于，形成所述顶电镀分层的步骤包括：采用过渡电流形成覆盖所述底电镀分层的过渡电镀分层，所述过渡电流介于所述第一电流和第二电流之间，所述第二电流使形成后续电镀分层顶层的速率高于采用所述第一电流形成所述底电镀分层的速率；采用所述第二电流形成覆盖所述过渡电镀分层的电镀分层顶层。

【技术特征摘要】
一种半导体器件中互连线形成方法，包括，在基底上形成具有互连线结构的介质层及覆盖所述互连线结构的底壁和侧壁的晶种层；采用第一电流形成覆盖所述晶种层的底电镀分层；形成覆盖所述底电镀分层并填充所述互连线结构的顶电镀分层；其特征在于，形成所述顶电镀分层的步骤包括采用过渡电流形成覆盖所述底电镀分层的过渡电镀分层，所述过渡电流介于所述第一电流和第二电流之间，所述第二电流使形成后续电镀分层顶层的速率高于采用所述第一电流形成所述底电镀分层的速率；采用所述第二电流形成覆盖所述过渡电镀分层的电镀分层顶层。2. 根据权利要求1所述的半导体器件中互连线形成方法，其特征在于所述第二电流 至少为所述第一电流的5倍。3. 根据权利要求1所述的半导体器件中互连线形成方法，其特征在于在形成所述底 电镀分层之前，还包括，采用缓冲电流形成缓冲电镀分层，所述缓冲电镀分...

【专利技术属性】
技术研发人员：聂佳相，康芸，杨瑞鹏，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]