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一种半导体器件中互连线形成方法，包括：在基底上形成具有互连线结构的介质层及覆盖所述互连线结构的底壁和侧壁的晶种层；采用第一电流形成覆盖所述晶种层的底电镀分层；形成覆盖所述底电镀分层并填充所述互连线结构的顶电镀分层；形成所述顶电镀分层的步骤包...
该专利属于中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。

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