半导体发光器件及具有该半导体发光器件的发光器件封装制造技术

本发明专利技术提供一种半导体发光器件以及具有该半导体发光器件的发光器件封装。所述半导体发光器件包括：发光结构、第一电极单元和第二电极层。所述发光结构包括在外边缘处具有圆化侧表面的多个化合物半导体层。第一电极单元设置在所述发光结构上。第二电极层设置在所述发光结构下方。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体发光器件及其制造方法。
技术介绍
由于III-V族氮化物半导体的物理和化学特性，因而它们被认为是用于发光器件 例如发光二极管(LED)和激光二极管(LD)的芯材料。III-V族氮化物半导体的一个实例是 具有组成式为InxAlyGai—x—yN(0《x《l，0《y《l，0《x+y《1)的氮化物半导体。 LED是一种用作光源或者利用化合物半导体特性将电转化为光或紫外(UV)线以 交换信号的半导体器件。 基于氮化物半导体的LED或LD广泛用于发光器件，并且作为光源应用于各种产 品，例如移动电话的键盘发光单元、电光板和照明器件。
技术实现思路
本专利技术实施方案提供圆柱形半导体发光器件或具有圆化边缘的半导体发光器件 以及具有该半导体发光器件的发光器件封装。 本专利技术实施方案提供圆柱形半导体发光器件或具有至少一个圆化边缘的柱型半 导体发光器件以及具有该半导体发光器件的发光器件封装。 本专利技术实施方案提供通过圆柱形发光结构能够改善远场光束分布的半导体发光 器件以及具有该半导体发光器件的发光器件封装。 —个实施方案提供一种半导体发光器件，包括包括在外缘处具有圆化侧表面的 多个化合物半导体层的发光结构；在所述发光结构上的第一电极单元；和在所述发光结构 下方的第二电极层。 —个实施方案提供一种半导体发光器件，包括具有多个化合物半导体层的圆柱 形发光结构；在所述发光结构下方的多边形第二电极层；在所述发光结构上的第一电极 垫；和沿着所述发光结构的上边缘设置并且电连接至所述第一电极垫的环型图案。 —个实施方案提供一种发光器件封装，包括圆柱形发光器件，其包括具有第一导 电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层的多个化合物半导体层；在所述第二导电型 半导体层下方的非球形第二电极层；和在所述第一导电型半导体层上的第一电极单元；在 顶部具有开口空腔的体单元；和设置在所述体单元的空腔中并且电连接至所述第一电极单 元和所述第二电极层的多个引线电极。 在附图和以下的详细描述中详细说明一个或多个实施方案。其它特征通过描述和4附图以及权利要求而变得显而易见。 附图说明 图1是根据实施方案1的半导体发光器件的侧视截面图。 图2是图1的半导体发光器件的立体图。 图3是图1的半导体发光器件的平面图。 图4 6是说明制造根据实施方案1的半导体发光器件的工艺的截面图。 图7 11是说明制造根据实施方案2的半导体发光器件的工艺的截面图。 图12是根据实施方案3的半导体发光器件的立体图。 图13是图12的半导体发光器件的平面图。 图14是根据实施方案4的半导体发光器件的截面图。 图15是根据实施方案5的发光器件封装的立体图。 图16是说明图15的发光器件封装的另一实施方案的立体图。具体实施例方式现在将详细说明本专利技术的实施方案，在附图中对其实例进行说明。 在实施方案的描述中，各层的'上'和'下'是基于附图来表述的。在附图中，各元件的尺寸可进行放大以清楚地说明，因此各元件的尺寸可与各元件的实际尺寸不同。 在实施方案的描述中，应理解当层(或膜)、区域、图案或结构称为在衬底、层(或膜)、区域、垫或图案的"上/下"时，其可以直接在所述衬底、层(或膜)、区域、垫或图案上，或者也可存在中间层。 图1是根据实施方案1的半导体发光器件的侧视截面图。图2是图1的半导体发 光器件的立体图。图3是图1的半导体发光器件的平面图。 参考图1 3，半导体发光器件IOO包括第一导电型半导体层110、第一电极单元 115/116/117、有源层120、第二导电型半导体层130、第二电极层150和导电支撑构件160。 半导体发光器件100可包括多个化合物半导体层，例如使用III-V族化合物半导 体的发光二极管(LED)。 LED可以是紫外(UV)LED或者是发蓝光、绿光或红光的彩色LED。 在实施方案的技术范围内，可实现LED的各种发光。 化合物半导体层包括发光结构135。发光结构135包括第一导电型半导体层110、 有源层120和第二导电型半导体层130。 第一导电型半导体层IIO可由掺杂有第一导电型掺杂剂的III-V族化合物半导体 例如选自GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP和AlGalnP 中的至少一种形成。如果第一导电型是N型，则第一导电型掺杂剂可包括N型掺杂剂，例如 Si、Ge、Sn、Se和Te。第一导电型半导体层110可形成为盘形，并且在第一导电型半导体层 110上可形成粗糙结构图案。第一导电型半导体层110可形成为单层结构或多层结构，但是 本专利技术不限于此。 在第一导电型半导体层110上可形成第一电极单元115/116/117。第一电极单元 115/116/117可形成为预定形状或预定图案。 参考图2，第一电极单元包括第一电极垫115、第一图案116和第二图案117。第一电极垫115可形成为单个或多个。如果第一电极垫115形成为多个，则它们可彼此间隔 开并且彼此电连接。 第一电极垫115可设置在第一导电型半导体层110上的中心部。第一图案116可 形成为枝状图案或放射图案。第一图案116可从第一电极垫115向外分支为至少一个枝状 图案或放射图案。第二图案117可连接至第一图案116的末端，并且可形成为圆形、圈形或 环形(例如，开环或闭环)。 第二图案117可通过第一图案116连接至第一电极垫115，并且可以和发光结构 135的外周边一样地形成为圆形、圈形或环形(例如，开环或闭环)。通过第一电极垫115 所施加的功率通过第一图案116和第二图案117可均匀分布地供给至第一导电型半导体层 110。 在第一导电型半导体层110下可形成有源层120。有源层120可形成为单或多量 子阱结构。有源层120可由III-V族化合物半导体材料形成，以具有阱层和势垒层的周期， 例如InGaN阱层/GaN势垒层或者InGaN阱层/AlGaN势垒层。在有源层120上和/或下可 形成导电覆层。导电覆层可由GaN基半导体形成。 在有源层120下可形成第二导电型半导体层130。第二导电型半导体层130可由 掺杂有第二导电型掺杂剂的III-V族化合物半导体例如选自GaN、AlN、AlGaN、 InGaN、 InN、 InAlGaN、 AlInN、 AlGaAs、 GaP、 GaAs、 GaAsP和AlGalnP中的至少一种形成。如果第二导电 型是P型，则第二导电型掺杂剂可包括P型掺杂剂，例如Mg、 Be和Zn。第二导电型半导体 层130可形成为单层结构或者多层结构，本专利技术不限于此。 在发光结构135中，在第二导电型半导体层130下可形成第三导电型半导体层。 第三导电型半导体层可由与第二导电型半导体层130具有相反极性的半导体形成。而且， 第一导电型半导体层110可为P型半导体层，第二导电型半导体层130可为N型半导体层。 因此，发光结构135可包括N-P结结构、P-N结结构、N-P-N结结构和P-N-P结结构中的至少一种。 半导体层110、 120和130可形成为盘形，发光结构135可形成为圆柱形或柱形。发 光结构135的外周边可形成为倾斜的或垂直的。发光结构135可包括N-P结结构、P-N结 结本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体发光器件，包括：包括在外边缘处具有圆化侧表面的多个化合物半导体层的发光结构；在所述发光结构上的第一电极单元；和在所述发光结构下的第二电极层。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：朴炯兆，
申请(专利权)人：LG伊诺特有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]