【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种多波长LED晶粒构造及其制造方法，特别是涉及 以多片不同单波长LED磊晶片施行接合与切割方式的多波长LED晶 粒构造及其制造方法。
技术介绍
目前LED发光二极管的制作过程与制作硅晶圆IC很相似，首先 使用化学周期表中超高纯度的III族元素铝(A1)、镓(Ga)、铟(In)，以 及V族元素氮(N)、磷(P)、砷(As)为材料，在高温下反应成为化合物， 经过单晶生长技术制成单晶棒，经过切割、研磨、抛光成为晶片，以 之作为基板(substrate)，再使用磊晶技术将发光材料生长在基板上，完 成的磊晶片经过半导体镀金和蚀刻工艺，再细切加工成为LED晶粒。LED产业结构大致分为上游的磊晶片形成，中游的晶粒制作，以 及下游封装成各式各样应用产品。上游主要为单晶片与磊晶片，LED 发光颜色与亮度由磊晶料决定，且磊晶片占LED制造成本70%左右， 对LED产业极为重要。上游磊晶片制造过程(工艺)顺序为单晶片(m-v 族基板)、结构设计、结晶成长、材料特性/厚度测量。而中游就是将磊 晶片加以切割，形成为上万个晶粒。依照磊晶片的大小，可以切割为 二万到四万个晶粒...
【技术保护点】
一种多波长ＬＥＤ晶粒制造方法，其特征在于，包含有以下步骤： 依据上述多波长ＬＥＤ晶粒所需的光色选取多片不同波长及光色的单波长ＬＥＤ磊晶片，且设定各片单波长ＬＥＤ磊晶片的厚度比值； 将上述各片单波长ＬＥＤ磊晶片平面相叠接合一体，以 形成多波长ＬＥＤ磊晶片； 将上述多波长ＬＥＤ磊晶片切割成多波长ＬＥＤ磊晶条； 沿上述多波长ＬＥＤ磊晶条的一侧切割面设制一金属反射层； 将上述多波长ＬＥＤ磊晶条及其金属反射层共同切割制出上述多波长ＬＥＤ晶粒。
【技术特征摘要】
1、一种多波长LED晶粒制造方法，其特征在于，包含有以下步骤依据上述多波长LED晶粒所需的光色选取多片不同波长及光色的单波长LED磊晶片，且设定各片单波长LED磊晶片的厚度比值；将上述各片单波长LED磊晶片平面相叠接合一体，以形成多波长LED磊晶片；将上述多波长LED磊晶片切割成多波长LED磊晶条；沿上述多波长LED磊晶条的一侧切割面设制一金属反射层；将上述多波长LED磊晶条及其金属反射层共同切割制出上述多波长LED晶粒。2、 根据权利要求1所述的多波长LED晶粒制造方法，其特征在 于选取两片不同波长及光色的单波长LED磊晶片，以相叠接合形成 双波长LED磊晶片。3、 根据权利要求1所述的多波长LED晶粒制造方法，其特征在 于选取三片不同波长及光色的单波长LED磊晶片，以相叠接合形成 三波长LED磊晶片。4、 根据权利要求l、 2或3所述的多波长LE...
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