【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种低发热型多波长led发光二极管，特别是涉及一 种光学折射散热设计的低发热型多波长led发光二极管。
技术介绍
目前LED发光二极管的制作过程与制作硅晶圆IC很相似，首先 使用化学周期表中超高纯度的III族元素铝(A1)、镓(Ga)、铟(In)，以 及V族元素氮(N)、磷(P)、砷(As)为材料，在高温下反应成为化合物， 经过单晶生长技术制成单晶棒，经过切割、研磨、抛光成为晶片，以 之作为基板(substrate)，再使用磊晶技术将发光材料生长在基板上，完 成的磊晶片经过半导体镀金和蚀刻工艺，再细切加工成为LED晶粒。LED产业结构大致分为上游的磊晶片形成，中游的晶粒制作，以 及下游封装成各式各样应用产品。上游主要为单晶片与磊晶片，LED 发光颜色与亮度由磊晶料决定，且磊晶片占LED制造成本70%左右，对led产业极为重要。上游磊晶片制造过程(工艺)顺序为单晶片(m-v族基板)、结构设计、结晶成长、材料特性/厚度测量。而中游就是将磊 晶片加以切割，形成为上万个晶粒。依照磊晶片的大小，可以切割为 二万到四万个晶粒。中游的晶粒制造过程(工艺)顺序为磊...
【技术保护点】
一种低发热型多波长ＬＥＤ发光二极管，其特征在于：包含有一多波长ＬＥＤ晶粒装置及其外周相隔设置一封装头罩；上述多波长ＬＥＤ晶粒装置具有多种波长及其光色以混光合成发光，且至少其中之一波长为发热光波；上述封装头罩设为球型透光罩体，具有一内球面及一相对外球面，上述封装头罩对应多波长ＬＥＤ晶粒装置的光源中心设有投光区域，及其上述外球面于投光区域外侧设有连续环状的折射切面，以对应上述发热光波由内往外折射。
【技术特征摘要】
1、一种低发热型多波长LED发光二极管，其特征在于包含有一多波长LED晶粒装置及其外周相隔设置一封装头罩；上述多波长LED晶粒装置具有多种波长及其光色以混光合成发光，且至少其中之一波长为发热光波；上述封装头罩设为球型透光罩体，具有一内球面及一相对外球面，上述封装头罩对应多波长LED晶粒装置的光源中心设有投光区域，及其上述外球面于投光区域外侧设有连续环状的折射切面，以对应上述发热光波由内往外折射。2、 根据权利要求1所述的低发热型多波长LED发光二极管，其 特征在于上述封装头罩的投光区域范围与光源中心构成一小于12...
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