【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种LED发光二极管晶粒装置，特别是涉及一种高亮 度LED发光二极管的晶粒装置。
技术介绍
目前LED发光二极管的制作过程与制作硅晶圆IC很相似，首先 使用化学周期表中超高纯度的III族元素铝(A1)、镓(Ga)、铟(In)，以 及V族元素氮(N)、磷(P)、砷(As)为材料，在高温下反应成为化合物， 经过单晶生长技术制成单晶棒，经过切割、研磨、抛光成为晶片，以 之作为基板(snbstmte)，再使用磊晶技术将发光材料生长在基板上，完 成的磊晶片经过半导体镀金和蚀刻工艺，再细切加工成为LED晶粒。 现今LED已有红外、红、黄、缘、蓝及白光发光二极管，但其中的白 光、蓝光LED成本价格较高。LED产业结构大致分为上游的磊晶片形成，中游的晶粒制作，以 及下游封装成各式各样应用产品。上游主要为单晶片与磊晶片，LED 发光颜色与亮度由磊晶料决定，且磊晶片占LED制造成本70%左右， 对LED产业极为重要。上游磊晶片制造过程(工艺)顺序为单晶片(III-V 族基板)、结构设计、结晶成长、材料特性/厚度测量。而中游就是将磊 晶片加以切割，形成为上万个晶粒。依照...
【技术保护点】
一种ＬＥＤ发光二极管晶粒装置，其特征在于：包含有两个相对间隔设置的ＬＥＤ晶粒，上述两个ＬＥＤ晶粒彼此相对侧各至少相对设有一放电发光面，且上述放电发光面与其ＬＥＤ晶粒至少形成一倾斜角度；上述两个ＬＥＤ晶粒的相对放电发光面彼此间形成一斜向的放电间隙，且其彼此间的夹角小于５０度。
【技术特征摘要】
1、一种LED发光二极管晶粒装置，其特征在于包含有两个相对间隔设置的LED晶粒，上述两个LED晶粒彼此相对侧各至少相对设有一放电发光面，且上述放电发光面与其LED晶粒至少形成一倾斜角度；上述两个LED晶粒的相对放电发光面彼此间形成一斜向的放电间隙，且其彼此间的夹角小于50度。2、 根据权利要求1所述的LED发光二极管晶粒装置，其特征在 于上述至少一个LED晶粒相对侧设有另一放电发光面，且上述另一 放电发光面与其上述放电发光面设为反向相对朝向彼此。3、 根据权利要求2所述的LED发光二极管晶粒装置，其特征在 于上述两个LED晶粒相对侧各相对设有上述另一放电发光面，且上 述两个另 一放电发光面彼此间形成另 一放电间隙。4、 ...
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