发光装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种发光装置，包括：半导体发光元件，其在透光性基板上依次设置第一导电型的第一半导体层和第二导电型的第二半导体层，在第一半导体层的露出部设置有第一电极，在第二半导体层设置有第二电极；和支撑基板，其载置半导体发光元件；半导体发光元件俯视下为矩形，至少具有第一边和与第一边不同的第二边，从第一边侧的元件端面射出的光比从第二边侧的元件端面射出的光更强，两个以上的半导体发光元件按照第一边相互大致平行且相对的方式以列状被倒装片安装在支撑基板上。由此，能有效地对从半导体发光元件的端面射出的光进行反射，提高发光装置的光取出效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及利用了半导体发光元件的发光装置，尤其涉及安装了多个 半导体发光元件的发光装置。
技术介绍
半导体发光元件以各种方法安装于支撑基板或封装等。在同一面侧设 置了正负电极的半导体发光元件通过将正负电极侧接合到支撑基板而进 行倒装片安装，从而能从元件的基板侧将光取出。作为对半导体发光元件 进行倒装片安装的方法，例如，首先，在能载置半导体发光元件的支撑基 板的主面上设置的导体布线上形成焊盘，接着，使同一面侧设置有正负一 对电极的半导体发光元件的电极面与焊盘对置，并使半导体元件的正负两 电极与焊盘接触，从而对导体布线与半导体发光元件的电极进行接合。这 样，通过焊盘对支撑基板的导体布线与半导体发光元件的正负两电极进行 接合，实现两者的电导通。也可在一个发光装置中安装多个半导体发光元件(例如，专利文献l 4)。图20中表示其一例。图20所示的发光装置在含有玻璃的八1203基板 51的表面形成含有W、 Ni、 Au的电路图案52，并通过Au焊盘在电路图 案52上以3个X3个的排列倒装片安装了共计9个GaN系LED元件53。 而且，虽然省略了 GaN系LED元件53的电极构造，但其与电路本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光装置，包括：　　　　半导体发光元件，其在透光性基板上依次设置第一导电型的第一半导体层和第二导电型的第二半导体层，在所述第一半导体层的露出部设置有第一电极，在所述第二半导体层设置有第二电极；和　　　　支撑基板，其载置所述半导体发光元件；　　　　所述半导体发光元件俯视下为矩形，至少具有第一边和与所述第一边不同的第二边，　　　　从所述第一边侧的元件端面射出的光比从所述第二边侧的元件端面射出的光更强，　　　　两个以上的所述半导体发光元件按照所述第一边相互大致平行且相对的方式以列状被倒装片安装在所述支撑基板上。

【技术特征摘要】
JP 2007-4-18 2007-108827;JP 2008-2-6 2008-0264811、一种发光装置，包括半导体发光元件，其在透光性基板上依次设置第一导电型的第一半导体层和第二导电型的第二半导体层，在所述第一半导体层的露出部设置有第一电极，在所述第二半导体层设置有第二电极；和支撑基板，其载置所述半导体发光元件；所述半导体发光元件俯视下为矩形，至少具有第一边和与所述第一边不同的第二边，从所述第一边侧的元件端面射出的光比从所述第二边侧的元件端面射出的光更强，两个以上的所述半导体发光元件按照所述第一边相互大致平行且相对的方式以列状被倒装片安装在所述支撑基板上。2、 根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于， 对所述各半导体发光元件的所述第一边而言，向该边的对置边的方向看，与所述第一边侧的所述第一半导体层的露出部以及所述对置边相对， 设该区域的所述第二电极的面积为R,、所述第一边的长度为Lp对所述第二边而言，向该边的对置边的方向看，与所述第二边侧的所 述第一半导体层的露出部以及所述对置边相对，设该区域的所述第二电极 的面积为R2、所述第二边的长度为，该情况下，R,与L,之比R,/L,比R2与L2之比IWL2更小。3、 根据权利要求2所述的发光装置，其特征在于， 对所述第一边的对置边而言，向所述第一边的方向看，与所述对置边侧的所述第一半导体层的露出部以及所述第一边相对，设该区域的所述第 二电极的面积为Rr 、所述第一边的长度为L,.时，R,.与Lr之比R,./L,' 与所述R,/L,大致相等。4、 根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于， 所述第二边是与所述第一边邻接的边。5、 根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述各半导体发光元件的所述第二电极在所述第一边侧具有由所述 第一边和所述露出部夹持的第一夹持区域部、比该夹持区域部更向元件的 内侧延伸的第一延长部，在所述第一边的长度方向上，所述第一夹持区域部比所述第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：米田章法，木内章喜，川口浩史，
申请(专利权)人：日亚化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]