本发明专利技术提供即使是在玻璃密封部形成为长方体状的情况下，也能够抑制光输出效率下降的发光装置、光源装置及该发光装置的制造方法。该发光装置具有：ＬＥＤ元件（２）、搭载ＬＥＤ元件（２）的元件搭载基板（３）、以及玻璃密封部（６），该玻璃密封部（６）在元件搭载基板（３）上密封ＬＥＤ元件（２），并由分散有使ＬＥＤ元件（２）发出的光漫射的氧化锆粒子（７）的玻璃构成，形成为长方体状。从ＬＥＤ元件（２）射出的光中向氧化锆粒子（７）入射的光，在玻璃密封部（６）内被漫射后入射至玻璃密封部（６）的表面。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及搭载部上的发光元件被玻璃密封的发光装置及其制造方法。
技术介绍
以往以来，已知有用环氧系、硅酮系等透光性树脂材料、磷酸系等透光性玻璃材料密封发光二极管(Light Emitting Diode: LED )等发光 元件的发光装置。将用于LED密封的树脂材料和玻璃材料进行比较， 则玻璃材料的折射率与树脂材料相比有高的倾向，即使密封材料的形状 相同，也是玻璃材料从发光元件输出光的效率高。作为使用了玻璃密封材料的发光装置，提出了例如专利文献l中记 载的发光装置。在专利文献l中，提出了通过热压加工将板玻璃接合于 基板、并将玻璃与基板一起用切割机(dicer)等切断的加工方法。根据 该发光装置401的加工方法，如图14所示，在基板403上密封发光元 件402的玻璃密封部406形成为长方体状。专利文献1国际公开第04/082036号小册子
技术实现思路
然而，专利文献l中记载的泉光装置，虽然从发光元件输出光的效 率高、且批量生产性优异，但是由于玻璃密封部406是高折射率且为长 方体状，所以如图14所示，存在从发光元件402射出的光易被封入玻 璃密封部406内而使输出光的效率下降的问题。本专利技术鉴于上述情况而完成，其目的在于，提供即使玻璃密封部形 成为长方体状的情况下，也能够抑制光输出效率下降的发光装置、光源 装置及发光装置的制造方法。为了达成上述目的，在本专利技术中，提供一种发光装置，其特征在于，具有发光元件、搭载部和密封部，所述搭载部搭载所述发光元件，所述 密封部在所述搭载部上密封所述发光元件，由分散有使从该发光元件发 出的光漫射的漫射粒子的玻璃构成，并形成为长方体状。根据该发光装置，通过^t有漫射粒子的玻璃来密封发光元件，因此， M光元件射出的光中向漫射粒子入射的光，在密封部内被漫射后入射至 密封部的表面。由此，即使密封部是长方体状，也能够将不存在漫射粒子 时会被封入密封部内的光从密封部输出。而且，由于漫射粒子*于密封 部内，所以也不存在像采用漫射物质形成漫射层的以往装置那样，光被封 入漫射层内侧的情况。在上述发光装置中，所述密封部通过热压加工与所述搭栽部接合， 优选所述漫射粒子的熔点高于所述热压加工时的温度。在上述发光装置中，优选所述漫射粒子含有粒径是所述发光元件发出的光的波长的1~9倍的粒子。在上述发光装置中，优选所述漫射粒子为白色。 在上述发光装置中，优选所述漫射粒子含有氧化锆粒子。 在上述发光装置中，优选所述漫射粒子含有氧化铝粒子。 在上述发光装置中，所述搭载部可以搭载有多个所述发光元件。 在上述发光装置中，优选所述玻璃具有空隙。在上述发光装置中，优选所述玻璃含有荧光体，该荧光体被从所述 发光元件发出的光激发则发出波长变换光。在上述发光装置中，优选所述密封部由ZnO-Si02-R20系(R为 选自I族元素中的至少l种)的玻璃形成。为了达成上述目的，在本专利技术中，还提供一种光源装置，其特征在 于，具有上述发光装置和集光光学系统，该集光光学系统将从所述发光 装置射出的光向规定方向进行集光。在上述光源装置中，优选所述发光装置在所述搭载部形成有散热图案，具有与所述散热图案相连接的散热体.为了达成上述目的，在本专利技术中，还提供一种发光装置的制造方法， 其特征在于，在制造上述发光装置时，包括混合工序、玻璃生成工序、 玻璃密封工序和分割工序，所述混合工序将粉末状的玻璃与粉末状的漫射粒子混合，生成该漫射粒子在该玻璃内分散的混合粉末；所述玻璃生 成工序在将所述混合粉末熔融后，将该混合粉末固化而生成板状的漫射 粒子分散玻璃；所述玻璃密封工序将所述漫射粒子分散玻璃通过热压加 工与搭载有多个发光元件的搭载部熔合，制成多个发光元件在所述搭载 部上被所述漫射粒子分散玻璃密封的中间体；所述分割工序将所述玻璃 密封工序中制成的中间体用切割机进行分割。根据本专利技术，即使是在玻璃的密封部形成为长方体状的情况下，也 能够抑制光输出效率的下降。附图说明图l是表示本专利技术的第一实施方式的发光装置的概略纵剖视图。图2是LED元件的示意纵剖视图。图3是发光装置的制造方法的工序说明图。图4是表示分散玻璃的加工状态的说明图，U)表示由混^^末生 成漫射粒子M玻璃的加工装置，(b)表示由混合粉末所生成的漫射粒子 ^t玻璃，(c)表示将所得的漫射粒子^U^璃切片后的状态。 图5是表示热压加工的状态的示意说明图， 图6是表示从LED元件发出的光路径的一例的说明图。 图7是表示第一实施方式的变形例的发光装置的概略纵剖视图。 图8是表示本专利技术的第二实施方式的发光装置的概略纵剖视图。 图9是表示元件搭载基板上的电路图案的形成状态的发光装置的俯 视图。图IO是表示第二实施方式的变形例、表示元件搭载基板上的电路图 案的形成状态的发光装置的俯视图。图ll是表示本专利技术的第三实施方式的光源装置的俯视图。 图12是图ll的A-A剖视图. 图13是图11的B - B剖视图。图14是表示以往例、表示从LED元件发出的光路径的一例的说明符号说明1发光装置2LED元件3元件搭载基板3汪通路孔4电路图案W层4bM层4cAu层4dAg层5中空部6玻璃密封部6a侧面6b上表面7氧化锆粒子8荧光体10混合粉末11漫射粒子分散玻璃12中间体20生长基板21緩冲层22n型层23MQW层24p型层25p侧电极26p侧焊盘电极27n侧电极27aAl层27bNi层727cAu层28Au突起41表面图案42背面图案43通路图案44外部连接端子80基台80a上表面81侧面框82凹部83载荷夹具83a下部91下模92上模101发光装置201发光装置203元件搭载基板204电路图案205巾空部206玻璃密封部241表面图案242背面图案243通路图案244外部连接端子245散热图案301光源装置302玻璃密封LED303散热体306玻璃密封部330大型散热板330a中央部330b延伸部330c孔部333反射镜333a凸缘部333b槽口335小型散热板335a槽口401发光装置402LED元件403基板406玻璃密封部具体实施方式图l至图6示出本专利技术的第一实施方式，图l是发光装置的概略纵 剖视图，图2是LED元件的示意纵剖视图。如图1所示，该发光装置1具有倒装片(flip chip)型的由GaN 系半导体材料构成的LED元件2;搭栽LED元件2的元件搭载基板3; 在元件搭载基板3上形成并由鵠(W)-镍(Ni)-金(Au)构成的电 路图案4;以及玻璃密封部6，该玻璃密封部6密封LED元件2，并与 元件搭载基板3粘合，且含有氧化锆粒子7。此外，在LED元件2和元 件搭栽基板3之间，形成有玻璃未进入其中的中空部5。在本实施方式 中，元件搭载基板3和电路图案4构成用于搭载LED元件2、并对LED 元件2供电的搭载部。作为发光元件的LED元件2，如图2所示，在由蓝宝石(A1203) 构成的生长基板20的表面，使m族氮化物系半导体外延(印itaxial)生 长，由此依次形成緩冲层21、 n型层22、 MQW层23、 p型层24。该 LED元件2在700'C以上进行外延生长，其耐热温度在600'C以上，在 后述使用低熔点的热熔合玻璃的密封加工时的加工温度下是稳定的。此 外，LED元件2具有设置于p型层24表面的p本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种发光装置，其特征在于，具有发光元件、搭载所述发光元件的搭载部以及密封部，所述密封部在所述搭载部上密封所述发光元件，由分散有使从该发光元件发出的光漫射的漫射粒子的玻璃构成，并形成为长方体状。
【技术特征摘要】
JP 2007-4-20 2007-1122721.一种发光装置，其特征在于，具有发光元件、搭载所述发光元件的搭载部以及密封部，所述密封部在所述搭载部上密封所述发光元件，由分散有使从该发光元件发出的光漫射的漫射粒子的玻璃构成，并形成为长方体状。2. 根据权利要求l所述的发光装置，其特征在于，所述密封部通 过热压加工与所述搭载部接合，所述漫射粒子的熔点比所述热压加工时的温度高。3. 根据权利要求1或2所述的发光装置，其特征在于，所述漫射 粒子含有粒径为所述发光元件发出的光的波长的1~9倍的粒子。4. 根据权利要求1~3中任一项所述的发光装置，其特征在于，所 述漫射粒子为白色。5. 根据权利要求4所述的发光装置，其特征在于，所述漫射粒子 含有氧化锆粒子。6. 根据权利要求4所述的发光装置，其特征在于，所述漫射粒子 含有氧化铝粒子。7. 根据权利要求1~6中任一项所述的发光装置，其特征在于，所 述搭载部搭载有多个所述发光元件。8. 根据权利要求1 7中任一项所述的发光装置，其特征在于，所 述玻璃具有空隙。9. 根据权利要求1 8中任一项所述的发光装置，其...
【专利技术属性】
技术研发人员：末广好伸，
申请(专利权)人：丰田合成株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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