【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及薄膜太阳能电池制备技术,特别涉及铜铟硒、铜铟镓硒、铜铟铝硒薄膜太阳能电池吸收层的制备方法,属光电功能材料和新能源
技术介绍
铜铟硒系薄膜太阳能电池具有效率高、成本低、无性能衰减、寿命长、可采用柔性 基底等特点,是目前太阳能电池领域的主流技术之一。黄铜矿结构的CuInSe2(CIS)禁带宽 度为1. 04eV ;在CIS中掺入适量的Ga部分代替In,形成的CulrvxGaxSe2 (CIGS)禁带宽度可 在l. 04 1. 67eV范围内连续可调;掺入适量的Al部分代替In,形成的CuIn卜xAlxSe2(CIAS) 禁带宽度在1. 04 2. 67eV范围内连续可调。如再形成多结系统,可极大地提高光伏电池 转换效率。铜铟硒系薄膜太阳能电池的结构一般为减反射层/金属栅状电极/透明电 极层/窗口层/缓冲层/光吸收层(CIS或CIGS或CIAS) /金属背电极/衬底,其中光吸 收层是决定光伏电池性能的关键因素。光吸收层中各元素的化学配比和沿膜厚方向的成 分分布对光吸收性能有着重要的影响,如通过调整吸收层中的成分分布以形成沿深度方向 的带隙梯度 ...
【技术保护点】
一种制备薄膜太阳能电池吸收层的方法,它采用真空磁控溅射法沉积吸收层,其特征在于:所述溅射用靶材直接采用铜铟硒CuInSe↓[2],或铜铟镓硒CuIn↓[1-x]Ga↓[x]Se↓[2],0≤x≤1,或铜铟铝硒CuIn↓[1-x]Al↓[x]Se↓[2],0≤x≤1合金靶材,通过调整靶材成分控制吸收层成分,通过调整溅射工艺和退火工艺控制吸收层质量。
【技术特征摘要】
一种制备薄膜太阳能电池吸收层的方法,它采用真空磁控溅射法沉积吸收层,其特征在于所述溅射用靶材直接采用铜铟硒CuInSe2,或铜铟镓硒CuIn1-xGaxSe2,0≤x≤1,或铜铟铝硒CuIn1-xAlxSe2,0≤x≤1合金靶材,通过调整靶材成分控制吸收层成分,通过调整溅射工艺和退火工艺控制吸收层质量。2. 按照权利要求1所述的制备方法,其特征在于所述溅射用工作气体为氩气,工作气 压为0. 2至3Pa,功率密度为0. 2至3W/cn^,衬底温度为20至50(TC,溅射时间...
【专利技术属性】
技术研发人员:张弓,庄大明,张宁,段宇波,宋军,
申请(专利权)人:清华大学,张家港保税区华冠光电技术有限公司,
类型:发明
国别省市:11[中国|北京]
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