大功率发光二极管芯片的封装结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种大功率发光二极管芯片的封装结构，包括金属基座、金属反射杯、大功率发光二极管芯片、电路板，所述电路板通过固定螺栓固定在金属基座内槽的两端，电路板上有引脚通电端和引脚输出端，大功率发光二极管芯片通过导热性良好的连接介质固定在金属基座的中间，大功率发光二极管芯片的电极通过导线与电路板上的引脚导电端连接，电路板的引脚通电端位于金属基座外，金属反射杯通过固定螺栓固定在金属基座上，金属反射杯与金属基座的空腔为填充树脂。（*该技术在2018年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及大功率发光二极管的封装技术。
技术介绍
发光二极管正以它的功率消耗低、响应速度快、使用寿命长、兼容性好等优势，正逐步 的进入不同领域的终端应用中。良好的发光二极管封装结构不仅能对发光二极管起到保护作 用，而且对出光角度、出光效果、二次光学系统配合等方面进行优化，提高发光二极管的可 靠性，方便在各终端领域中的应用。发光二极管因封装结构的限制，为提高亮度， 一般采用多颗较小功率发光二极管排列在 散热器上，如图1B所示，该方法出光分散，二次光学配合难，且安装烦琐，不易维护，因此 在使用前必须进行复杂的散热、配光设计。同时常规的发光二极管封装结构，在应用过程中因水气或者腐蚀性气体等因素，容易造 成发光二极管封装结构表面氧化或腐蚀现象，导致表面的电镀发黄、发黑等现象，电镀层的 反射效果削弱，产品亮度大幅度的衰减，直接影响产品的使用寿命。
技术实现思路
本技术的目的在于克服上述大功率发光二极管芯片封装的缺陷，提供一种大功率发 光二极管的封装结构，便于大功率发光二极管封装、应用中配光和安装，并有效地解决电镀 层氧化等问题。一种大功率发光二极管芯片的封装结构，包括金属基座、金属反射杯、大功率发光二极 管芯片、电路板，所述电路板通过固定螺栓固定在金属基座内槽的两端，电路板上有引脚通 电端和引脚输出端，大功率发光二极管芯片通过导热性良好的连接介质固定在金属基座的中 间，大功率发光二极管芯片的电极通过导线与电路板上的引脚导电端连接，电路板的引脚通 电端位于金属基座外，金属反射杯通过固定螺栓固定在金属基座上，金属反射杯与金属基座 的空腔为填充树脂。所述金属反射杯中间为阶梯形曲面，通过光学变换来起到聚光的效果，限制出光角度， 提高发光二极管芯片出光的利用效率，降低二次光学设计的难度。所述的大功率发光二极管芯片可根据其数量串联或者并联或者串并联组合连接，通过调整串、并的联结方式对驱动电流、额定电压、标称功率进行相应的调整。所述的金属基座的材料可以是银、铜、铝及上述任意金属构成的合金，并经过氧化处理。 所述的填充树脂材质可以是环氧树脂、硅胶或上述材质的混合物。本技术的有益效果是本技术的大功率发光二极管封装结构，采用了金属底座 上安装金属反射杯的结构，使大功率发光二极管芯片发出的光集中在固定的区域和发光角度 内，提高光利用率，降低二次配光难度，同时使用金属作为基材，配合上高强度的引线板， 提高抗氧化和抗腐蚀能力，提高亮度，保证了大功率发光二极管内部环境，从而增加了发光 二极管芯片的可靠性，延长使用寿命，整体安装方便，同时封装结构底部热传递均匀，芯片 使用过程中产生的热量可均匀地分布于金属底座上，并能很快地由散热装置传到外部，提高 散热效果，散热设计难度较低。附图说明图1A为本技术大功率发光二极管芯片封装结构的示意图； 图1B为是传统的多颗大功率发光二极管集成在散热器的示意图; 图2A为大功率发光二极管芯片封装结构主视图； 图2B为图2A在B-B方向剖视图图2C为图2A在A1-Al方向剖视图 图3反光杯聚光示意图。 附图标号说明1- 大功率发光二极管芯片2- 导线3- 导热介质4- 填充树脂5- 金属基座6- 固定螺孔7- 引脚输出端8- 引脚连接端9- 电路板10- 固定螺孔11- 固定螺栓12-金属反射杯具体实施方式以下结合附图对本
技术实现思路
进一步说明。如图1A、 2A、 2B、 2C所示一种大功率发光二极管芯片的封装结构，包括金属基座5、金属 反射杯ll、大功率发光二极管芯片l、电路板9，所述电路板9通过固定螺栓固定在金属基座5 内槽的两端，电路板9上有引脚通电端7和引脚导电端8，大功率发光二极管芯片l通过导热性 良好的连接介质3固定在金属基座5的中间，大功率发光二极管芯片1的电极通过导线与电路板 上的引脚导电端8连接，电路板的引脚通电端7位于金属基座5外，金属反射杯ll通过固定螺栓 固定在金属基座5上，金属反射杯11与金属基座5的空腔为填充树脂。所述金属反射杯中间为阶梯形曲面，如图3所示，通过光学变换来起到聚光效果，限制出 光角度，通过图3有反射杯与没有反射杯的大功率发光二极管芯片的对比，可以看出本实用新 型提高了发光二极管芯片出光的利用效率，大大降低了二次光学设计的难度。所述的大功率发光二极管芯片可根据其数量串联或者并联或者串并联组合连接，通过调 整串、并的联结方式对驱动电流、额定电压、标称功率进行相应的调整，为方便说明图2A、 2B、 2C采用的是一个大功率发光二极管芯片。所述的金属基座的材料可以是银、铜、铝及上述任意金属构成的合金，并经过氧化处理。 所述的填充树脂材质可以是环氧树脂、硅胶或上述材质的混合物。 应该理解到的是上述实施例只是对本技术的说明，而不是对本技术的限制， 任何不超出本技术实质精神范围内的专利技术创造，均落入本技术保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种大功率发光二极管芯片的封装结构，其特征在于包括金属基座、金属反射杯、大功率发光二极管芯片、电路板，所述电路板通过固定螺栓固定在金属基座内槽的两端，电路板上有引脚通电端和引脚输出端，大功率发光二极管芯片通过导热性良好的连接介质固定在金属基座的中间，大功率发光二极管芯片的电极通过导线与电路板上的引脚导电端连接，电路板的引脚通电端位于金属基座外，金属反射杯通过固定螺栓固定在金属基座上，金属反射杯与金属基座的空腔为填充树脂。

【技术特征摘要】
1. 一种大功率发光二极管芯片的封装结构，其特征在于包括金属基座、金属反射杯、大功率发光二极管芯片、电路板，所述电路板通过固定螺栓固定在金属基座内槽的两端，电路板上有引脚通电端和引脚输出端，大功率发光二极管芯片通过导热性良好的连接介质固定在金属基座的中间，大功率发光二极管芯片的电极通过导线与电路板上的引脚导电端连接，电路板的引脚通电端位于金属基座外，金属反射杯通过固定螺栓固定在金属基座上，金属反射杯与金属基座的空腔为填...

【专利技术属性】
技术研发人员：程野，
申请(专利权)人：杭州友旺科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：86[中国|杭州]