可贴装磁敏器件及制造工艺制造技术

公开了一种可贴装磁敏器件包括：衬底；锑化铟薄膜，设置在所述衬底之上；至少两个导电型通孔结构，贯穿所述衬底的上下表面；其中，所述导电型通孔结构的第一部分位于所述衬底上表面延伸与所述锑化铟薄膜相连，第二部分位于所述衬底下表面延伸形成焊盘。本实用新型专利技术提供的可贴装磁敏器件，通过贯穿衬底上下表面的导电型通孔结构及衬底下表面延伸出的焊盘，省略了导线打线工艺，避免了在锑化铟薄膜上方打线而损坏锑化铟薄膜，保证了可贴装磁敏器件的质量，提高了可贴装磁敏器件的灵敏度和一致性。

Mountable magnetic sensor and manufacturing process

A mountable magnetic sensor includes a substrate; an indium antimonide film arranged on the substrate; at least two conductive through-hole structures penetrating the upper and lower surfaces of the substrate; wherein the first part of the conductive through-hole structure extends on the upper surface of the substrate and is connected with the indium antimonide film; and the second part is connected with the conductive through-hole structure. The part is located on the underlying surface of the substrate to form a pad. The mountable magnetic sensor provided by the utility model omits the wire wiring process, avoids damaging the indium antimonide film by wire wiring above the indium antimonide film, ensures the quality of the mountable magnetic sensor, and improves the mountable quality of the mountable magnetic sensor. Sensitivity and consistency of magnetic sensors.

【技术实现步骤摘要】
可贴装磁敏器件及制造工艺
本技术涉及磁敏器件领域，尤其涉及一种可贴装磁敏器件及制造工艺。
技术介绍
图1示出了现有技术中可贴装磁敏器件的结构剖视图。如图1所示，现有的可贴装磁敏器件包括由下而上依次设置的衬底1、锑化铟薄膜2、电极3，通过打线工艺将导线4连接在电极3上。由于电极3采用打线工艺，容易损伤位于电极之下的锑化铟薄膜2、导线两端压点易受应力变化而断裂，使产品存在可靠性问题。当现有技术中的可贴装磁敏器件应用于高要求的磁电转换信号采集场合时，其外面需安装金属屏蔽罩，但因金属丝高于锑化铟薄膜2表面，使锑化铟薄膜2表面不能紧贴于金属屏蔽罩的取磁窗口，这样，就会存在灵敏度偏低和一致性不好的情况，限制了可贴装磁敏器件的应用场合。
技术实现思路
鉴于上述问题，本技术的目的在于提供一种可贴装的可贴装磁敏器件及制造工艺。根据本技术的第一方面，提供一种可贴装磁敏器件，包括：衬底；锑化铟薄膜，设置在所述衬底之上；至少两个导电型通孔结构，贯穿所述衬底的上下表面；其中，所述导电型通孔结构的第一部分位于所述衬底上表面延伸与所述锑化铟薄膜相连，第二部分位于所述衬底下表面延伸形成焊盘。优选地，所述导电型通孔结构的截面形状至多为半圆。优选地，所述导电型通孔结构贯穿衬底的第三部分表面镀铜，所述导电型通孔结构位于所述衬底上下表面的第一部分和第二部分为镀金层。优选地，所述锑化铟薄膜覆盖所述导电型通孔结构的第一部分。优选地，所述可贴装磁敏器件还包括：绝缘层，设置在所述锑化铟薄膜之上。优选地，所述绝缘层包裹所述锑化铟薄膜，并覆盖所述导电型通孔结构。优选地，所述绝缘层的材料为三防漆或环氧树脂。优选地，相邻的可贴装磁敏器件共用导电型通孔结构。优选地，所述锑化铟薄膜的形状是对称的。优选地，所述锑化铟薄膜的形状为X形或十字形。本技术提供的可贴装磁敏器件，通过贯穿衬底上下表面的导电型通孔结构及衬底下表面延伸出的焊盘，省略了导线打线工艺，避免了在锑化铟薄膜上方打线而损坏锑化铟薄膜，保证了可贴装磁敏器件的质量，提高了可贴装磁敏器件的灵敏度和一致性。同时，因锑化铟薄膜上表面覆盖绝缘层，该可贴装磁敏器件无需二次封装，可直接进行表面贴装技术(SurfaceMountTechnology，SMT)将该可贴装磁敏器件贴装于整机线路板中。附图说明通过以下参照附图对本技术实施例的描述，本技术的上述以及其他目的、特征和优点将更为清楚，在附图中：图1示出了现有技术中可贴装磁敏器件的侧剖视图；图2示出了本技术实施例提供的可贴装磁敏器件的俯视图；图3示出了本技术实施例提供的可贴装磁敏器件的仰视图；图4示出了本技术实施例提供的可贴装磁敏器件的侧剖视图；图5示出了本技术实施例提供的可贴装磁敏器件中导电型通孔结构的立体图；图6示出了本技术实施例提供的可贴装磁敏器件中连板的俯视图。具体实施方式以下将参照附图更详细地描述本技术的各种实施例。在各个附图中，相同的元件采用相同或类似的附图标记来表示。为了清楚起见，附图中的各个部分没有按比例绘制。下面结合附图和实施例，对本技术的具体实施方式作进一步详细描述。图2示出了本技术实施例提供的可贴装磁敏器件的俯视图；图3示出了本技术实施例提供的可贴装磁敏器件的仰视图；图4示出了本技术实施例提供的可贴装磁敏器件的侧剖视图。图5示出了本技术实施例提供的可贴装磁敏器件中导电型通孔结构的立体图。参照图2-图5，可贴装磁敏器件包括衬底1、形成所需芯片图案的锑化铟薄膜2以及至少两个导电型通孔结构5。其中，所述锑化铟薄膜2设置在所述衬底1之上。导电型通孔结构5贯穿所述衬底1的上下表面。所述导电型通孔结构5的第一部分位于所述衬底1上表面延伸与所述锑化铟薄膜2相连，第二部分位于所述衬底1下表面延伸形成焊盘51(如图5所示)。在本实施例中，衬底1的材料为陶瓷、硅、铁氧体或云母。所述导电型通孔结构5的截面形状最多为半圆。导电型通孔结构的材料为可导电的金属，例如金或铜等。所述导电型通孔结构贯穿衬底的第三部分表面为镀铜层，所述导电型通孔结构位于所述衬底上下表面的第一部分和第二部分为镀金层。在本实施例中，所述锑化铟薄膜2覆盖所述导电型通孔结构5的第一部分，这样可以减少接触电阻，使锑化铟薄膜2在磁场作用下产生的微弱电信号更精确的输出。在一个优选地实施例中，所述可贴装磁敏器件还包括绝缘层6，设置在所述锑化铟薄膜2之上。具体地，所述绝缘层6包裹所述锑化铟薄膜2，并且覆盖导电型通孔结构5。在本实施例中，所述绝缘层6的材料为三防漆或环氧树脂。图2示出了一种锑化铟薄膜2的形状和导电型通孔结构5设置位置的实施例。在本实施例中，所述锑化铟薄膜的形状是对称的，如X形(如图2所示)，十字形等。图3示出了一种焊盘51的形状和设置位置的实施例。图6示出了一种可贴装磁敏器件在连板状态下导电型通孔结构5的设置位置，以及相邻可贴装磁敏器件共用同一导电型通孔结构5的实施例。在本实施例中，相邻可贴装磁敏器件共用同一导电型通孔结构5。本技术还提供了一种上述的可贴装磁敏器件的制造工艺，包括以下步骤。在步骤S01中，在衬底1上打孔，通过PCB电镀铜工艺形成导电型通孔结构5及焊盘51，并在导电型通孔结构5、焊盘51和上下延伸部分表面镀金。在步骤S012中，在有导电型通孔结构5的衬底1上面生长锑化铟薄膜层，并按照芯片图案通过半导体光刻工艺形成锑化铟薄膜2。在一个优选地实施例中，可贴装磁敏器件的制造工艺还包括步骤S03。在步骤S03中，通过喷涂技术或半导体塑封工艺在锑化铟薄膜2上形成绝缘层6。在一个优选地实施例中，可贴装磁敏器件的制造工艺还包括步骤S04。在步骤S04中，将连板的可贴装磁敏器件通过半导体切割工艺按分割线7示意，分割成单颗的可贴装磁敏器件。本技术实施例提供的可贴装磁敏器件通过贯穿衬底上下表面的导电型通孔结构及衬底下表面延伸出的焊盘，省略了导线打线工艺，避免了在锑化铟薄膜上方打线而损坏锑化铟薄膜，保证了可贴装磁敏器件的质量，提高了可贴装磁敏器件的灵敏度和一致性。同时，因锑化铟薄膜上表面覆盖绝缘层，该可贴装磁敏器件无需二次封装，可直接进行SMT贴装于整机线路板中。因在连板时采用相邻可贴装磁敏器件共用同一导电型通孔结构，提高了制造效率，并大大低降低了制造成本。依照本技术的实施例如上文所述，这些实施例并没有详尽叙述所有的细节，也不限制该技术仅为所述的具体实施例。显然，根据以上描述，可作很多的修改和变化。本说明书选取并具体描述这些实施例，是为了更好地解释本技术的原理和实际应用，从而使所属
技术人员能很好地利用本技术以及在本技术基础上的修改使用。本技术仅受权利要求书及其全部范围和等效物的限制。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种可贴装磁敏器件，其特征在于，包括：衬底；锑化铟薄膜，设置在所述衬底之上；至少两个导电型通孔结构，贯穿所述衬底的上下表面；其中，所述导电型通孔结构的第一部分位于所述衬底上表面延伸与所述锑化铟薄膜相连，第二部分位于所述衬底下表面延伸形成焊盘。

【技术特征摘要】
1.一种可贴装磁敏器件，其特征在于，包括：衬底；锑化铟薄膜，设置在所述衬底之上；至少两个导电型通孔结构，贯穿所述衬底的上下表面；其中，所述导电型通孔结构的第一部分位于所述衬底上表面延伸与所述锑化铟薄膜相连，第二部分位于所述衬底下表面延伸形成焊盘。2.根据权利要求1所述的可贴装磁敏器件，其特征在于，所述导电型通孔结构的截面形状至多为半圆。3.根据权利要求1所述的可贴装磁敏器件，其特征在于，所述导电型通孔结构贯穿衬底的第三部分表面为镀铜层，所述导电型通孔结构位于所述衬底上下表面的第一部分和第二部分为镀金层。4.根据权利要求1所述的可贴装磁敏器件，其特征在于，所述锑化铟薄膜覆盖所...

【专利技术属性】
技术研发人员：华良，
申请(专利权)人：杭州友旺科技有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江,33