一种磁传感封装结构及磁传感元件制造技术

本实用新型专利技术提供一种磁传感封装结构及磁传感元件。该磁传感封装结构包括：基板，其上设置有第一焊盘；半导体磁感应芯片，设置于基板上；导电结构，连接半导体磁感应芯片的线路结构与第一焊盘；第一绝缘保护层，至少覆盖半导体磁感应芯片和导电结构；半导体磁感应芯片上与形成有线路结构的第一表面相反的第二表面与基板相对设置。本实用新型专利技术提供的磁传感封装结构可靠性强，通过设置第一绝缘保护层实现芯片的绝缘，提高具有该磁传感封装结构的磁传感元件的信号强度以及信号采集的准确性。

Magnetic sensing packaging structure and magnetic sensing element

The utility model provides a magnetic sensing encapsulation structure and a magnetic sensing element. The magnetic sensing packaging structure comprises a substrate on which a first pad is arranged; a semiconductor magnetic induction chip is arranged on the substrate; a conductive structure connecting the circuit structure of the semiconductor magnetic induction chip with the first pad; a first insulating protective layer covering at least the semiconductor magnetic induction chip and the conductive structure; and a semiconductor magnetic induction core. The second surface opposite to the first surface formed by the circuit structure is relatively arranged on the chip and the substrate. The magnetic sensing packaging structure provided by the utility model has strong reliability, and the chip insulation is realized by setting the first insulation protective layer, thereby improving the signal strength of the magnetic sensing element with the magnetic sensing packaging structure and the accuracy of signal acquisition.

【技术实现步骤摘要】
一种磁传感封装结构及磁传感元件
本技术涉及磁传感器
，具体涉及一种磁传感封装结构及具有其的磁传感元件。
技术介绍
传感器技术发展到至今，大多数产品依然采用光传感，传统的磁传感多采用线圈和永久磁，信号提取少，信号灵敏度不够一直制约着磁传感器的发展，半导体磁传感芯片开发及应用拓展出了一个新的产品领域，作为替换光传感领域，高灵敏度的磁传感具有防尘、抗污的优点，同时还具备使用寿命长，相比较光信号衰减速度，磁信号衰减速度慢。传统的光传感器包含光发射模块和光接收模块，若光路中间存在灰尘或油脂都会引起光信号的读取错误。但是传感器的应用多数在机械、金融点钞等传感领域，使用过程中都会遇到灰尘或油脂无法避免，从而导致光传感器寿命短，维护频繁等问题。同时光信号发射器的使用寿命会随着使用时间衰减，经常需要校正，造成设备维护频率的加大；传统的磁传感，包含线圈及永久磁，信号单一，信号分段困难，体积大等缺点。
技术实现思路
有鉴于此，本技术的目的之一在于提供一种可靠性高、信号强、信号采集准确的磁传感封装结构及磁传感元件。为达到上述目的，一方面，本技术采用以下技术方案：一种磁传感封装结构，包括：基板，其上设置有第一焊盘；半导体磁感应芯片，设置于所述基板上；导电结构，连接所述半导体磁感应芯片的线路结构与所述第一焊盘；第一绝缘保护层，至少覆盖所述半导体磁感应芯片和所述导电结构；其中，所述半导体磁感应芯片上与形成有线路结构的第一表面相反的第二表面与所述基板相对设置。优选地，所述导电结构为金属丝，还包括第二绝缘保护层，所述金属丝位于所述第二绝缘保护层内，所述第一绝缘保护层覆盖所述半导体磁感应芯片和所述第二绝缘保护层。优选地，第二绝缘保护层包括保护胶体。优选地，所述第二绝缘保护层的厚度为0.01-0.1mm；和/或，所述第一绝缘保护层的厚度小于0.25mm；优选地，所述半导体磁感应芯片通过粘合层粘接于所述基板上。另一方面，本技术采用以下技术方案：一种磁传感元件，包括如上所述的磁传感封装结构，还包括金属罩壳，所述金属罩壳罩设在所述半导体磁感应芯片和所述基板形成的整体结构上，所述半导体磁感应芯片的第一表面与所述金属罩壳相对设置。优选地，所述金属罩壳包括顶板和侧板，所述半导体磁感应芯片的第一表面与所述顶板相对设置。优选地，还包括非金属底座，所述基板安装在所述非金属底座上，所述金属罩壳罩设在所述半导体磁感应芯片、所述基板和所述非金属底座形成的整体结构上。优选地，所述非金属底座上设置有凹槽，所述基板嵌设于所述凹槽中。优选地，还包括引脚，所述基板上还设置有与所述第一焊盘连接的第二焊盘，所述第二焊盘与所述引脚焊接。优选地，所述基板上与所述第二焊盘对应的位置处设置有贯穿的第一通孔，所述非金属底座上与所述第一通孔相对应的位置设置有贯穿的第二通孔，所述引脚的一端穿过所述第二通孔和第一通孔与所述第二焊盘焊接，所述引脚的另一端穿出所述非金属底座。本技术提供的磁传感封装结构采用半导体磁感应芯片，既克服了光传感器的光信号易发生衰减、受环境因素影响大、使用寿命短的问题，又克服了传统磁传感器磁信号弱、信号单一、信号分段难的问题，另外，半导体磁感应芯片采用正装方式进行封装，并通过第一绝缘保护层实现芯片的绝缘，提高具有该磁传感封装结构的磁传感元件的信号强度以及信号采集的准确性。附图说明通过以下参照附图对本技术实施例的描述，本技术的上述以及其它目的、特征和优点将更为清楚，在附图中：图1示出本技术具体实施方式提供的磁传感元件的结构示意图；图2示出本技术具体实施方式提供的磁传感元件省去绝缘保护层的爆炸图；图3示出本技术具体实施方式提供的磁传感封装结构的爆炸图；图4示出本技术具体实施方式提供的基板的加工中间件的结构示意图。图中，1、基板；2、半导体磁感应芯片；21、第一表面；3、金属罩壳；31、顶板；32、侧板；4、金属丝；5、第一焊盘；6、第二焊盘；7、引脚；8、非金属底座；81、凹槽；9、绝缘保护层；10、保护胶体；11、粘合层。具体实施方式以下基于实施例对本技术进行描述，但是本技术并不仅仅限于这些实施例。此外，本领域普通技术人员应当理解，在此提供的附图都是为了说明的目的，并且附图不一定是按比例绘制的。除非上下文明确要求，否则整个说明书和权利要求书中的“包括”、“包含”等类似词语应当解释为包含的含义而不是排他或穷举的含义；也就是说，是“包括但不限于”的含义。在本技术的描述中，需要理解的是，术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。此外，在本技术的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。本技术提供了一种磁传感封装结构及磁传感元件，如图1至图3所示，磁传感元件包括磁传感封装结构，磁传感封装结构包括基板1以及设置于基板1上的半导体磁感应芯片2，磁传感元件还包括金属罩壳3，其罩设在磁传感封装结构上。由于采用半导体磁感应芯片2，既克服了现有光传感器的光信号易发生衰减、受环境因素影响大、使用寿命短的问题，又克服了传统磁传感器磁信号弱、信号单一、信号分段难的问题。由于半导体磁感应芯片2存在信号传输通道衰减的问题，半导体磁感应芯片2距离金属罩壳3越近，其信号越强，使用效果越好，信号采集越准确，针对这一问题，本申请对半导体磁感应芯片2的设置方式进行了改进，具体地，基板1上设置有第一焊盘5，半导体磁感应芯片2具有相反的第一表面21和第二表面(图中未示出)，在第一表面21上形成芯片的线路结构(图中未示出)。半导体磁感应芯片2的设置方位为，其第一表面21与金属罩壳3相对设置，第二表面与基板1相对设置，第一表面21上的线路结构通过导电结构与第一焊盘连接，导电结构例如为图3所示的金属丝4。磁传感封装结构还包括第一绝缘保护层9，第一绝缘保护层9将半导体磁感应芯片2和金属丝4覆盖，以实现芯片的绝缘，提高磁传感元件的信号强度以及信号采集的准确性，进一步地，通过控制第一绝缘保护层9的厚度能够尽量减小半导体磁感应芯片2与金属罩壳3之间的距离，从而进一步提高磁传感元件的信号强度和信号采集的准确性。进一步优选地，如图2和图3所示，磁传感封装结构还包括第二绝缘保护层，金属丝4位于第二绝缘保护层中，第二绝缘保护层例如可以为保护胶体10，通过保护胶体10将金属丝4进行包裹，以保证金属丝4与半导体磁感应芯片2以及第一焊盘5的连接可靠性。保护胶体10的大小设置为刚好能够将金属丝4收容在其内部，第一绝缘保护层9覆盖在半导体磁感应芯片2以及保护胶体10上，因此，保护胶体10在基板1上的投影面积小于绝缘保护层9在基板1上的投影面积。通过对保护胶体10和第一绝缘保护层9厚度的控制可尽量减小半导体磁感应芯片2与金属罩壳3之间的距离，以提高信号强度和采集信号的准确性。在一个优选地实施例中，保护胶体10的厚度为0.01至0.1mm，进一步优选为0.01至0.05mm，第一绝缘保护层9优选采用喷涂的方式形成，使其厚度能够控制在小于0.25mm范围内。本申请通过控制保护胶体10和第一绝缘保护层9的厚度，使得半导体磁感应芯片2与金属罩壳3之间的距离达到0.1-0.5mm。进一步优选地，半导体磁感应芯片2通过粘合层11粘接于基本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种磁传感封装结构，其特征在于，包括：基板，其上设置有第一焊盘；半导体磁感应芯片，设置于所述基板上；导电结构，连接所述半导体磁感应芯片的线路结构与所述第一焊盘；第一绝缘保护层，至少覆盖所述半导体磁感应芯片和所述导电结构；其中，所述半导体磁感应芯片上与形成有线路结构的第一表面相反的第二表面与所述基板相对设置。

【技术特征摘要】
1.一种磁传感封装结构，其特征在于，包括：基板，其上设置有第一焊盘；半导体磁感应芯片，设置于所述基板上；导电结构，连接所述半导体磁感应芯片的线路结构与所述第一焊盘；第一绝缘保护层，至少覆盖所述半导体磁感应芯片和所述导电结构；其中，所述半导体磁感应芯片上与形成有线路结构的第一表面相反的第二表面与所述基板相对设置。2.根据权利要求1所述的磁传感封装结构，其特征在于，所述导电结构为金属丝，还包括第二绝缘保护层，所述金属丝位于所述第二绝缘保护层内，所述第一绝缘保护层覆盖所述半导体磁感应芯片和所述第二绝缘保护层。3.根据权利要求2所述的磁传感封装结构，其特征在于，第二绝缘保护层包括保护胶体。4.根据权利要求2所述的磁传感封装结构，其特征在于，所述第二绝缘保护层的厚度为0.01-0.1mm；和/或，所述第一绝缘保护层的厚度小于0.25mm。5.根据权利要求1所述的磁传感封装结构，其特征在于，所述半导体磁感应芯片通过粘合层粘接于所述基板上。6.一种磁传感元件，其特征在于，包括如权利要求1至5之一所述的磁传感封装结构...

【专利技术属性】
技术研发人员：潘绍榫，
申请(专利权)人：杭州友旺科技有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江,33