半导体装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种半导体装置的制造方法，当在形成于半导体基板的开口部上形成凸起电极时，防止形成由密闭在开口部内的气体造成的气孔。本半导体装置的制造方法具有如下工序：在半导体基板的主面侧形成第一配线（３）的工序；为了将第一配线（３）的背面露出，在半导体基板（１）自其背面侧朝向主面侧形成开口部（５）的工序；形成与第一配线（３）的背面连接且自开口部（５）内延伸至半导体基板（１）背面的第二配线（７）的工序；形成焊料层（８）的工序，该焊料层（８）与开口部（５）底部的第二配线（７）的一部分连接，并自开口部（５）内延伸至半导体基板（１）的背面；使焊料层（８）回流而在开口部（５）上形成凸起电极（９）的工序。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，特别涉及特征在于具有在半导体基板的开口部上形成凸起电极的方法的。
技术介绍
为了有效利用半导体基板的主面，引入如下技术，S卩，将与外部基板等电连接的结 合用电极形成于半导体芯片的背面。此时，在形成于背面的电极上形成由焊料等构成的凸 起电极28，这种技术随着CSP技术的发展而被采用并逐步普及。以下，基于图5说明该凸起 电极28的形成方法。首先，如图5(a)所示，在半导体基板21的主面上隔着由氧化膜等构 成的第一绝缘膜22形成第一配线23。接着，自半导体基板21的背面侧，以露出该第一配线 23背面的方式在该半导体基板21形成开口部24。 接着，在所述开口部24和半导体基板21的背面上形成由氧化膜等构成的第二绝 缘膜25，此后，使所述第一配线23的背面露出，并形成与该配线23的背面连接且自开口部 24内延伸至背面的第二配线26。最后，利用丝网印刷法等在背面的包含开口部24的区域 印刷焊料膏等而形成焊料层27，此后，如图5 (b)所示，通过使焊料层27回流，形成与第一配 线23连接的凸起电极28。另外，在第一配线23上形成有保护膜30。 在以下的专利文献1等中记载有如本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有如下工序：在半导体基板的主面隔着第一绝缘膜形成第一配线的工序；为了将所述第一配线露出，自所述半导体基板的背面，在该半导体基板形成开口部的工序；在所述开口部及所述背面上形成第二绝缘膜的工序；在所述第二绝缘膜上，形成与所述第一配线连接且自所述开口部内延伸至所述背面上的第二配线的工序；形成焊料层的工序，该焊料层与所述第一配线上的所述第二配线的一部分及自该第二配线的一部分延伸的所述开口部侧壁的所述第二配线连接，并延伸至包含所述第二配线的所述背面区域上；使所述焊料层回流的工序。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：须藤和之，富田弘明，
申请(专利权)人：三洋电机株式会社，三洋半导体株式会社，三洋半导体制造株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]