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本发明提供一种半导体装置的制造方法，当在形成于半导体基板的开口部上形成凸起电极时，防止形成由密闭在开口部内的气体造成的气孔。本半导体装置的制造方法具有如下工序：在半导体基板的主面侧形成第一配线（３）的工序；为了将第一配线（３）的背面露出，在...该专利属于三洋电机株式会社;三洋半导体株式会社;三洋半导体制造株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三洋电机株式会社;三洋半导体株式会社;三洋半导体制造株式会社授权不得商用。