ＯＴＰ器件结构及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种ＯＴＰ器件结构，ＯＴＰ器件包括晶体管区域和电容区域，晶体管区域包含晶体管有源区，电容区域包括浮栅以及位于浮栅两侧的电容有源区，还包括位于浮栅下方两侧，相互分离且分别包含所述电容有源区的两个额外离子注入区域，额外离子注入区域部分位于浮栅下方。本发明专利技术的ＯＴＰ器件的制备方法，为在有源区注入之前，先利用光刻工艺定义出离子注入区域，后进行额外离子注入，之后进行退火使额外离子注入区域横向扩散。本发明专利技术的ＯＴＰ器件，编程电流增加，编程速度加快，且使浮栅电流峰值变化变缓，降低对编程电压的精度要求，并减少工艺偏差对编程效果的影响。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种OTP器件结构。本专利技术还涉及一种OTP器件的制备方法。
技术介绍
利用浮栅(Floating poly)存储电子是常见的一次可编程存储器件OTP(one-timeprogrammable memory)的基本工作原理。OTP器件中的浮栅可以嵌入普通的逻辑工艺中，一般由一个晶体管外加一个浮栅电容实现OTP的基本编程以及电荷存储的功能，OTP器件的示意图见图l，在具体制备中的版图见图2，其中控制栅和浮栅共用多晶硅。 这种结构的OTP在工艺偏差的影响下，产品的编程速度会有差异，一般在100u-500us不等，固定的编程条件对于不同的产品往往不通用，对于大容量的产品，编程速度是非常重要的技术指标。 同时由于现有的OTP器件编程时利用热电子效应的(CHE)栅极最大电流，最大电 流的波峰过陡，会对于编程电压的精度要求过高(见图4)。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是一种OTP器件结构，其能提高OTP编程的性能。本发 明还要提供一种OTP器件的制备方法。 为解决上述技术问题，本专利技术的OTP器件结构，所述OTP器件包括晶体管区域和电 容区域，所述晶体管区域包含晶本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种ＯＴＰ器件结构，所述ＯＴＰ器件包括晶体管区域和电容区域，所述晶体管区域包含晶体管有源区，所述电容区域包括浮栅以及位于浮栅两侧的电容有源区，其特征在于：还包括位于浮栅下方两侧，相互分离且分别包含所述电容有源区的两个额外离子注入区域，所述额外离子注入区域部分位于浮栅下方，所述额外离子注入区域的注入离子类型与电容有源区的离子类型相同，所述额外离子注入区域的离子浓度小于电容有源区的离子浓度。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：胡晓明，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]