温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种ＯＴＰ器件结构，ＯＴＰ器件包括晶体管区域和电容区域，晶体管区域包含晶体管有源区，电容区域包括浮栅以及位于浮栅两侧的电容有源区，还包括位于浮栅下方两侧，相互分离且分别包含所述电容有源区的两个额外离子注入区域，额外离子注入区域部...
该专利属于上海华虹ＮＥＣ电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹ＮＥＣ电子有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。