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一种单晶炉的石墨热场制造技术

技术编号:4180239 阅读:386 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本实用新型专利技术涉及一种单晶炉的石墨热场,用于拉制单晶硅棒,其包括保温筒、导流筒、加热器、石墨坩埚和石英坩埚,石英坩埚位于石墨坩埚内,石墨坩埚位于加热器内及加热器电极脚之上,保温筒位于最外层,导流筒位于石英坩埚之上及保温筒内,且在加热器电极脚之上,以及石墨坩埚之间设有防护垫,防护垫完全覆盖加热器电极脚。采用本实用新型专利技术,当发生漏硅现象,液态硅会漏到防护垫上,从而保护加热器不受损坏,降低生产成本,有利于提高生产效率。(*该技术在2019年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种单晶 炉的石墨热场,用于拉制单晶硅棒。
技术介绍
目前,在直拉单晶硅生产过程中,我们通常采用的单晶炉,其石墨热场主要由保温 筒、导流筒、加热器、石墨坩埚和石英坩埚构成,石英坩埚位于石墨坩埚内,石墨坩埚位于加 热器内,保温筒位于最外层,导流筒位于石英坩埚之上及保温筒内。当我们给加热器通电, 石墨坩埚开始升温,当温度升至1400-1600°C时,石英坩埚内的硅料充分熔化后,再拉单晶 硅棒;由于盛硅料的石英坩埚有气孔或杂质等,且升温时间通常要保持40-50小时,因此在 长时间的高温环境下,石英坩埚有时会有裂缝,或通过气孔产生漏硅现象,液态硅会漏到石 墨热场的各个部件上,尤其是会漏到加热器上,导致加热器损坏,需要停产检修,且加热器 价格昂贵,给企业增加了较大的生产成本。
技术实现思路
本技术的目的是提供防止因漏硅而损坏加热器的一种单晶炉的石墨热场。本技术采取的技术方案是一种单晶炉的石墨热场,包括保温筒、导流筒、力口 热器、石墨坩埚和石英坩埚,石英坩埚位于石墨坩埚内,石墨坩埚位于加热器内及加热器电 极脚之上,保温筒位于最外层,导流筒位于石英坩埚之上及保温筒内,其特征在于在加热器 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种单晶炉的石墨热场,包括保温筒、导流筒、加热器、石墨坩埚和石英坩埚,石英坩埚位于石墨坩埚内,石墨坩埚位于加热器内及加热器电极脚之上,保温筒位于最外层,导流筒位于石英坩埚之上及保温筒内,其特征在于在加热器电极脚之上,以及石墨坩埚之间设有防护垫。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:方汉春
申请(专利权)人:方汉春
类型:实用新型
国别省市:33[中国|浙江]

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