【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种加热器装置，更具体的说，是涉及一种直拉单晶炉的石墨加热器的改进结构。
技术介绍
直拉单晶制造法(Czochralski， CZ法)是把原料多硅晶块放入石英坩埚中，在单 晶炉中加热融化，再将一根直径只有10mm的棒状晶种(籽晶)浸入熔液中。在合适的温度 下，熔液中的硅原子会顺着晶种的硅原子排列结构在固液交界面上形成规则的结晶，成为 单晶体。把晶种微微的旋转向上提升，熔液中的硅原子会在前面形成的单晶体上继续结晶， 并延续其规则的原子排列结构。若整个结晶环境稳定，就可以周而复始的形成结晶，最后形 成一根圆柱形的原子排列整齐的硅单晶晶体，即硅单晶锭。 目前单晶炉大都采用石墨加热器对石英坩埚内的多晶原料进行加热熔化。普通 石墨加热器为一个环形的石墨上进行均匀开槽，然后在电极腿上通电加热，一般电压小于 60VDC，22英寸热场最大加热功率在165kw。这种加热器轴向电阻均匀，发热功率轴向均匀， 大的热场考虑拉晶时热场梯度需要，在环形加热器下面再安装一个底部石墨加热器，如24 英寸热场底部施加最大20kw的底部加热功率。目前国内22英寸热场都是单加热器结构， ...
【技术保护点】
一种改进的直拉单晶炉加热器结构，包括在轴线方向上布置了交互且均匀开槽的环形石墨加热器，其特征在于，在环形石墨加热器上设置一个减薄加热段，减薄加热段的径向横截面积为加热器其余部位的径向横截面积的２／３～３／４；所述减薄加热段是指从加热器的底部起至总高度的１／５～１／４处的部分。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：曹建伟，张俊，朱亮，邱敏秀，
申请(专利权)人：上虞晶盛机电工程有限公司，
类型：实用新型
国别省市：33[中国|浙江]
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