一种大直径硅晶体生长装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种大直径硅晶体生长装置，包括保温系统、加热系统、导流系统及支撑装置，所述的保温系统上部设有保温盖板及炉底保温结构，所述的保温盖板采用双层结构，即互相叠合的上保温盖板（１）和下保温盖（２），在所述的上保温盖板（１）和下保温盖（２）之间的空隙部分，填充石墨碳毡。采用上述技术方案，可用来拉制８寸及８寸以上硅单晶，相对于现有技术，在节能降耗及惰性气体的导向上更具优势，增加了保温系统的保温效果，降低热辐射散热，改变熔体内温度梯度，降低横向温度梯度变化，使得熔体液面温度相对稳定，有利于硅单晶的生长；改善气流导向装置，避免出现气体紊流。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种大直径硅晶体生长装置。
技术介绍
切克劳斯基法CZ直拉单晶法，通过电阻加热，将装在石英坩埚中的多晶硅熔化， 并保持略高于硅熔点的温度，在惰性气体的保护下，经过引晶、放肩、转肩、等径、收尾、晶体 取出等工艺步骤，完成晶体生长。生长单晶体的尺寸越大，对石墨热系统的要求也越高。目前，我国在应用于硅单晶生长所用的石墨热系统的加工技术及生产规模上处于 世界领先地位，然而在一些生长大尺寸单晶体的石墨热系统的设计中，在单晶生长过程中， 往往会出现不能正常生长、断棱等诸多情况。因此，大尺寸硅单晶生长技术在国内仍然处于 盲点，虽然也有极少数公司可以勉强生长，但终因运行生产成本过高，达不到企业综合经济 效益目的，而不能得到市场认可和普及；整个国内的硅单晶行业仍然处在6寸及6寸以下硅 单晶生长的水平，然而国外市场对8寸及8寸以上硅单晶的需求量与日俱增，如何设计生长 8寸以上大直径硅单晶的热系统，已经迫在眉睫。众所周知，硅的熔点是1420°，如果是20寸开放式热场装置、投料量75kg，要维持 这个温度则每小时需要耗费120kw左右的电能。目前世界能源紧张，能源成本的增加日益 突出。如何降本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种大直径硅晶体生长装置，包括保温系统、加热系统、导流系统及支撑装置，所述的保温系统上部设有保温盖板及炉底保温结构，其特征在于：所述的保温盖板采用双层结构，即互相叠合的上保温盖板（１）和下保温盖（２），在所述的上保温盖板（１）和下保温盖（２）之间的空隙部分，填充石墨碳毡。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：马四海，张笑天，
申请(专利权)人：芜湖升阳光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：34[中国|安徽]