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本发明公开了一种大直径硅晶体生长装置，包括保温系统、加热系统、导流系统及支撑装置，所述的保温系统上部设有保温盖板及炉底保温结构，所述的保温盖板采用双层结构，即互相叠合的上保温盖板（１）和下保温盖（２），在所述的上保温盖板（１）和下保温盖（２...
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