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一种筒式单晶炉的石墨热场制造技术

技术编号:5052990 阅读:203 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本实用新型专利技术涉及一种筒式单晶炉的石墨热场,用于拉制单晶硅棒,其保温筒位于加热器外,分成上、中、下三层,上、中、下三层呈塔形,且下层设置在炉底护盘上;石英坩埚和石墨坩埚位于加热器内;导流筒位于石英坩埚和石墨坩埚之上,以及保温筒内;采用本实用新型专利技术,由于相对缩小了保温筒的上层空间,可增强保温效果,有利于节能,在上、中层之间形成理想的温度梯度,而且相对扩展了下层的空间,使气流畅通,利于清除杂质,因此能提高产品质量。(*该技术在2019年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种筒式单晶炉的石墨热场,用于拉制单晶硅棒。
技术介绍
目前,在直拉单晶硅棒生产过程中,我们使用的单晶炉的石墨热场采用直筒式设计,即保温筒的上、中、下三部分,与炉底护盘的大小都相一致。这种单晶炉热量散发快,耗 能大,且保温筒内的温度梯度不是很理想,在气体流通方面也感觉不畅,不利于清除杂质, 易产生次品。
技术实现思路
本技术的目的是提供炉内温度梯度理想,且有利于气体流通,清除杂质,提高 产品质量的一种筒式单晶炉的石墨热场。本技术采取的技术方案是一种筒式单晶炉的石墨热场,包括保温筒、导流 筒、加热器、石墨坩埚、石英坩埚、炉底护盘;石英坩埚和石墨坩埚位于加热器内;保温筒位 于加热器外,且设置在炉底护盘上;导流筒位于石英坩埚和石墨坩埚之上,以及保温筒内; 其特征在于将保温筒分成上、中、下三层,且上、中、下三层呈塔形,即上层最小,中层其次, 下层最大。所述的炉底护盘大于保温筒的下层。采用本技术,由于相对缩小了保温筒的上层空间,可增强保温效果,有利于节 能,在上、中层之间形成理想的温度梯度,而且相对扩展了下层的空间,使气流畅通,利于清 除杂质,因此能提高产品质量;另外,炉底护盘大于保本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种筒式单晶炉的石墨热场,包括保温筒、导流筒、加热器、石墨坩埚、石英坩埚、炉底护盘;石英坩埚和石墨坩埚位于加热器内;保温筒位于加热器外,且设置在炉底护盘上;导流筒位于石英坩埚和石墨坩埚之上,以及保温筒内;其特征在于该保温筒分上、中、下三层,且上、中、下三层呈塔形,即上层最小,中层其次,下层最大。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:方汉春
申请(专利权)人:方汉春
类型:实用新型
国别省市:33[中国|浙江]

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