【技术实现步骤摘要】
本技术涉及单晶硅生产设备，特别是一种直拉硅单晶生长的热场。
技术介绍
硅单晶是制造集成电路和太阳能电池的主要原料，硅单晶的制备是将块状多晶硅 原料放入真空或保护气氛的炉腔中的坩埚内，通过加热器加热将多晶原料熔化，然后，通过 仔晶引导，生长成理想的硅单晶，同时从真空炉腔上部充入工艺气体，并由炉腔底部抽出排 放，满足生长工艺要求。但硅单晶生长过程中产生的以SiO为主的大量挥发物，易粘附在系 统关键部件加热器、坩埚、保温筒和抽气管道内壁上，对热场部件造成污染和侵蚀，附着在 抽气管道内壁上的挥发物，需要花费大量清扫时间，影响了热场部件使用寿命，降低了生产 效率，同时影响到硅单晶的品质。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是提供一种直拉硅单晶生长的热场，改变保护 气体在热场中的流动路线，减小了挥发物对加热器、坩埚和保温筒的污染，提高了工作部件 的使用寿命，并有利于生长出高品质的硅单晶。本技术解决其技术问题所采用的技术方案是一种直拉硅单晶生长的热场， 包括炉体，炉体内具有炉腔，炉腔的底部设置有保温底板，保温底板上固接有保温筒，保温 筒的外侧附有侧保温毡，保温筒上盖设保温盖板，...
【技术保护点】
一种直拉硅单晶生长的热场，包括炉体（１），炉体（１）内具有炉腔（２），炉腔（２）的底部设置有保温底板（１５），保温底板（１５）上固接有保温筒（６），保温筒（６）的外侧附有侧保温毡（７），保温筒（６）上盖设保温盖板（３），在保温盖板（３）上架设导流筒（５），在保温筒（６）、保温底板（１５）和保温盖板（３）构成的保温空间内设置加热器（１１）和坩埚，其特征是：在所述的侧保温毡（７）的上部设置上排气室（４），侧保温毡（７）的下部设置下排气室（１３），上排气室（４）和下排气室（１３）之间通过导气管（８）连通，在保温筒（６）上开设通孔，上排气室（４）通过保温筒（６）上的通孔和保温筒（６...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张志强，黄振飞，黄强，
申请(专利权)人：常州天合光能有限公司，
类型：实用新型
国别省市：32[中国|江苏]
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