【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造
，特别涉及一种。
技术介绍
焊盘作为在半导体器件与其它半导体器件、电子元件或外部电路间 形成连接以构成电子电路模块的承接组件，要求具有良好的导电性和可 靠性，在半导体器件的内部结构中具有重要作用，对焊盘制作工艺进行 优化，历来是器件结构工程师追求的目标。当前，实践中，如图l所示，形成焊盘的具体步骤包括，步骤ll: 在基底上形成介质层；步骤12:利用包含第一氟碳气体和氧气的反应气 体执行所述介质层的主刻蚀操作，所述第一氟碳气体中的氟碳比例大于 2: 1;步骤13:利用包含第二氟碳气体的反应气体执行所述介质层的过 刻蚀操作，所述第二氟碳气体中的氟碳比例小于或等于2: 1，形成接触 孔；步骤14:形成覆盖所述介质层并填充所述接触孔的导电层，形成焊 盘。然而，实际生产发现，如图2所示，利用现有工艺难以保证所述导电 层对所述接触孔的填充效果，即，填充时通常在所述接触孔的边缘附近 存在结构异常(如图中圈示区域)，即，台阶覆盖效果偏离理想情况， 严重时甚至形成裂缝或孔洞。如何改善所述导电层对所述接触孔的填充 效果成为本领域技术人员亟待解决的问...
【技术保护点】
一种焊盘形成方法，其特征在于，包括， 在基底上形成介质层； 利用包含第一氟碳气体和第二氟碳气体的第一反应气体对所述介质层执行主刻蚀操作，所述第一氟碳气体中的氟碳比例大于２∶１，所述第二氟碳气体中的氟碳比例小于或等于２∶１； 利用包含第二氟碳气体的第二反应气体执行所述介质层的过刻蚀操作，形成接触孔； 形成覆盖所述介质层并填充所述接触孔的导电层，形成焊盘。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：王新鹏，孙武，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：11[]
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