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一种焊盘形成方法,包括,在基底上形成介质层;利用包含第一氟碳气体和第二氟碳气体的第一反应气体对所述介质层执行主刻蚀操作,所述第一氟碳气体中的氟碳比例大于2∶1,所述第二氟碳气体中的氟碳比例小于或等于2∶1;利用包含第二氟碳气体的第二反应气体...该专利属于中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。
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一种焊盘形成方法,包括,在基底上形成介质层;利用包含第一氟碳气体和第二氟碳气体的第一反应气体对所述介质层执行主刻蚀操作,所述第一氟碳气体中的氟碳比例大于2∶1,所述第二氟碳气体中的氟碳比例小于或等于2∶1;利用包含第二氟碳气体的第二反应气体...