【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造
，特别涉及一种半导体结构的制造 方法。
技术介绍
在半导体集成电路制造工艺中，通过一系列的光刻、刻蚀、沉积和 平坦化等工艺在衬底上形成器件，并在所述器件上形成连接各个器件的 金属互连结构。所述器件和金属互连结构通过金属前介质层中的接触插 塞连接。其中，金属前介质层覆盖于器件之上，用做器件与金属互连结 构的绝缘层，其一般通过化学气相沉积工艺形成。图1至图3为现有的 一种在器件上形成金属前介质层并在金属前介质 层中形成连接插塞的剖面示意图。如图l所示，提供衬底IO,在所述衬底10上具有器件。例如所述器件 为金属氧化物半导体晶体管。所述金属氧化物半导体晶体管包括源极12、 漏极14和栅极16,在衬底10和栅极16之间具有栅极氧化硅层18。在所述 冲册极16侧壁还可以具有侧壁层(未标示)。所述的金属氧化物半导体晶体管也可以具有多个，图1中仅示出其中 一个作为实例。如图2所示，在所述衬底10上形成覆盖所述器件的介质层20,作为金 属前介质层。其中，所述介质层20可以是磷硅玻璃。沉积的方法可以是 化学气相沉积，具体地，可以是高密度等离子体化学...
【技术保护点】
一种半导体结构的制造方法，包括，提供具有半导体器件的衬底；在所述半导体器件上形成介质层；其特征在于，所述的形成介质层的步骤至少包括以下两个阶段： 第一阶段，形成覆盖所述半导体器件的保护层； 第二阶段，执行等离子体沉积工艺，在所述 保护层上沉积介质材料。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：李敏，郑春生，张子莹，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。