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一种半导体结构的制造方法，包括，提供具有半导体器件的衬底；在所述半导体器件上形成介质层；所述的形成介质层的步骤至少包括以下两个阶段：第一阶段，形成覆盖所述半导体器件的保护层；第二阶段，执行等离子体沉积工艺，在所述保护层上沉积介质材料。本发明...
该专利属于中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。

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