【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及高分子基静电放电抑制器，用于高频电路压敏元件静电防护，尤其是一种。
技术介绍
随着现代材料技术特别是高分子电子材料的发展，现代通讯设备传输数据的速率 越来越快，功能越来越强大，所采用的高端芯片对过电压极为敏感，但这类器件的耐受电压 冲击的能力提升有限，使设备的造价越来越高。 在使用过程中这些设备的1/0端口处由于接触、离开、摩擦等极易产生静电荷积 累，在特定条件下极易发生静电放电(ESD)，受到静电放电的危害，轻则损伤器件，影响设备 的使用，重则器件发生永久性损毁，设备报废。 这就要求有一种静电浪涌抑制器，把静电放电产生的强烈静电脉冲通过静电抑制 器导入地面，从而把设备中对电压敏感的高端器件有效的保护起来。而现有的无机半导体 材料防护器件虽然也能够防护静电放电(ESD)危害，但这些器件本身的固有电容为数十皮 法或者更高的数量级，当这些器件防护高速数据传输设备端口时，由于过高的固有电容而 使高速数据传输过程中发生数据失真或丢失等问题。这就迫切需要我们制造一种静电防护 元器件，其固有电容为几皮法甚至更低的数值，能有效的处理ESD瞬变时产生的高电流，而...
【技术保护点】
一种高分子基体双面表面贴装型静电防护器件，包括基板、内电极、芯材，端部设有的端电极，其特征在于：所述的基板包括上下两块，在上、下基板之间夹有一块半固化片，半固化片上设有通孔，上基板、半固化片、下基板依次叠置，上、下基板上内电极的前端相对设置，并且半固化片上的通孔对应于两内电极前端的相汇处，通孔中填充有芯材浆料，该芯材浆料分别与上、下基板的内电极接触，构成静电防护器件。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：刘伟，李江，吴兴农，
申请(专利权)人：上海长园维安微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。