一种控制掩模版CD值的清洗方法技术

本发明专利技术提供一种控制掩模版ＣＤ值的清洗方法，它包括以下步骤：１．得出掩模版ＣＤ值随第二次硫酸清洗时间变化的改变幅度以及随双氧水注入量变化的改变幅度；２．采集掩模版ＣＤ数据，根据掩模版ＣＤ值超出预期制定ＣＤ值范围的幅度依据步骤１确定第二次硫酸清洗时间，及／或双氧水注入量；３．根据步骤２确定的第二次硫酸清洗时间，及／或双氧水注入量对掩模版清洗；４．再采集掩模版上ＣＤ值，判断ＣＤ值是否预期制定范围内；是，则清洗完成；否，则返回步骤２。本发明专利技术方法通过有效调整第二次硫酸清洗时间以及双氧水注入量来达到控制掩模版ＣＤ值的目的，解决ＣＤ值不符合要求的掩模版报废的问题。

Cleaning method for controlling CD value of mask

The invention provides a cleaning method for controlling reticle CD value, which comprises the following steps: 1. the mask CD value with second sulfuric acid cleaning time variation amplitude and with hydrogen peroxide injection volume change change; 2. according to the CD data acquisition mask, mask CD value exceeded the expected magnitude on the basis of making CD the 1 step range determined the second sulfuric acid cleaning time, and / or hydrogen peroxide injection volume; 3. according to step 2 determines the second sulfuric acid cleaning time, injection amount of hydrogen peroxide and / or mask cleaning; 4. to collect on the mask CD, judging whether the CD value range is expected to develop, cleaning; do not, then go back to step 2. The method of the invention achieves the purpose of controlling the CD value of the mask by effectively adjusting the cleaning time of the second sulfuric acid and the injection amount of the hydrogen peroxide, and solves the problem that the CD value does not meet the requirement of the mask to be scrapped.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及已制作好的掩模版的清洗领域，尤其涉及一种控制掩模版CD值 的清洗方法。
技术介绍
掩模版是目前光刻制程中必要工具，掩模版质量直接影响着光刻制程的良 率。随着半导体制程的特征尺寸(Critical Dimension: CD)不断地减小，因此 对掩模版的质量要求不断提高。当掩模版上稍有瑕疵就会影响后续光刻制程的 良率。随着光刻制程CD的减小，因此对掩模版上制作的图案的CD要求精度比 较高，允许的误差裕度也会不断减小。目前，掩模版多采用具有极高分辨率的 超微粒乳胶干版和具有良好耐磨性能的硬质铬版，以及能掩蔽紫外光而在可见 光下呈半透明特性的"彩色版"等掩模材料，掩模版的衬底基片都采用高平整 度制版玻璃。由于制作掩模版制程稳定性原因，可能导致制作出的掩模版上的 图案CD (Critical Dimension: CD)不在预期的制定范围内，这样就会引起此掩 模版不能运用于后期制程，导致此掩模版报废。通常掩模版的制作一旦制作完 成，难以对掩模版上图案CD作修改，然而当掩模版上图案CD值略微超出预期 制定范围时，而使之报废，这样会造成较大的浪费。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种控制掩模版CD值的清洗方法，用于调整制作好 后的掩模版上图案的CD值，使其在预期的制定范围内，以避免报废掩模版上图 案CD值略微超出预期范围而导致的浪费。为达到上述目的，本专利技术的一种控制掩模版CD值的清洗方法，采用硫酸和 双氧水对掩模版进行两次清洗，它包括以下步骤步骤1,保持两次硫酸的温度、 第一次清洗时间以及两次双氧水注入量恒定，采集不同第二次硫酸清洗时间对应掩模版上CD值改变幅度的数据；保持两次硫酸温度和清洗时间恒定，采集不 同双氧水注入量对应掩模版上CD值改变幅度的数据；步骤2,采集掩模版上 CD超出预期制作范围幅度的数据，依据步骤l中得出的掩模版上CD值随石克酸 清洗时间变化而改变的幅度数据来确定第二次碌u酸清洗时间，；S7或依据步骤1 中得出的掩模版上CD值随双氧水注入量变化而改变的幅度数据来确定双氧水 的用量；歩骤3,依据步骤2确定的第二次硫酸清洗时间，^或确定的双氧水 注入量对所述掩模版清洗；步骤4:再次采集掩模版上CD值，若采集的CD值 在预期制定范围内，掩模版清洗完毕；若采集的CD值不在预期制定范围内，返 回步骤2。第一次清洗硫酸的清洗时间为500秒，温度为95摄氏度；第二次清 先琉酸的温度为110摄氏度，两次的清洗硫酸均为高浓度疏酸。具体地，第二 次清洗硫酸清洗掩模版的时间为200秒~3000秒，两次注入双氧水量保持相同， 两次注入硫酸中双氧水量均为100 1600毫升。在用硫酸和双氧水清洗掩模版之 后采用臭氧对掩模版进行清洗。与传统掩模版制作方法相比，本专利技术通过采集掩模版上CD值随清洗液清洗 时间和清,先液中双氧水量的变换的改变幅度的数据，以此作为清洗依据，采集 掩模版上CD值超出预期制定范围的幅度来确定第二次清洗硫酸对掩模版的清 洗时间或第一次和第二次清洗双氧水注入量对掩模版进行清洗。根据掩模版CD 值超出预期制定范围的幅度大小可选择进行粗清洗和细清洗来控制掩模版上 CD值。因此，可有效解决CD值超出预期制定范围的掩模版报废的问题。以下结合附图和具体实施例对本专利技术的控制掩模版CD值的清洗方法作进 一步详细具体地说明。附图说明图1是掩模版上CD值改变幅度随第二次硫酸清洗时间变化的示意图。 图2是掩模版上CD值改变幅度随双氧水注入量变化的示意图。 图3是本专利技术控制掩;f莫版CD值方法示意图。具体实施例方式通常掩模版制作完成后，为清洗掉掩模版上的残留物和污染物，通常会两4次采用硫酸和双氧水的混合物对掩模版进行两次清洗。为达到利用清洗过程控制制作完成后的掩模版上图案CD值的目的，首先需依据一定制作材料和特定规 格的掩模版，采集掩模版上CD值随清洗^i酸清洗时间变化的改变或随双氧水量 的变化的相应改变。因此，进行步骤l:保持两次碌u酸的温度、第一次清洗时间 以及两次双氧水注入量恒定，采集不同第二次^琉酸清洗时间对应掩^li版上CD值 改变幅度的数据；保持两次硫酸温度和清洗时间恒定，采集不同双氧水注入量 对应掩模版上CD值改变幅度的数据。请参阅图1，保持第一次硫酸的清洗温度 为95摄氏度，第二次硫酸的清洗温度为110摄氏度，第一次清洗时间为500秒， 两次双氧水的注入量均为1300毫升，得出掩模版上CD值随第二次疏酸清洗时 间变化的改变。请参阅图2，保持第一次硫酸清洗温度为95摄氏度，第二次疏 酸的清洗温度为110 4聂氏度，第一次石危酸的清洗时间为500秒，第二次石克酸的 清洗时间为1500秒，两次注入石克酸的双氧水量均相同，两次注入石危酸中双氧水 量由100-1600毫升变化时对应的CD值改变幅度。由图1可看出随着第二次疏 酸的清洗时间的增长，掩模版上CD值改变幅度增大，为避免过长的第二次硫酸 清洗时间对掩模版造成损伤，第二次硫酸清洗时间选择200秒 3000秒。由图2 可看出随着双氧水注入量的增加，C D值的改变逐渐趋近于饱和。然后进行步骤2:采集掩模版上CD超出预期制作范围幅度的数据，依据步 骤1中得出的掩模版上CD值随硫酸清洗时间变化而改变的幅度数据来确定第二 次硫酸清洗时间，A/或依据步骤l中得出的掩模版上CD值随双氧水注入量变 化而改变的幅度数据来确定双氧水的用量。请参见表1所示采集到的掩模版1 上CD值数据，该掩模版1预期制定CD值标准为860nm±40nm，平均值要求 860士20nm,可见点2、点4、点6和点10的数据均不在预期制定范围内，且采 集点的CD平均值也不符合要求。由于实际掩模版1上CD值与预期制定CD值 偏差幅度较大，因此，以采用较长的第二次硫酸清洗时间对掩模版进行清洗和 较大的双氣水注入量进行清洗为例，第一次硫酸清洗时间为500秒，清洗温度 为95摄氏度，注入双氧水量为1300ml;第二次硫酸的清洗时间为2500秒，清 洗温度为IIO摄氏度，注入双氧水量为1300ml;按照上述条件进行清洗。接着 进行步骤3:依据步骤2确定的第二次辟L酸清洗时间，^/或确定的双氧水注入 量对掩模版l进行清洗。清洗完后掩模版1釆集点的CD值数据请见表2，可见5采集点的CD值均有下降，平均值为883.5接近预期制定范围。再进行步骤4: 再次采集掩模版上CD值，若釆集的CD值在预期制定范围内，掩4莫版清洗完毕； 若采集的CD值不在预期制定范围内，返回步骤2。然而，经过一道粗清洗完毕 之后，依据表2的CD数据掩才莫版1上CD值虽已满足采集点的CD值均在 860nm士40nm预期制定范围内，但掩模版1上采集点CD值的平均值仍不满足要 求。因此，需返回步骤2，依据表2所示掩模版1上CD数据确定采用相对前道 清洗第二次硫酸清洗时间要短的第二次硫酸清洗时间，两次双氧水注入量保持 不变。第一次硫酸清洗时间为500秒，清洗温度为95摄氏度，注入双氧水量为 1300毫升；第二次硫酸的清洗时间为2000秒，清洗温度为110摄氏度，注入 双氧水量为1300毫升。经过又一道的细清洗完后掩模版1采集点的CD数据请 见表3。由表3得出的进行二道清洗后掩模版1上CD值平均值为876.6已满足 预期制定要求。每道清洗本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种控制掩模版ＣＤ值的清洗方法，采用硫酸和双氧水对掩模版进行两次清洗，其特征在于，它包括以下步骤：　步骤１：保持两次硫酸的温度、第一次清洗时间以及两次双氧水注入量恒定，采集不同第二次硫酸清洗时间对应掩模版上ＣＤ值改变幅度的数据；保持两 次硫酸温度和清洗时间恒定，采集不同双氧水注入量对应掩模版上ＣＤ值改变幅度的数据；　步骤２：采集掩模版上ＣＤ值超出预期制定范围幅度的数据，依据步骤１中得出的掩模版上ＣＤ值随硫酸清洗时间变化而改变的幅度数据来确定第二次硫酸清洗时间，及／或 依据步骤１中得出的掩模版上ＣＤ值随双氧水注入量变化而改变的幅度数据来确定双氧水的用量；　步骤３：依据步骤２确定的第二次硫酸清洗时间，及／或确定的双氧水注入量对所述掩模版进行清洗；　步骤４：再次采集掩模版上ＣＤ值，若采集的ＣＤ值在 预期制定范围内，掩模版清洗完毕；若采集的ＣＤ值不在预期制定范围内，返回步骤２。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：黄烈敏，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]