【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及恰当地使用于在薄膜晶体管液晶显示装置(Thin FilmTransistor Liquid Crystal Display)的制造中所用的薄膜晶体管基板(以下称为TFT基板)等的灰 色调掩模和使用了灰色调掩模的薄膜晶体管基板的制造方法。
技术介绍
TFT-IXD与CRT (阴极射线管)相比,由于有容易形成为薄 型及功耗低的优点,目前 在商品化方面正急剧地取得进展。TFT-IXD具有在排列成矩阵状的各像素上排列了 TFT的 结构的TFT基板以及与各像素对应地排列了红、绿和蓝的像素图形的滤色层在介入液晶相 的情况下重合在一起的概略结构。在TFT-IXD中,制造工序数多,仅仅制造TFT基板就要使 用5 6块光掩模。在这样的状况下,提出了借助于用4块光掩模进行TFT基板的制造的方法,即,使 用2种膜厚的光致抗蚀剂图形的方法以减少光刻工序数的方法。例如,在专利文献1中,公布了具有使用如下光致抗蚀剂的工序的专利在源电极 与漏电极之间(沟道部)具有第1厚度的光致抗蚀剂、具有比第1厚度厚的第2厚度的光 致抗蚀剂、具有比第1厚度薄的第3厚度(包含厚度为零的情况)的光 ...
【技术保护点】
一种用于制造液晶显示装置的灰色调掩模,其特征在于,该灰色调掩模通过在透明基板上具有半透光膜图形、以及在透光部侧空出余量区域而形成在上述半透光膜图形上的遮光膜图形,由此具有:遮光膜图形与半透光膜图形层叠而成的遮光部,除遮光部以外的形成有半透光膜的半透光部,以及既未形成半透光膜又未形成遮光膜的透光部;该灰色调掩模具有与上述半透光膜图形的形成同时形成的、用于曝光时的对位的标记图形。
【技术特征摘要】
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