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本发明提供一种控制掩模版ＣＤ值的清洗方法，它包括以下步骤：１．得出掩模版ＣＤ值随第二次硫酸清洗时间变化的改变幅度以及随双氧水注入量变化的改变幅度；２．采集掩模版ＣＤ数据，根据掩模版ＣＤ值超出预期制定ＣＤ值范围的幅度依据步骤１确定第二次硫酸清...
该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。

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